公开(公告)号：AU2021267918A1

公开(公告)日：2022-10-27

申请号：AU2021267918

申请日：2021-04-20

Applicant: IBM

Inventor： TRIVINO NOELIA VICO ,  MOSELUND KIRSTEN EMILIE ,  SCHERRER MARKUS

IPC: H01L33/00

Abstract: A method for fabricating a semiconductor structure. The method comprises fabricating a photonic crystal structure (113) of a first material, in particular a first semiconductor material and selectively removing the first material within a predefined part of the photonic crystal structure (113). The method further comprises replacing the first material within the predefined part of the photonic crystal structure (113) with one or more second materials by selective epitaxy. The one or more second materials may be in particular semiconductor materials. A device is obtained by such a method.

公开(公告)号：GB2518679A

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：GB201317265

申请日：2013-09-30

Applicant: IBM

Inventor： MOSELUND KIRSTEN EMILIE ,  RIEL HEIKE E

IPC: H01L29/73

Abstract: A tunneling field effect transistor device 1 has first and second semiconductor contact regions 2a, 2b; separated by a semiconductor channel region 3. The device includes a channel gate 4 overlying the channel region 3, and first and second doping gates 5a, 5b; overlying the first and second contact regions respectively. The arrangement is such that application of a positive voltage level at the first doping gate 2a, and a negative voltage level at the second doping gate 2b, produces a TFET with an n-type first contact region and a p-type second contact region, and reversing the voltage levels at the doping gates produces a TFET with a p-type first contact region and an n-type second contact region, whereby the device is adapted for dynamically-reconfigurable bidirectional operation by electrostatic doping. Such TFET devices may be used to implement pass gates such as the access transistors in SRAM cells.

公开(公告)号：AU2021267918B2

公开(公告)日：2024-05-02

申请号：AU2021267918

申请日：2021-04-20

Applicant: IBM

Inventor： TRIVINO NOELIA VICO ,  MOSELUND KIRSTEN EMILIE ,  SCHERRER MARKUS

IPC: H01L33/00

Abstract: A method for fabricating a semiconductor structure. The method comprises fabricating a photonic crystal structure (113) of a first material, in particular a first semiconductor material and selectively removing the first material within a predefined part of the photonic crystal structure (113). The method further comprises replacing the first material within the predefined part of the photonic crystal structure (113) with one or more second materials by selective epitaxy. The one or more second materials may be in particular semiconductor materials. A device is obtained by such a method.

公开(公告)号：DE112021001428T5

公开(公告)日：2023-01-12

申请号：DE112021001428

申请日：2021-04-20

Applicant: IBM

Inventor： TRIVINO NOELIA VICO ,  MOSELUND KIRSTEN EMILIE ,  SCHERRER MARKUS

IPC: H01L33/04 ,  H01L33/08 ,  H01S5/32 ,  H01S5/34

Abstract: Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterstruktur. Das Verfahren weist Herstellen einer photonischen Kristallstruktur (113) aus einem ersten Material, insbesondere einem ersten Halbleitermaterial, und selektives Entfernen des ersten Materials innerhalb eines vorgegebenen Teils der photonischen Kristallstruktur (113) auf. Das Verfahren weist ferner Ersetzen des ersten Materials innerhalb des vorgegebenen Teils der photonischen Kristallstruktur (113) durch ein zweites Material oder mehrere zweite Materialien durch selektive Epitaxie auf. Das eine zweite Material oder die mehreren zweiten Materialien kann bzw. können insbesondere Halbleitermaterialien sein. Durch das Verfahren wird eine Einheit erhalten.

公开(公告)号：GB2506558B

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：GB201400564

申请日：2012-06-19

Applicant: IBM

Inventor： MOSELUND KIRSTEN EMILIE ,  STANLEY-MARBELL PHILLIP ,  DOERING ANDREAS CHRISTIAN ,  BJOERK MIKAEL T

IPC: H01L29/739

Abstract: A tunnel field-effect transistor including at least: a source region including a corresponding source semiconductor material; a drain region including a corresponding drain semiconductor material, and a channel region including a corresponding channel semiconductor material, which is arranged between the source region and the drain region. The tunnel field-effect transistor further includes at least: a source-channel gate electrode provided on an interface between the source region and the channel region; an insulator corresponding to the source-channel gate electrode that is provided between the source-channel gate electrode and the interface between the source region and the channel region; a drain-channel gate electrode provided on an interface between the drain region and the channel region; and an insulator corresponding to the drain-channel gate electrode that is provided between the drain-channel gate electrode and the interface between the drain region and the channel region.

公开(公告)号：DE112014004901T5

公开(公告)日：2016-07-28

申请号：DE112014004901

申请日：2014-12-08

Applicant: IBM

Inventor： RIEL HEIKE E ,  SCHMID HEINZ ,  BORG MATTIAS BENGT ,  MOSELUND KIRSTEN EMILIE

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/762

Abstract: Es werden Verfahren für ein Herstellen von Halbleiter-Nanodrähten 12, 40, 41, 45, 57 auf einem Substrat 1, 20, 50 bereitgestellt. Auf dem Substrat wird ein Nanodraht-Templat 3, 6; 22, 24; 31, 32 gebildet. Das Nanodraht-Templat definiert einen langgestreckten Tunnel 8, 26, 33, der sich lateral über dem Substrat zwischen einer Öffnung 7, 25 in dem Templat und einer Kristallkeim-Oberfläche 10, 27, 34 erstreckt. Die Kristallkeim-Oberfläche 10, 27, 34 ist zu dem Tunnel hin freigelegt und weist eine Fläche von bis zu etwa 2 × 104 nm2 auf. Der Halbleiter-Nanodraht wird über die Öffnung selektiv von der Kristallkeim-Oberfläche aus in dem Templat aufgewachsen. Die Fläche der Kristallkeim-Oberfläche 10, 27, 34 ist bevorzugt derart, dass sich das Aufwachsen des Nanodrahts von einem einzigen Nukleationspunkt auf der Kristallkeim-Oberfläche aus fortsetzt.

公开(公告)号：DE112012003083T5

公开(公告)日：2014-07-17

申请号：DE112012003083

申请日：2012-06-19

Applicant: IBM

Inventor： MOSELUND KIRSTEN EMILIE ,  STANLEY-MARBELL PHILLIP ,  BJOERK MIKAEL T ,  DOERING ANDREAS CHRISTIAN

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/423

Abstract: Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen Tunnel-Feldeffekttransistor (1), der Folgendes aufweist: mindestens einen Source-Bereich (2), der ein entsprechendes Source-Halbleitermaterial aufweist; mindestens einen Drain-Bereich (3), der ein entsprechendes Drain-Halbleitermaterial aufweist, und mindestens einen Kanalbereich (4), der ein entsprechendes Kanalhalbleitermaterial aufweist, das zwischen dem Source-Bereich (2) und dem Drain-Bereich (3) angeordnet ist, wobei der Tunnel-Feldeffekttransistor (1) weiterhin aufweist: mindestens eine Source-Kanal-Gate-Elektrode (5), die auf mindestens einer Grenzfläche (5') zwischen dem Source-Bereich (2) und dem Kanalbereich (4) bereitgestellt wird; mindestens einen Isolator (5''), der der Source-Kanal-Gate-Elektrode (5) entspricht und der zwischen der Source-Kanal-Gate-Elektrode (5) und mindestens der Grenzfläche (5') zwischen dem Source-Bereich (2) und dem Kanalbereich (4) bereitgestellt wird, mindestens eine Drain-Kanal-Gate-Elektrode (6), die auf mindestens einer Grenzfläche (6') zwischen dem Drain-Bereich (3) und dem Kanalbereich (4) bereitgestellt wird und mindestens einen Isolator (6''), der der Drain-Kanal-Gate-Elektrode (6) entspricht und der zwischen der Drain-Kanal-Gate-Elektrode (6) und mindestens der Grenzfläche (6') zwischen dem Drain-Bereich (3) und dem Kanalbereich (4) bereitgestellt wird.

公开(公告)号：GB2506558A

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：GB201400564

申请日：2012-06-19

Applicant: IBM

Inventor： MOSELUND KIRSTEN EMILIE ,  STANLEY-MARBELL PHILLIP ,  DOERING ANDREAS CHRISTIAN ,  BJOERK MIKAEL T

IPC: H01L29/739

Abstract: The present invention relates to a tunnel field-effect transistor (1) comprising: at least a source region (2) comprising a corresponding source semiconductor material; at least a drain region (3) comprising a corresponding drain semiconductor material, and at least a channel region (4) comprising a corresponding channel semiconductor material, which is arranged between the source region (2) and the drain region(3), the tunnel field-effect transistor (1)further comprising: at least a source-channel gate electrode (5) provided on at least an interface (5') between the source region (2) and the channel region (4); at least an insulator (5") corresponding to the source-channel gate electrode (5) that is provided between the source-channel gate electrode (5) and at least the interface (5') between the source region (2) and the channel region (4), at least a drain-channel gate electrode (6) provided on at least an interface(6') between the drain region (3) and the channel region(4), and at least an insulator(6") corresponding to the drain-channel gate electrode (6) that is provided between the drain-channel gate electrode (6) and at least the interface (6) between the drain region (3) and the channel region(4).