公开(公告)号：JP2002043581A

公开(公告)日：2002-02-08

申请号：JP2001154502

申请日：2001-05-23

Applicant: IBM

Inventor： JAMES W ADKISSON ,  PAUL D ANGELO ,  BALLANTINE ARNE W ,  CHRISTOPHER S PUTNAM ,  RANKIN JED H

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a dual/wrap-around gate field effect transistor particularly having a short gage length, a low off current and good performance and a method for manufacturing the same. SOLUTION: In the field effect transistor comprising gates each having a length of 10 nm or less and a conductive channel having a width maintained at 1/2 to 1/4 of the length of the gate so that the gates are disposed at least at two sides of the channel, a device having a complete depletion layer is formed without considering the off current. The above-mentioned channel is obtained by forming a groove in a minimum lithographic size, forming sidewalls in the groove and etching a gate structure in a self-alignment manner with the sidewalls. The channel is thereafter epitaxially grown from a source structure in the groove so that the source, the channel and a drain region are integrated in a single crystal structure.

公开(公告)号：DE112010002791T5

公开(公告)日：2012-08-23

申请号：DE112010002791

申请日：2010-06-17

Applicant: IBM

Inventor： ABOU-KHALI MICHEL J ,  LEE TOM ,  LI JUNJUN ,  GAUTHIER ROBERT J JR ,  CHRISTOPHER S PUTNAM ,  MITRA SOUVIK

IPC: H01L23/525 ,  H01L21/768 ,  H01L27/02 ,  H01L27/112

Abstract: Es werden Ausführungsarten eines Schaltkreises zum Programmieren/Umprogrammieren einer elektronischen Sicherung beschrieben. Bei einer Ausführungsart weist die elektronische Sicherung (150) zwei kurze Leiterschichten (110, 130) mit hohem Atomdiffusionswiderstand auf, die an entgegengesetzten Seiten (121, 122) und am selben Ende (123) einer langen Leiterschicht mit niedrigem Atomdiffusionswiderstand (120) angeordnet sind. Eine Spannungsquelle (170) wird verwendet, um die Polarität und wahlweise die Höhe der an die Anschlussklemmen (erste Anschlussklemme = 170/161/110; zweite Anschlussklemme = 170/162/130; dritte Anschlussklemme = 170/163/zugewandtes Ende 123 der Leiterschicht 120; und vierte Anschlussklemme = 170/164/abgewandtes Ende 124 der Leiterschicht 120) zu ändern, um den bidirektionalen Elektronenfluss innerhalb der langen Leiterschicht und dadurch die Bildung von Leitungsunterbrechungen und/oder Kurzschlüssen an den Grenzflächen (125, 126) zwischen den langen Leiterschichten und den kurzen Leiterschichten zu steuern. Die Bildung solcher Leitungsunterbrechungen und/oder Kurzschlüsse kann zum Erzeugen verschiedener Programmierzustände (11, 01, 10, 00) verwendet werden. Andere Ausführungsarten der Schaltkreisstruktur beinhalten elektronische Sicherungen (650) mit zusätzlichen Leiterschichten und zusätzlichen Anschlussklemmen, um eine größere Anzahl von Programmierzuständen zu ermöglichen. Ferner werden auch zugehörige Verfahren zum Programmieren und Umprogrammieren einer elektronischen Sicherung beschrieben.