公开(公告)号：DE112010003495B4

公开(公告)日：2013-12-12

申请号：DE112010003495

申请日：2010-08-30

Applicant: IBM

Inventor： KARG SIEGFRIED ,  BJOERK MIKAEL T ,  KNOCH JOACHIM ,  RIEL HEIKE ,  RIESS WALTER H ,  SOLOMON PAUL M

IPC: H01L29/68 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739

Abstract: Tunnelfeldeffekttransistor-Struktur mit einem indirekt induzierten Tunnelemitter, welcher das folgende umfasst: einen äußeren Mantel, welcher zumindest teilweise ein längliches Kernelement umgibt, wobei das längliche Kernelement aus einem ersten Halbleitermaterial gebildet ist; eine Isolatorschicht, welche zwischen dem äußeren Mantel und dem Kernelement angeordnet ist; wobei der äußere Mantel an einer Stelle angeordnet ist, die einer Source-Zone der Tunnelfeldeffekttransistor-Struktur entspricht; und einen Source-Kontakt, der den äußeren Mantel mit dem Kernelement kurzschließt; wobei der äußere Mantel so aufgebaut ist, dass er in die Source-Zone des Kernelements eine Ladungsträgerkonzentration einführt, die zum Tunneln in eine Kanalzone der Tunnelfeldeffekttransistor-Struktur während eines EIN-Zustands ausreicht.

公开(公告)号：DE112010003495T5

公开(公告)日：2012-09-20

申请号：DE112010003495

申请日：2010-08-30

Applicant: IBM

Inventor： KARG SIEGFRIED ,  BJOERK MIKAEL T ,  KNOCH JOACHIM ,  RIEL HEIKE ,  RIESS WALTER H ,  SOLOMON PAUL M

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: Ein indirekt induzierter Tunnelemitter für eine Tunnelfeldeffekttransistor(TFET)-Struktur umfasst einen äußeren Mantel, der zumindest teilweise ein längliches Kernelement umgibt, wobei das längliche Kernelement aus einem ersten Halbleitermaterial gebildet ist; eine Isolatorschicht, die zwischen dem äußeren Mantel und dem Kernelement angeordnet ist; wobei der äußere Mantel an einer Stelle angeordnet ist, die einer Source-Zone der TFET-Struktur entspricht; und einen Source-Kontakt, der den äußeren Mantel mit dem Kernelement kurzschließt; wobei der äußere Mantel so aufgebaut ist, dass er in die Source-Zone des Kernelements eine Ladungsträgerkonzentration einführt, die zum Tunneln in eine Kanalzone der TFET-Struktur während eines EIN-Zustands ausreicht.

公开(公告)号：DE112023002662T5

公开(公告)日：2025-04-10

申请号：DE112023002662

申请日：2023-03-29

Applicant: IBM

Inventor： HARNACK NELE ,  GOTSMANN BERND ,  KARG SIEGFRIED

IPC: H03B5/04

Abstract: Ein Netz weist eine Mehrzahl von Oszillatoren auf. Das Netz ist so konfiguriert, dass es die Phase der Mehrzahl von Oszillatoren durch thermisches Koppeln über eine thermische Verbindung steuert.

公开(公告)号：DE112020005062T5

公开(公告)日：2022-07-21

申请号：DE112020005062

申请日：2020-11-17

Applicant: IBM

Inventor： ZOTA CEZAR ,  CONVERTINO CLARISSA ,  CZORNOMAZ LUKAS ,  KARG SIEGFRIED

IPC: H01L27/108

Abstract: Eine kondensatorfreie DRAM-Zelle (200) weist eine Heterostruktur, eine Gate-Struktur (106, 107), welche in einer ersten Richtung an die Heterostruktur grenzt, eine Drain-Struktur (108), welche in einer zweiten Richtung senkrecht zu der ersten Richtung an die Heterostruktur grenzt, und eine Source-Struktur (104) auf, welche in der der zweiten Richtung entgegengesetzten Richtung an die Heterostruktur grenzt, wobei die Heterostruktur eine oder mehrere halbleitende Kanalschichten (610, 612) und eine oder mehrere elektrisch isolierende Barriereschichten (620, 622, 624) aufweist, wobei die Kanalschichten (610, 612) und die Barriereschichten (620, 622, 624) in der ersten Richtung abwechselnd gestapelt sind.