公开(公告)号：DE102014114683B4

公开(公告)日：2016-08-04

申请号：DE102014114683

申请日：2014-10-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ÖFNER HELMUT ,  CASPARY NICO ,  MOMENI MOHAMMAD ,  PLOSS REINHARD ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L21/223 ,  H01L21/58

Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung eines Substrat-Wafers (100) umfasst: Vorsehen eines Bauelement-Wafers (110) mit einer ersten Seite (111) und einer zweiten Seite (112); Unterziehen des Bauelement-Wafers (110) einem ersten Hochtemperaturprozess zum Reduzieren des Sauerstoffgehalts des Bauelement-Wafers (110) wenigstens in einem Gebiet (112a) auf der zweiten Seite (112); Bonden der zweiten Seite (112) des Bauelement-Wafers (110) an eine erste Seite (121) eines Träger-Wafers (120), um einen Substrat-Wafer (100) zu bilden; Bearbeiten der ersten Seite (101) des Substrat-Wafers (100), um die Dicke des Bauelement-Wafers (110) zu reduzieren; Unterziehen des Substrat-Wafers (100) einem zweiten Hochtemperaturprozess zum Reduzieren des Sauerstoffgehalts wenigstens des Bauelement-Wafers (110); und wenigstens teilweises Integrieren wenigstens einer Halbleiterkomponente (140) in den Bauelement-Wafer (110) nach dem zweiten Hochtemperaturprozess.

公开(公告)号：DE102014114683A1

公开(公告)日：2016-05-19

申请号：DE102014114683

申请日：2014-10-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ÖFNER HELMUT ,  CASPARY NICO ,  MOMENI MOHAMMAD ,  PLOSS REINHARD ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L21/223 ,  H01L21/02 ,  H01L21/477 ,  H01L21/58

Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung eines Substrat-Wafers (100) umfasst: Vorsehen eines Bauelement-Wafers (110) mit einer ersten Seite (111) und einer zweiten Seite (112); Unterziehen des Bauelement-Wafers (110) einem ersten Hochtemperaturprozess zum Reduzieren des Sauerstoffgehalts des Bauelement-Wafers (110) wenigstens in einem Gebiet (112a) auf der zweiten Seite (112); Bonden der zweiten Seite (112) des Bauelement-Wafers (110) an eine erste Seite (121) eines Träger-Wafers (120), um einen Substrat-Wafer (100) zu bilden; Bearbeiten der ersten Seite (101) des Substrat-Wafers (100), um die Dicke des Bauelement-Wafers (110) zu reduzieren; Unterziehen des Substrat-Wafers (100) einem zweiten Hochtemperaturprozess zum Reduzieren des Sauerstoffgehalts wenigstens des Bauelement-Wafers (110); und wenigstens teilweises Integrieren wenigstens einer Halbleiterkomponente (140) in den Bauelement-Wafer (110) nach dem zweiten Hochtemperaturprozess.