公开(公告)号：DE102014107590B3

公开(公告)日：2015-10-01

申请号：DE102014107590

申请日：2014-05-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： CASPARY NICO ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L21/24 ,  C30B15/00 ,  C30B29/06 ,  H01L29/167 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines Siliziumwafers umfasst ein Ziehen eines n-Typ-Silizium-Ingots über eine Ziehzeitdauer aus einer Siliziumschmelze, die n-Typ-Dotierstoffe umfasst (S100). Das Verfahren umfasst weiterhin ein Beifügen von p-Typ-Dotierstoffen zu der Siliziumschmelze über wenigstens einen Teil der Ziehzeitdauer, um dadurch eine n-Typ-Dotierung in dem n-Typ-Silizium-Ingot um 20% bis 80% zu kompensieren (S110). Das Verfahren umfasst weiterhin ein Scheibenschneiden des Silizium-Ingots (S120).

公开(公告)号：DE102014114683A1

公开(公告)日：2016-05-19

申请号：DE102014114683

申请日：2014-10-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ÖFNER HELMUT ,  CASPARY NICO ,  MOMENI MOHAMMAD ,  PLOSS REINHARD ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L21/223 ,  H01L21/02 ,  H01L21/477 ,  H01L21/58

Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung eines Substrat-Wafers (100) umfasst: Vorsehen eines Bauelement-Wafers (110) mit einer ersten Seite (111) und einer zweiten Seite (112); Unterziehen des Bauelement-Wafers (110) einem ersten Hochtemperaturprozess zum Reduzieren des Sauerstoffgehalts des Bauelement-Wafers (110) wenigstens in einem Gebiet (112a) auf der zweiten Seite (112); Bonden der zweiten Seite (112) des Bauelement-Wafers (110) an eine erste Seite (121) eines Träger-Wafers (120), um einen Substrat-Wafer (100) zu bilden; Bearbeiten der ersten Seite (101) des Substrat-Wafers (100), um die Dicke des Bauelement-Wafers (110) zu reduzieren; Unterziehen des Substrat-Wafers (100) einem zweiten Hochtemperaturprozess zum Reduzieren des Sauerstoffgehalts wenigstens des Bauelement-Wafers (110); und wenigstens teilweises Integrieren wenigstens einer Halbleiterkomponente (140) in den Bauelement-Wafer (110) nach dem zweiten Hochtemperaturprozess.

公开(公告)号：DE102015100393A1

公开(公告)日：2015-07-23

申请号：DE102015100393

申请日：2015-01-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： CASPARY NICO ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: C30B15/04 ,  C30B15/10 ,  C30B29/06 ,  C30B35/00

Abstract: Ein Verfahren eines Czochralski-Wachstums eines Silizium- Ingots (112) umfasst ein Schmelzen einer Mischung eines Siliziummaterials und eines n-Typ-Dotierstoffmaterials in einem Tiegel (105). Der Silizium-Ingot (112) wird aus dem geschmolzenen Silizium über einer Extraktionszeitdauer extrahiert. Bor wird zu dem geschmolzenen Silizium über wenigstens einen Teil der Extraktionszeitdauer beigefügt.

公开(公告)号：DE102015114177A1

公开(公告)日：2017-03-02

申请号：DE102015114177

申请日：2015-08-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： CASPARY NICO ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  ÖFNER HELMUT

IPC: H01L29/167 ,  H01L21/265 ,  H01L29/36 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Eine Ausführungsform einer Halbleitervorrichtung umfasst einen Siliziumhalbleiterkörper, der eine Drift- oder Grundzone einer Netto-n-Typ-Dotierung aufweist. Die n-Typ-Dotierung ist partiell um 10% bis 80% mit p-Typ-Dotierstoffen kompensiert. Eine n-Typ Netto-Dotierstoffkonzentration in der Drift- oder Grundzone liegt in einem Bereich von 1 × 1013 cm–3 bis 1 × 1015 cm–3. Ein Bereich von 5% bis 75% der n-Typ Dotierung besteht aus Wasserstoff-korrelierten Donatoren.

公开(公告)号：DE102014114683B4

公开(公告)日：2016-08-04

申请号：DE102014114683

申请日：2014-10-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ÖFNER HELMUT ,  CASPARY NICO ,  MOMENI MOHAMMAD ,  PLOSS REINHARD ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L21/223 ,  H01L21/58

Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung eines Substrat-Wafers (100) umfasst: Vorsehen eines Bauelement-Wafers (110) mit einer ersten Seite (111) und einer zweiten Seite (112); Unterziehen des Bauelement-Wafers (110) einem ersten Hochtemperaturprozess zum Reduzieren des Sauerstoffgehalts des Bauelement-Wafers (110) wenigstens in einem Gebiet (112a) auf der zweiten Seite (112); Bonden der zweiten Seite (112) des Bauelement-Wafers (110) an eine erste Seite (121) eines Träger-Wafers (120), um einen Substrat-Wafer (100) zu bilden; Bearbeiten der ersten Seite (101) des Substrat-Wafers (100), um die Dicke des Bauelement-Wafers (110) zu reduzieren; Unterziehen des Substrat-Wafers (100) einem zweiten Hochtemperaturprozess zum Reduzieren des Sauerstoffgehalts wenigstens des Bauelement-Wafers (110); und wenigstens teilweises Integrieren wenigstens einer Halbleiterkomponente (140) in den Bauelement-Wafer (110) nach dem zweiten Hochtemperaturprozess.

公开(公告)号：DE102015118925A1

公开(公告)日：2016-05-12

申请号：DE102015118925

申请日：2015-11-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： CASPARY NICO ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: C30B15/04 ,  C30B15/10

Abstract: Ein Verfahren eines Czochralski-Wachstums eines Silizium-Ingots (112) umfasst ein Schmelzen einer Mischung eines Siliziummaterials und eines n-Typ-Dotierstoffmaterials in einem Tiegel (105). Der Silizium-Ingot (112) wird aus dem geschmolzenen Silizium (110) während einer Extraktionszeitdauer extrahiert bzw. gezogen. Der Silizium-Ingot (112) ist mit zusätzlichem n-Typ-Dotierstoffmaterial während wenigstens einer Unterperiode der Extraktionszeitdauer dotiert.