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    REFERENCE CELLS FOR SPIN TORQUE BASED MEMORY DEVICE
    2.
    发明申请
    REFERENCE CELLS FOR SPIN TORQUE BASED MEMORY DEVICE 审中-公开
    基于旋转扭矩的记忆装置的参考电池

    公开(公告)号：WO2011084905A3

    公开(公告)日：2012-05-03

    申请号：PCT/US2011020009

    申请日：2011-01-03

    Applicant: IBM ,  DEBROSSE JOHN K ,  WORLEDGE DANIEL C

    Inventor： DEBROSSE JOHN K ,  WORLEDGE DANIEL C

    IPC: G06F13/00

    CPC classification number: G06F11/1048 ,  H03M13/13

    Abstract: A method of reading and correcting data within a memory device that includes reading each data bit of a data word using a plurality of reference cells corresponding to each data bit, performing error detection on the read data bits, and correcting a read data bit when an error is detected using error correction code (ECC) and writing each corresponding reference cells to an original memory state thereof.

    Abstract translation: 一种读取和校正存储器件内的数据的方法，包括使用对应于每个数据位的多个参考单元读取数据字的每个数据位，对读取的数据位执行错误检测，以及当读取的数据位在 使用纠错码（ECC）检测错误，并将每个对应的参考单元写入其原始存储器状态。

    MAGNONIC MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE
    3.
    发明申请
    MAGNONIC MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE 审中-公开

    公开(公告)号：WO2012151007A3

    公开(公告)日：2014-04-10

    申请号：PCT/US2012029881

    申请日：2012-03-21

    Applicant: IBM ,  ABRAHAM DAVID W ,  MOJUMDER NILADRI N ,  WORLEDGE DANIEL C

    Inventor： ABRAHAM DAVID W ,  MOJUMDER NILADRI N ,  WORLEDGE DANIEL C

    IPC: G11C11/00

    CPC classification number: G11C11/161 ,  G11C11/1675

    Abstract: A mechanism is provided for bidirectional writing. A structure includes a reference layer on top of a tunnel barrier, a free layer underneath the tunnel barrier, a metal spacer underneath the free layer, an insulating magnet underneath the metal spacer, and a high resistance layer underneath the insulating layer. The high resistance layer acts as a heater in which the heater heats the insulating magnet to generate spin polarized electrons. A magnetization of the free layer is destabilized by the spin polarized electrons generated from the insulating magnet. A voltage is applied to change the magnetization of the free layer when the magnetization is destabilized. A polarity of the voltage determines when the magnetization of the free layer is parallel and antiparallel to a magnetization of the reference layer.

    Abstract translation: 提供了双向写入的机制。 结构包括在隧道势垒顶部的参考层，隧道势垒下的自由层，自由层下的金属隔离物，金属间隔物下方的绝缘磁体，以及绝缘层下方的高电阻层。 高电阻层用作加热器，其中加热器加热绝缘磁体以产生自旋极化电子。 自由层的磁化由绝缘磁体产生的自旋极化电子不稳定。 当磁化不稳定时，施加电压以改变自由层的磁化。 电压的极性决定了自由层的磁化何时平行并与参考层的磁化反平行。

    Nichtflüchtiger Magnettunnelübergang-Transistor
    4.
    发明专利
    Nichtflüchtiger Magnettunnelübergang-Transistor 未知

    公开(公告)号：DE112011103750T5

    公开(公告)日：2013-09-26

    申请号：DE112011103750

    申请日：2011-08-18

    Applicant: IBM

    Inventor： WORLEDGE DANIEL C

    IPC: G11C11/14

    Abstract: Eine beispielhafte Ausführungsform ist eine Vorrichtung zum Steuern einer magnetischen Richtung einer magnetischen freien Schicht. Die Vorrichtung weist eine Schreibeinheit mit einer ersten magnetischen Schreibschicht und einer zweiten magnetischen Schreibschicht auf. Das Anlegen einer Schreibspannung über eine erste und zweite magnetische Schreibschicht bewirkt, dass eine magnetische Anisotropie einer der magnetischen Schreibschichten von parallel zu der Ebene der magnetischen Schreibschichten auf orthogonal zu der Ebene der magnetischen Schreibschichten geschaltet wird. Die magnetische Schreibschicht mit der magnetischen Anisotropie parallel zu der Ebene der magnetischen Schreibschichten induziert die magnetische Richtung in der magnetischen freien Schicht.

    Referenzzellen für Spin-Drehmoment-basierte Speichereinheit
    5.
    发明专利
    Referenzzellen für Spin-Drehmoment-basierte Speichereinheit 未知

    公开(公告)号：DE112011100214T5

    公开(公告)日：2013-06-06

    申请号：DE112011100214

    申请日：2011-01-03

    Applicant: IBM

    Inventor： WORLEDGE DANIEL C ,  DEBROSSE JOHN K

    IPC: G06F12/16 ,  G06F13/00

    Abstract: Verfahren zum Lesen und Korrigieren von Daten in einer Speichereinheit, das das Lesen jedes Datenbits eines Datenwortes unter Verwendung einer Mehrzahl von jedem Datenbit entsprechenden Bezugszellen, das Durchführen einer Fehlererkennung an den gelesenen Datenbits und, wenn ein Fehler erkannt wird, das Korrigieren eines gelesenen Datenbits unter Verwendung eines Fehlerkorrekturcodes (ECC) und das Beschreiben jeder entsprechenden Bezugszelle mit ihrem ursprünglichen Speicherzustand umfasst.

    Magnonische magnetische Speichereinheit mit wahlfreiem Zugriff
    6.
    发明专利
    Magnonische magnetische Speichereinheit mit wahlfreiem Zugriff 未知

    公开(公告)号：DE112012001962B4

    公开(公告)日：2015-05-21

    申请号：DE112012001962

    申请日：2012-03-21

    Applicant: IBM

    Inventor： ABRAHAM DAVID W ,  MOJUMDER NILADRI N ,  WORLEDGE DANIEL C

    IPC: G11C11/14 ,  G11C11/16

    Abstract: Verfahren für ein bidirektionales Beschreiben einer magnetischen Speichereinheit mit wahlfreiem Zugriff (MRAM-Einheit), die eine Referenzschicht, eine Tunnelbarriere angrenzend an die Referenzschicht, eine freie Schicht angrenzend an die Tunnelbarriere, einen Metallabstandshalter angrenzend an die freie Schicht, einen isolierenden Magneten angrenzend an den Metallabstandshalter und eine Metallerwärmungsvorrichtung angrenzend an den isolierenden Magneten aufweist, wobei das Verfahren aufweist: Bewirken, dass der isolierende Magnet in Reaktion auf einen thermischen Gradienten spin-polarisierte Elektronen erzeugt; Initiieren einer Destabilisierung einer Magnetisierung der freien Schicht durch die von dem isolierenden Magneten erzeugten spin-polarisierten Elektronen; und Anlegen einer Spannung an die MRAM-Einheit nach dem Initiieren der Destabilisierung, um die Magnetisierung der freien Schicht zu wählen; wobei eine Polarität der Spannung bestimmt, ob die Magnetisierung der freien Schicht parallel oder antiparallel zu einer Magnetisierung der Referenzschicht ist.

    Magnonic magnetic random access memory device
    7.
    发明专利
    Magnonic magnetic random access memory device 未知

    公开(公告)号：GB2504435A

    公开(公告)日：2014-01-29

    申请号：GB201320115

    申请日：2012-03-21

    Applicant: IBM

    Inventor： ABRAHAM DAVID W ,  MOJUMDER NILADRI N ,  WORLEDGE DANIEL C

    IPC: G11C11/16 ,  G11C11/14

    Abstract: A mechanism is provided for bidirectional writing. A structure includes a reference layer on top of a tunnel barrier, a free layer underneath the tunnel barrier, a metal spacer underneath the free layer, an insulating magnet underneath the metal spacer, and a high resistance layer underneath the insulating layer. The high resistance layer acts as a heater in which the heater heats the insulating magnet to generate spin polarized electrons. A magnetization of the free layer is destabilized by the spin polarized electrons generated from the insulating magnet. A voltage is applied to change the magnetization of the free layer when the magnetization is destabilized. A polarity of the voltage determines when the magnetization of the free layer is parallel and antiparallel to a magnetization of the reference layer.

    Magnetische Stapel mit senkrechter magnetischer Anisotropie für einen magnetoresistiven Spin-Impuls-Transfer-Direktzugriffsspeicher
    9.
    发明专利
    Magnetische Stapel mit senkrechter magnetischer Anisotropie für einen magnetoresistiven Spin-Impuls-Transfer-Direktzugriffsspeicher 未知

    公开(公告)号：DE112012000741B4

    公开(公告)日：2018-05-30

    申请号：DE112012000741

    申请日：2012-03-15

    Applicant: IBM

    Inventor： HU GUOHAN ,  NOWAK JANUSZ J ,  TROILLOUD PHILIP L ,  WORLEDGE DANIEL C

    IPC: G11C11/16 ,  H01L43/08

    Abstract: Magnettunnelübergang (MTJ) für einen magnetischen Direktzugriffsspeicher (MRAM), aufweisend:eine magnetische freie Schicht (102; 206; 302; 408; 502; 608; 702; 806), welche eine veränderliche Magnetisierungsrichtung aufweist;eine isolierende Tunnelbarriere(103; 205; 303; 407; 503; 607; 703; 805), welche an die freie Schicht angrenzt;einer zusammengesetzten festgelegten Schicht (107; 204; 307; 406; 507; 606; 707; 804), welche eine unveränderliche Magnetisierungsrichtung aufweist, wobei die zusammengesetzte festgelegte Schicht eine Dusting-Schicht (104; 203; 304; 405; 504; 605; 704; 803), eine Abstandhalterschicht (105; 202; 305; 505; 604; 705; 802) und eine Referenzschicht (106; 201; 309; 403; 506; 601; 706; 801) aufweist, wobei sich die Abstandhalterschicht zwischen der Referenzschicht und der Tunnelbarriere befindet, und wobei die Dusting-Schicht an die Abstandhalterschicht und die Tunnelbarriere angrenzt, wobei die Dusting-Schicht und die Referenzschicht durch den Abstandhalterschicht magnetisch miteinander verbunden sind, wobei die freie Schicht und die zusammengesetzte festgelegte Schicht senkrechte magnetische Anisotropie aufweisen; undeines oder mehreres aus:einer synthetischen antiferromagnetischen (SAF) festgelegten Schichtstruktur, wobei die SAF festgelegte Schichtstruktur einen SAF-Abstandhalter aufweist (308; 402; 508; 602), der sich zwischen der zusammengesetzten festgelegten Schicht und einer festgelegten magnetischen Schicht (309; 401; 509; 601) befindet, wobei die zusammengesetzten festgelegte Schicht und die festgelegte magnetische Schicht durch den SAF-Abstandhalter antiparallel verbunden sind; undeiner Dipolschicht (510; 609; 708; 807), wobei sich die freie Schicht zwischen der Dipolschicht und der Tunnelbarriere befindet.

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