公开(公告)号：DE112012001822T5

公开(公告)日：2014-01-30

申请号：DE112012001822

申请日：2012-06-01

Applicant: IBM

Inventor： CAMILLO-CASTILLO RENATA ,  DAHLSTROM ERIK M ,  GEBRESELASLE EPHREM G ,  STRICKER ANDREAS ,  PHELPS RICHARD A ,  SHI YUN ,  GAUTHIER ROBERT J

IPC: H03K17/72 ,  G06F17/50 ,  H01L21/311 ,  H01L29/74

Abstract: Einheitenstrukturen, Fertigungsverfahren, Betriebsverfahren und Konstruktionsstrukturen für einen siliciumgesteuerten Gleichrichter. Das Verfahren beinhaltet ein Ausüben einer mechanischen Verspannung auf einen Bereich eines siliciumgesteuerten Gleichrichters (SCR) in einem Ausmaß, das zum Modulieren eines Auslösestroms des SCR ausreicht. Die Einheiten- und Konstruktionsstrukturen beinhalten einen SCR (62) mit einer Anode (63), einer Kathode (65), einem ersten Bereich (14) und einem zweiten Bereich (16) mit einem entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp gegenüber dem ersten Bereich. Der erste und der zweite Bereich des SCR sind in einem stromführenden Pfad zwischen der Anode und der Kathode des SCR angeordnet. Eine Schicht (26) ist auf einer oberen Fläche eines Halbleitersubstrats (30) relativ zu dem ersten Bereich positioniert und so eingerichtet, dass sie eine mechanische Verspannung in dem ersten Bereich des SCR in einem Ausmaß verursacht, das zum Modulieren eines Auslösestroms des SCR ausreicht.