公开(公告)号：DE102014114670A1

公开(公告)日：2015-04-09

申请号：DE102014114670

申请日：2014-10-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BACHER ERWIN ,  HOLZMÜLLER JÜRGEN ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SCHWEINBOECK THOMAS ,  WITTBORN JESPER ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/266 ,  H01L27/28 ,  H01L29/06

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung umfasst ein Halbleitersubstrat. Das Halbleitersubstrat umfasst eine Vielzahl von ersten Dotierregionen einer ersten Dotierstruktur, die an einer Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats angeordnet ist und eine Vielzahl von zweiten Dotierregionen der ersten Dotierstruktur, die an der Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats angeordnet ist. Die ersten Dotierregionen der Vielzahl von ersten Dotierregionen der ersten Dotierstruktur umfassen Dotierstoffe eines ersten Leitfähigkeitstyps mit unterschiedlichen Dotierkonzentrationen. Ferner umfassen die zweiten Dotierregionen der Vielzahl von zweiten Dotierregionen der ersten Dotierstruktur Dotierstoffe eines zweiten Leitfähigkeitstyps mit unterschiedlichen Dotierkonzentrationen. Zumindest eine Dotierregion der Vielzahl von ersten Dotierregionen der ersten Dotierstruktur überlagert teilweise zumindest eine zweite Dotierregion der Vielzahl von zweiten Dotierregionen der ersten Dotierstruktur, was zu einer Überlagerungsregion, die an der Hauptoberfläche angeordnet ist, führt.

公开(公告)号：DE102013108585B4

公开(公告)日：2021-09-02

申请号：DE102013108585

申请日：2013-08-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： NELLE PETER ,  SCHMALZBAUER UWE ,  HOLZMÜLLER JÜRGEN ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L23/29 ,  H01L21/31 ,  H01L29/40

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (500), die aufweist:einen Hauptkörper (100), der einen einkristallinen Halbleiterkörper (120) aufweist;eine Schichtstruktur (200), die direkt an einen zentralen Bereich (610) einer flachen Hauptoberfläche (101) des Hauptkörpers (100) angrenzt und eine harte dielektrische Schicht aufweist, die ein erstes dielektrisches Material mit einem Young-Modul von mehr als 10 GPa aufweist, wobei die Schichtstruktur (200) in einem Randbereich (690) zwischen dem zentralen Bereich (610) und einem äußeren Rand (103) des Hauptkörpers (100) fehlt, undeine dielektrische Entspannungsschicht (300), die gegenüber dem Hauptkörper (100) direkt an die Schichtstruktur (200) angrenzt, sich bis über einen äußeren Rand (203) der Schichtstruktur (200) hinaus erstreckt und zumindest in einem inneren Randbereich (691), der direkt an den zentralen Bereich (610) der flachen Hauptoberfläche (101) angrenzt, die flache Hauptoberfläche (101) bedeckt.