公开(公告)号：WO2012047458A2

公开(公告)日：2012-04-12

申请号：PCT/US2011051348

申请日：2011-09-13

Applicant: IBM ,  DEMUYNCK DAVID A ,  HE ZHONG-XIANG ,  MIGA DANIEL R ,  MOON MATTHEW D ,  VANSLETTE DANIEL S ,  WHITE ERIC J

Inventor： DEMUYNCK DAVID A ,  HE ZHONG-XIANG ,  MIGA DANIEL R ,  MOON MATTHEW D ,  VANSLETTE DANIEL S ,  WHITE ERIC J

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/5227 ,  H01L28/10 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: The disclosure relates generally to integrated circuits (IC), IC interconnects, and methods of fabricating the same, and more particularly, high performance inductors. The IC (10) includes at least one trench (20) within a dielectric layer (25) disposed on a substrate (30). The trench is conformally coated with a liner and seed layer (35), and includes an interconnect (40) within. The interconnect includes a hard mask (45) on the sidewalls of the interconnect.

Abstract translation: 本公开一般涉及集成电路（IC），IC互连及其制造方法，并且更具体地涉及高性能电感器。 IC（10）包括设置在衬底（30）上的电介质层（25）内的至少一个沟槽（20）。 沟槽共形涂覆有衬里和籽晶层（35），并且包括内部的互连（40）。 该互连包括互连侧壁上的硬掩模（45）。

公开(公告)号：DE112011103400T5

公开(公告)日：2013-08-22

申请号：DE112011103400

申请日：2011-09-13

Applicant: IBM

Inventor： MIGA DANIEL R ,  MOON MATTHEW D ,  HE ZHONG-XIANG ,  VANSLETTE DANIEL S ,  WHITE ERIC J ,  DEMUYNCK DAVID A

IPC: H01L21/28

Abstract: Die Offenbarung betrifft allgemein integrierte Schaltungen (ICs), IC-Verbindungen und Verfahren zur Herstellung derselben und insbesondere Hochleistungsinduktoren. Die IC (10) weist mindestens einen Graben (20) innerhalb einer Dielektrikumsschicht (25) auf, die auf einem Substrat (30) angeordnet ist. Der Graben wird formangepasst mit einer Auskleidungs- und Keimschicht (35) beschichtet und weist eine Verbindung (40) darin auf. Die Verbindung weist eine Hartmaske (45) auf den Seitenwänden der Verbindung auf.