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    Dual hard mask lithography process
    3.
    发明专利
    Dual hard mask lithography process 未知

    公开(公告)号：GB2511456A

    公开(公告)日：2014-09-03

    申请号：GB201410024

    申请日：2012-12-20

    Applicant: IBM

    Inventor： BURNS SEAN D ,  HOLMES STEVEN J ,  HORAK DAVID V ,  SANKARAPANDIAN MUTHUMANICKAM ,  YIN YUNPENG ,  ARNOLD JOHN C

    IPC: H01L21/033 ,  G03F7/00 ,  H01L21/768

    Abstract: A first metallic hard mask layer over an interconnect-level dielectric layer is patterned with a line pattern. At least one dielectric material layer, a second metallic hard mask layer, a first organic planarization layer (OPL), and a first photoresist are applied above the first metallic hard mask layer. A first via pattern is transferred from the first photoresist layer into the second metallic hard mask layer. A second OPL and a second photoresist are applied and patterned with a second via pattern, which is transferred into the second metallic hard mask layer. A first composite pattern of the first and second via patterns is transferred into the at least one dielectric material layer. A second composite pattern that limits the first composite pattern with the areas of the openings in the first metallic hard mask layer is transferred into the interconnect-level dielectric layer.

    PHASENWECHSELSPEICHERZELLE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG
    5.
    发明专利
    PHASENWECHSELSPEICHERZELLE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG 未知

    公开(公告)号：DE112021005680B4

    公开(公告)日：2024-12-24

    申请号：DE112021005680

    申请日：2021-11-18

    Applicant: IBM

    Inventor： OK INJO ,  BAO RUQIANG ,  SIMON ANDREW HERBERT ,  BREW KEVIN ,  SAULNIER NICOLE ,  SARAF IQBAL RASHID ,  SANKARAPANDIAN MUTHUMANICKAM ,  MEHTA SANJAY

    IPC: H10B63/10 ,  H10N70/20

    Abstract: Struktur (100); aufweisend:ein Heizelement (116), das von einer dielektrischen Schicht (114) umgeben ist;einen Projektions-Liner (124) auf dem Heizelement, wobei der Projektions-Liner eine obere Oberfläche des Heizelements bedeckt;eine Phasenwechselmaterialschicht (126) über dem Projektions-Liner, wobei der Projektions-Liner die Phasenwechselmaterialschicht von der zweiten dielektrischen Schicht (114) und dem Heizelement trennt;eine obere Elektrode (128) über und in elektrischem Kontakt mit der Phasenwechselmaterialschicht; undeinen oberen Elektrodenkontakt (136), der die obere Elektrode (128) und einen oberen Teil der Phasenwechselmaterialschicht umschließt, wobei der obere Elektrodenkontakt durch einen Metall-Liner (134) von der Phasenwechselmaterialschicht und der oberen Elektrode getrennt wird.

    Lithographieprozess mit doppelter Hartmaske
    7.
    发明专利
    Lithographieprozess mit doppelter Hartmaske 未知

    公开(公告)号：DE112012005734T5

    公开(公告)日：2014-11-13

    申请号：DE112012005734

    申请日：2012-12-20

    Applicant: IBM

    Inventor： ARNOLD JOHN C ,  BURNS SEAN D ,  HOLMES STEVEN J ,  HORAK DAVID V ,  SANKARAPANDIAN MUTHUMANICKAM ,  YIN YUNPENG

    IPC: H01L21/027 ,  G03F1/68 ,  G03F1/80 ,  G03F7/20

    Abstract: Eine erste metallische Hartmaskenschicht über einer dielektrischen Zwischenverbindungsebenen-Schicht wird mit einem Leitungsmuster strukturiert. Oberhalb der ersten metallischen Hartmaskenschicht wird wenigstens eine Schicht aus einem dielektrischen Material, eine zweite metallische Hartmaskenschicht, eine erste organische Planarisierungsschicht (OPL) sowie ein erstes Photoresist angebracht. Ein erstes Durchkontakt-Muster wird von der ersten Photoresistschicht in die zweite metallische Hartmaskenschicht hinein transferiert. Eine zweite OPL und ein zweites Photoresist werden angebracht und mit einem zweiten Durchkontakt-Muster strukturiert, das in die zweite metallische Hartmaskenschicht hinein transferiert wird. Ein erstes Kombinationsmuster aus dem ersten und dem zweiten Durchkontaktmuster wird in die wenigstens eine Schicht aus einem dielektrischen Material transferiert. Ein zweites Kombinationsmuster, welches das erste Kombinationsmuster mit den Gebieten der Öffnungen in der ersten metallischen Hartmaskenschicht begrenzt, wird in die dielektrische Zwischenverbindungsebenen-Schicht hinein transferiert.

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