公开(公告)号：WO0135466A3

公开(公告)日：2001-11-22

申请号：PCT/EP0011090

申请日：2000-11-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  HIRLER FRANZ ,  STECHER MATTHIAS ,  NELLE PETER ,  VIETZKE DIRK

Inventor： HIRLER FRANZ ,  STECHER MATTHIAS ,  NELLE PETER ,  VIETZKE DIRK

IPC: H01L21/205 ,  H01L29/161 ,  H01L29/167 ,  H01L29/78 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L29/161 ,  H01L29/167

Abstract: In order to prevent misfit caused by the high level of doping, the semiconductor substrate (1) of a field effect transistor, which comprises a body zone (3), is additionally doped with germanium or with carbon that serve to compensate for the misfit.

Abstract translation: 为了避免由于高掺杂失配，在半导体基板（1），其具有主体区（3）的场效应晶体管，另外掺杂有锗或碳作为补偿。

公开(公告)号：DE10014659C2

公开(公告)日：2002-08-01

申请号：DE10014659

申请日：2000-03-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： VIETZKE DIRK ,  STECHER MATTHIAS ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  PERI HERMANN ,  NELLE PETER ,  PLOSS REINHARD ,  KANERT WERNER

IPC: H01L21/762 ,  H01L27/088 ,  H01L29/32 ,  H01L29/78 ,  H01L27/08 ,  H01L23/58 ,  H01L29/06

公开(公告)号：DE102012018611B3

公开(公告)日：2013-10-24

申请号：DE102012018611

申请日：2012-09-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BRASE GABRIELA ,  NELLE PETER ,  SCHINDLER GUENTHER ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/76 ,  H01L29/78

Abstract: Die Beschreibung bezieht sich auf Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper, einer Isolation an dem Halbleiterkörper und einem Zellenfeld, welches zumindest teilweise in dem Halbeleiterkörper angeordnet ist. Das Zellenfeld weist zumindest einen p-n Übergang und zumindest eine Kontaktierung auf. Die Isolation ist in lateraler Richtung des Halbleiterkörpers von einer umlaufenden Diffusionsbarriere begrenzt. Die Diffusionsbarriere umfasst einen Graben, welcher die Isolation durchschneidet und in den Zellenbereich der Isolation und eine Randisolation teilt.

公开(公告)号：DE102004036140A1

公开(公告)日：2006-03-23

申请号：DE102004036140

申请日：2004-07-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： NELLE PETER ,  HOFMANN RENATE ,  BUSCH JOERG ,  EDTMAIR ALFRED ,  SCHNEEGANS MANFRED ,  STECHER MATTHIAS

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/28 ,  H01L23/52

公开(公告)号：DE102004024644A1

公开(公告)日：2005-12-22

申请号：DE102004024644

申请日：2004-05-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： STECHER MATTHIAS ,  SCHETLICK WERNER ,  NELLE PETER

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/482 ,  H01L23/485

Abstract: A substrate (1) is prepared with conductive sections (13) and dielectric (11). A low-resistance ductile layer (3) is provided over the first sections (11) of the substrate surface (10). Its ductility exceeds that of the material of the metallic structure (6). The metallic structure is provided over sections of the ductile layer (3) so that shear forces acting on the metallic structure result in mechanical and thermo-mechanical stresses between the metallic structure and the substrate. These stresses are reduced by plastic deformation of the ductile layer. An independent claim is included for the corresponding semiconductor component.

公开(公告)号：DE19953333A1

公开(公告)日：2001-05-31

申请号：DE19953333

申请日：1999-11-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： NELLE PETER ,  SCHAEFER HERBERT ,  VIETZKE DIRK ,  STECHER MATTHIAS ,  BAUMGARTL JOHANNES ,  PERI HERMANN

IPC: H01L21/74 ,  H01L21/761 ,  H01L29/06 ,  H01L21/76

Abstract: Arrangement for realizing a trenched layer (2, 2') with a dopant comprises a counter compensation material inserted into the trenched layer, the material compensating for lattice mismatches. Preferred Features: The dopant is boron or phosphorus and germanium is the counter compensation material, or the dopant is arsenic or antimony and carbon is the counter compensation material.

公开(公告)号：DE102013108585B4

公开(公告)日：2021-09-02

申请号：DE102013108585

申请日：2013-08-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： NELLE PETER ,  SCHMALZBAUER UWE ,  HOLZMÜLLER JÜRGEN ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L23/29 ,  H01L21/31 ,  H01L29/40

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (500), die aufweist:einen Hauptkörper (100), der einen einkristallinen Halbleiterkörper (120) aufweist;eine Schichtstruktur (200), die direkt an einen zentralen Bereich (610) einer flachen Hauptoberfläche (101) des Hauptkörpers (100) angrenzt und eine harte dielektrische Schicht aufweist, die ein erstes dielektrisches Material mit einem Young-Modul von mehr als 10 GPa aufweist, wobei die Schichtstruktur (200) in einem Randbereich (690) zwischen dem zentralen Bereich (610) und einem äußeren Rand (103) des Hauptkörpers (100) fehlt, undeine dielektrische Entspannungsschicht (300), die gegenüber dem Hauptkörper (100) direkt an die Schichtstruktur (200) angrenzt, sich bis über einen äußeren Rand (203) der Schichtstruktur (200) hinaus erstreckt und zumindest in einem inneren Randbereich (691), der direkt an den zentralen Bereich (610) der flachen Hauptoberfläche (101) angrenzt, die flache Hauptoberfläche (101) bedeckt.

公开(公告)号：DE10014659A1

公开(公告)日：2001-10-11

申请号：DE10014659

申请日：2000-03-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： VIETZKE DIRK ,  STECHER MATTHIAS ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  PERI HERMANN ,  NELLE PETER ,  PLOSS REINHARD ,  KANERT WERNER

IPC: H01L21/762 ,  H01L27/088 ,  H01L29/32 ,  H01L29/78 ,  H01L27/08 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06

Abstract: The semiconducting circuit arrangement has a substrate (10) of a first conductor type (p) and a component region (20) on the front side of the substrate with a number of insulated troughs (25,26,28) of a second conductor type (n). At least one power component in the component region has a load connection (25) of the second conductor type for connecting a load. The substrate has a recombination zone (RZ) for the recombination of minority carriers injected into the substrate from the load connection.

公开(公告)号：DE19958151A1

公开(公告)日：2001-06-13

申请号：DE19958151

申请日：1999-12-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： NELLE PETER ,  FISCHER HERMANN ,  WERNER WOLFGANG ,  SCHAEFER HERBERT

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: Lateral high voltage semiconductor element comprises a semiconductor substrate (1) of first conductivity with a semiconductor layer (2) of second conductivity having an active zone (3). Semiconductor regions (11, 12) of first and second conductivity are provided on the semiconductor layer by selective multiple epitaxy. An Independent claim is also included for a process for the production of a lateral high voltage semiconductor element, comprising back-etching an insulating layer provided on the edges of the semiconductor regions (11, 12) after selective multiple epitaxy and then carrying out further selective epitaxy to form a connecting layer. Preferred Features: The semiconductor regions have a thickness of 1-100 nm, especially 50 nm.

公开(公告)号：DE19953883A1

公开(公告)日：2001-05-23

申请号：DE19953883

申请日：1999-11-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： NELLE PETER ,  STECHER MATTHIAS ,  HIRLER FRANZ ,  VIETZKE DIRK

IPC: H01L21/205 ,  H01L29/161 ,  H01L29/167 ,  H01L29/78

Abstract: The invention relates to a system for reducing the closing resistance of p-channel or n-channel field effect transistors by highly doping the semiconductor substrate (1). In order to prevent misfit caused by the high level of doping, the semiconductor substrate (1) is additionally doped with germanium or with carbon that serve to compensate for the misfit.