公开(公告)号：DE112020003824T5

公开(公告)日：2022-04-28

申请号：DE112020003824

申请日：2020-09-22

Applicant: IBM

Inventor： REZNICEK ALEXANDER ,  SIL DEVIKA ,  GLUSCHENKOV OLEG ,  SULEHRIA YASIR

IPC: H01L27/22 ,  H01L21/425 ,  H01L43/08

Abstract: Ein gehärtetes Lückenfüller-Dielektrikumsmaterial, welches verbesserte chemische und physikalische Eigenschaften aufweist, ist seitlich benachbart zu einer mehrschichtigen Säule eines magnetischen Tunnelübergangs (MTJ) und einer oberen Elektrodenstruktur einer Speicherstruktur ausgebildet. Das gehärtete Lückenfüller-Dielektrikumsmaterial kann durch Einführen eines bindungsspaltenden Zusatzstoffs in eine unbearbeitete Lückenfüller-Dielektrikumsmaterialschicht durch Ionenimplantation und anschließendes Härten der Lückenfüller-Dielektrikumsmaterialschicht gebildet werden, welche den bindungsspaltenden Zusatzstoff enthält. Das Härten umfasst UV-Härten allein oder UV-Härten in Kombination mit Laser-Tempern. Das Härten, das in der vorliegenden Anmeldung eingesetzt wird, beeinflusst die MTJ-Säule oder die obere Elektrodenstruktur nicht negativ.

公开(公告)号：DE112019005372T5

公开(公告)日：2021-07-15

申请号：DE112019005372

申请日：2019-12-12

Applicant: IBM

Inventor： NGUYEN SON ,  BRIGGS BENJAMIN ,  SHOBHA HOSADURGA ,  SIL DEVIKA ,  HAIGH JR THOMAS JASPER ,  CANAPERI DONALD FRANCIS ,  YOU HAN ,  CAO HUY

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/288 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung einer dielektrischen Schicht weist ein Abscheiden eines ersten Ausgangsstoffs auf einem Substrat auf. Der erste Ausgangsstoff weist eine zyklische Carbosiloxan-Gruppe mit einem sechsgliedrigen Ring auf. Das Verfahren weist außerdem ein Abscheiden eines zweiten Ausgangsstoffs auf dem Substrat auf. Der erste Ausgangsstoff und der zweite Ausgangsstoff bilden eine vorläufige Schicht auf dem Substrat, und der zweite Ausgangsstoff weist Silicium, Kohlenstoff und Wasserstoff auf. Das Verfahren weist des Weiteren ein Einwirken einer Energie von einer Energiequelle auf die vorläufige Schicht auf, um eine poröse dielektrische Schicht zu bilden.

公开(公告)号：DE112021000187T5

公开(公告)日：2022-09-29

申请号：DE112021000187

申请日：2021-01-05

Applicant: IBM

Inventor： REZNICEK ALEXANDER ,  GLUSCHENKOV OLEG ,  SULEHRIA YASIR ,  SIL DEVIKA

IPC: H01L27/22 ,  H01L21/428 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52 ,  H01L43/08

Abstract: Bitleitungen aus einem grobkörnigen Metall werden über Säulen mit einem magnetischen Tunnelübergang gebildet, die als MRAM-Bits verwendet werden, ohne die magnetischen Eigenschaften der magnetischen Tunnelübergänge maßgeblich zu beeinflussen. Eine Bitleitung aus Kupfer oder einer Kupfer-Legierung mit vergleichsweise kleinen Körnern wird über den Säulen gebildet. Ein Tempern mit einem Laser wird eingesetzt, um die Bitleitung zu schmelzen. Eine nachfolgende Abkühlung und Rekristallisation resultiert in einer Reduktion der Anzahl von Korngrenzen in der Bitleitung und einer Reduktion des effektiven spezifischen elektrischen Widerstands der Bitleitung. Es können mehrere Schmelz-/Abkühl-Zyklen verwendet werden. In einer resultierenden Struktur sind Körner der Bitleitung zu den Säulen vertikal ausgerichtet.

公开(公告)号：AU2021212356A1

公开(公告)日：2022-06-16

申请号：AU2021212356

申请日：2021-01-05

Applicant: IBM

Inventor： REZNICEK ALEXANDER ,  GLUSCHENKOV OLEG ,  SULEHRIA YASIR ,  SIL DEVIKA

IPC: H01L43/08

Abstract: Large grain metal bitlines are formed above magnetic tunnel junction pillars used as MRAM bits without materially affecting the magnetic properties of the magnetic tunnel junctions. A copper or copper alloy bitline having relatively small grains is formed over the pillars. Laser annealing is employed to melt the bitline. Subsequent cooling and recrystallization results in a reduction of the number of grain boundaries in the bitline and a reduction in bitline effective resistivity. Multiple melt/cool cycles may be used. Bitline grains are vertically aligned with the pillars in a resulting structure.