公开(公告)号：DE102016105520B4

公开(公告)日：2019-09-05

申请号：DE102016105520

申请日：2016-03-24

Applicant: IBM

Inventor： S BASKER VEERARAGHAVAN ,  LIU ZUOGUANG ,  YAMASHITA TENKO ,  YEH CHUN-CHEN

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/8238

Abstract: Verfahren (300) für einen zweifachen epitaxialen Prozess in einer FinFET-Einheit (200), wobei das Verfahren (300) aufweist:Anordnen (305) einer ersten Abstandshalterschicht (18) auf einem Substrat (10), auf einem Dummy-Gate (14) sowie auf einer Hartmaske (16), wobei sich ein erstes Gebiet von einem Ort auf dem Dummy-Gate (14) aus in einer ersten Richtung erstreckt und sich ein zweites Gebiet von dem Ort auf dem Dummy-Gate (14) aus in einer zweiten Richtung erstreckt, wobei die erste Richtung entgegengesetzt zu der zweiten Richtung ist;Anordnen (310) einer zwischenliegenden Abstandshalterschicht (205) oben auf der ersten Abstandshalterschicht (18), wobei die zwischenliegende Abstandshalterschicht (205) einen Dotierstoff (28) beinhaltet;Öffnen (315) eines ersten Bereichs (250) auf dem Substrat (10), indem die erste Abstandshalterschicht (18) und die zwischenliegende Abstandshalterschicht (205) bei dem ersten Bereich (250) entfernt werden;Anordnen (320) einer ersten epitaxialen Schicht in dem ersten Bereich (250) auf dem Substrat (10);Entfernen (325) der zwischenliegenden Abstandshalterschicht (205) von dem ersten Gebiet;Anordnen (330) einer zweiten Abstandshalterschicht (38) auf der zwischenliegenden Abstandshalterschicht (205);Öffnen (335) eines zweiten Bereichs (260) auf dem Substrat (10), indem die erste Abstandshalterschicht (18), die zwischenliegende Abstandshalterschicht (205) sowie die zweite Abstandshalterschicht (38) an dem zweiten Bereich (260) auf dem Substrat (10) entfernt werden;Anordnen (340) einer zweiten epitaxialen Schicht in dem zweiten Bereich (260) auf dem Substrat (10), wobei sich der erste Bereich (250) und der zweite Bereich (260) auf entgegengesetzten Seiten des Dummy-Gates (14) befinden; undVergrößern (345) einer Breite der zweiten epitaxialen Schicht mittels eines Tempervorgangs, um zu bewirken, dass der Dotierstoff (28) in der zwischenliegenden Abstandshalterschicht (205) in die zweite epitaxiale Schicht hinein strömt.

公开(公告)号：DE112013004911T5

公开(公告)日：2015-06-25

申请号：DE112013004911

申请日：2013-08-15

Applicant: IBM

Inventor： CHENG KANGGUO ,  DORIS BRUCE B ,  KHAKI-FIROOZ ALI ,  RIM KERN ,  S BASKER VEERARAGHAVAN

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: Es werden Verfahren und Strukturen zum Bilden eines lokalisierten Silicium-auf-Isolator(SOI)-FinFET (104) offenbart. Auf einem massiven Substrat (102) werden Finnen gebildet. Nitrid-Abstandhalter (208) schützen die Finnenseitenwände. Über den Finnen wird eine flache Grabenisolierungszone (412) abgeschieden. Ein Oxidationsverfahren bewirkt, dass Sauerstoff durch die flache Grabenisolierungszone (412) und in das darunter liegende Silicium diffundiert. Der Sauerstoff reagiert mit dem Silicium, um Oxid zu bilden, welches eine elektrische Isolation für die Finnen bereitstellt. Die flache Grabenisolierungszone steht in direktem physischen Kontakt mit den Finnen und/oder den Nitrid-Abstandhaltern, die auf den Finnen angeordnet sind.

公开(公告)号：DE102016105520A1

公开(公告)日：2016-09-29

申请号：DE102016105520

申请日：2016-03-24

Applicant: IBM

Inventor： S BASKER VEERARAGHAVAN ,  LIU ZUOGUANG ,  YAMASHITA TENKO ,  YEH CHUN-CHEN

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336

Abstract: Eine Technik bezieht sich auf einen zweifachen epitaxialen Prozess einer Einheit. Ein erster Abstandshalter wird auf einem Substrat, einem Dummy-Gate sowie einer Hartmaske angeordnet. Ein erstes Gebiet erstreckt sich von dem Gate aus in einer ersten Richtung, und ein zweites Gebiet erstreckt sich in einer entgegengesetzten Richtung. Auf dem ersten Abstandshalter wird ein dotierter zwischenliegender Abstandshalter angeordnet. Auf dem Substrat wird ein erster Bereich geöffnet, indem der erste Abstandshalter und der zwischenliegende Abstandshalter bei dem ersten Bereich entfernt werden. In dem ersten Bereich wird eine erste epitaxiale Schicht angeordnet. Der zwischenliegende Abstandshalter wird von dem ersten Gebiet entfernt. Auf dem zwischenliegenden Abstandshalter wird ein zweiter Abstandshalter angeordnet. Auf dem Substrat wird ein zweiter Bereich geöffnet, indem der erste Abstandshalter, der zwischenliegende Abstandshalter sowie der zweite Abstandshalter entfernt werden. In dem zweiten Bereich wird eine zweite epitaxiale Schicht angeordnet. Die Breite der zweiten epitaxialen Schicht wird mittels eines Tempervorgangs vergrößert, der bewirkt, dass der Dotierstoff in der zwischenliegenden Abstandshalterschicht in die zweite epitaxiale Schicht hinein strömt.