公开(公告)号：DE112018000201T5

公开(公告)日：2019-08-14

申请号：DE112018000201

申请日：2018-01-17

Applicant: IBM

Inventor： MEHTA SANJAY ,  PRANATHARTHIHARAN BALASUBRAMANIAN ,  BI ZHENXING ,  DEVARAJAN THAMARAI ,  SANKARAPANDIAN MUTHUMANICKAM

IPC: H01L21/28

Abstract: Ein Vertikaltransport-Finnen-Feldeffekttransistor (VT-FinFET), umfassend eine oder mehrere vertikale Finnen auf einer Fläche eines Substrats, eine L-förmige oder U-förmige Abstandhalterwanne auf dem Substrat in Nachbarschaft zu mindestens einer der einen oder der mehreren vertikalen Finnen und eine Gate-Dielektrikumsschicht auf den Seitenwänden der mindestens einen der einen oder der mehreren vertikalen Finnen und der L-förmigen oder U-förmigen Abstandhalterwanne.