公开(公告)号：DE102013216195A1

公开(公告)日：2015-02-19

申请号：DE102013216195

申请日：2013-08-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PLOSS REINHARD ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  ÖFNER HELMUT

IPC: H01L21/26 ,  H01L29/06

Abstract: Beschrieben wird ein Verfahren zur Behandlung einer Halbleiterscheibe die eine Grunddotierung aufweist. Das Verfahren umfasst das Ermitteln einer Dotierungskonzentration der Grunddotierung und das Anpassen der Grunddotierung der Halbleiterscheibe durch ein Nachdotieren. Das Nachdotieren umfasst wenigstens eines der folgenden Verfahren: – eine Protonenimplantation und einen nachfolgenden Temperaturprozess zur Erzeugung wasserstoffinduzierter Donatoren, – eine Neutronenbestrahlung. Dabei ist wenigstens einer der folgenden Parameter von der ermittelten Dotierungskonzentration der Grunddotierung abhängig: – eine Implantationsdosis der Protonenimplantation, – eine Temperatur des Temperaturprozesses, – eine Bestrahlungsdosis der Neutronenbestrahlung.

公开(公告)号：DE102017121693B4

公开(公告)日：2022-12-08

申请号：DE102017121693

申请日：2017-09-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  ÖFNER HELMUT ,  BAUMGARTL JOHANNES

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/22 ,  H01L21/24 ,  H01L21/266 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/167 ,  H01L29/36

Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, umfassend:i) ein Einbringen einer ersten Dosis erster Dotierstoffe in einen Halbleiterkörper (100) mit einer ersten Oberfläche (101),ii) ein Erhöhen einer Dicke des Halbleiterkörpers (100) durch Ausbilden einer ersten Halbleiterschicht (190) auf der ersten Oberfläche (101) des Halbleiterkörpers (100) und, während die erste Halbleiterschicht (190) ausgebildet wird, überwiegendes Einstellen einer endgültigen Dosis einer Dotierung in der ersten Halbleiterschicht (190), indem zumindest 20 % der ersten Dotierstoffe aus dem Halbleiterkörper (100) in zumindest einen Teil der ersten Halbleiterschicht (190) eingeführt werden;iii) ein Ausbilden, an einer Vorderseite des Halbleiterkörpers (100), von Transistorzellen (TC) oder einer Anodenzone, wobei die Vorderseite durch die erste Oberfläche (101) definiert ist; undiv) ein Ausbilden einer ersten Lastelektrode (310) auf der ersten Oberfläche (101) und Ausbilden einer zweiten Lastelektrode (320) auf einer zweiten Oberfläche (102) des Halbleiterkörpers (100), wobei die zweite Oberfläche (102) der ersten Oberfläche (101) gegenüberliegt.

公开(公告)号：DE102015114361B4

公开(公告)日：2022-10-13

申请号：DE102015114361

申请日：2015-08-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  ÖFNER HELMUT

IPC: H01L21/322 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324

Abstract: Verfahren, das aufweist:Reduzieren einer Sauerstoffkonzentration in einem Siliziumwafer (100) in einem an eine erste Oberfläche (101) des Halbleiterwafers (100) angrenzenden ersten Gebiet (110) durch eine erste Wärmebehandlung;Erzeugen von Leerstellen in einem Kristallgitter des Siliziumwafers (100) wenigstens in einem an das erste Gebiet (110) angrenzenden zweiten Gebiet (120), das von der ersten Oberfläche (101) beabstandet ist, durch Implantieren von Teilchen über die erste Oberfläche (101) in den Siliziumwafer (100);Herstellen von Sauerstoffpräzipitaten in dem zweiten Gebiet (120) durch eine zweite Wärmebehandlung; undHerstellen aktiver Gebiete von Halbleiterbauelementen in dem ersten Gebiet (110).

公开(公告)号：DE102016119111A1

公开(公告)日：2017-04-13

申请号：DE102016119111

申请日：2016-10-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FREUND JOHANNES ,  ÖFNER HELMUT ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L21/302 ,  B23K26/36 ,  B28D5/00 ,  H01L21/265 ,  H01L21/301 ,  H01L21/324 ,  H01L21/66

Abstract: Eine Ausführungsform eines Verfahrens zum Herstellen von Halbleiterwafern umfasst ein Bestimmen zumindest einer Materialeigenschaft für zumindest zwei Positionen eines Halbleiteringots (S100). Eine Notch oder eine Flat wird in einem Halbleiteringot entlang einer axialen Richtung verlaufend ausgebildet (S110). Eine Vielzahl von Markierungen wird im Halbleiteringot gebildet. Zumindest einige der Vielzahl von Markierungen an verschiedenen Positionen entlang der axialen Richtung sind durch ein charakteristisches Merkmal, das in Abhängigkeit von der zumindest einen Materialeigenschaft festgelegt wurde, voneinander unterscheidbar (S120). Der Halbleiteringot wird dann in Halbleiterwafer zerschnitten (S130).

公开(公告)号：DE102014114683A1

公开(公告)日：2016-05-19

申请号：DE102014114683

申请日：2014-10-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ÖFNER HELMUT ,  CASPARY NICO ,  MOMENI MOHAMMAD ,  PLOSS REINHARD ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L21/223 ,  H01L21/02 ,  H01L21/477 ,  H01L21/58

Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung eines Substrat-Wafers (100) umfasst: Vorsehen eines Bauelement-Wafers (110) mit einer ersten Seite (111) und einer zweiten Seite (112); Unterziehen des Bauelement-Wafers (110) einem ersten Hochtemperaturprozess zum Reduzieren des Sauerstoffgehalts des Bauelement-Wafers (110) wenigstens in einem Gebiet (112a) auf der zweiten Seite (112); Bonden der zweiten Seite (112) des Bauelement-Wafers (110) an eine erste Seite (121) eines Träger-Wafers (120), um einen Substrat-Wafer (100) zu bilden; Bearbeiten der ersten Seite (101) des Substrat-Wafers (100), um die Dicke des Bauelement-Wafers (110) zu reduzieren; Unterziehen des Substrat-Wafers (100) einem zweiten Hochtemperaturprozess zum Reduzieren des Sauerstoffgehalts wenigstens des Bauelement-Wafers (110); und wenigstens teilweises Integrieren wenigstens einer Halbleiterkomponente (140) in den Bauelement-Wafer (110) nach dem zweiten Hochtemperaturprozess.

公开(公告)号：DE102015114361A1

公开(公告)日：2016-03-03

申请号：DE102015114361

申请日：2015-08-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  ÖFNER HELMUT

IPC: H01L21/322 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324

Abstract: Ein Verfahren zum Prozessieren eines Halbleiterkörpers ist beschrieben. Bei einem Ausführungsbeispiel umfasst das Verfahren das Reduzieren einer Sauerstoffkonzentration in einem Siliziumwafer in einem an eine erste Oberfläche des Siliziumwafers angrenzenden ersten Gebiet durch eine erste Wärmebehandlung, das Erzeugen von Leerstellen in einem Kristallgitter des Wafers wenigstens in einem an das erste Gebiet angrenzenden zweiten Gebiet durch Implantieren von Teilchen über die erste Oberfläche in den Wafer und das Herstellen von Sauerstoffpräzipitaten in dem zweiten Gebiet durch eine zweite Wärmebehandlung.

公开(公告)号：DE102016118204B4

公开(公告)日：2025-01-02

申请号：DE102016118204

申请日：2016-09-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GANAGONA NAVEEN ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  ÖFNER HELMUT ,  JELINEK MORIZ ,  SCHUSTEREDER WERNER

IPC: G01N21/35 ,  C30B15/04 ,  C30B29/06 ,  G01N21/3563 ,  G01N21/63

Abstract: Verfahren zum Bestimmen des Kohlenstoff-Gehalts in einer Silizium-Probe (102), das Verfahren Folgendes umfassend:Erzeugen elektrisch aktiver polyatomarer Komplexe innerhalb der Silizium-Probe (102),wobei die polyatomaren Komplexe mindestens ein Kohlenstoff-Atom, mindestens ein Sauerstoff-Atom und mindestens ein Wasserstoff-Atom umfassen;Bestimmen einer Quantität, welche für den Gehalt der erzeugten polyatomaren Komplexe in der Silizium-Probe (102) bezeichnend ist; undBestimmen des Kohlenstoff-Gehalts in der Silizium-Probe (102) aus der bestimmten Quantität,wobei mindestens einige der polyatomaren Komplexe als flache Donatoren konfiguriert sind.

公开(公告)号：DE102020120933A1

公开(公告)日：2022-02-10

申请号：DE102020120933

申请日：2020-08-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  ÖFNER HELMUT

IPC: C30B15/04 ,  C30B15/20

Abstract: Vorgeschlagen wird ein Verfahren zum Herstellen von CZ-Siliziumwafern (130). Das Verfahren umfasst ein Ziehen eines CZ-Siliziumingots (112) über eine Ziehzeitdauer aus einer Siliziumschmelze (110), die Dotierstoffe aufweist, die vorwiegend vom n-Typ sind. Ferner umfasst das Verfahren ein Einbringen von Bor in den CZ-Siliziumingot (112) über zumindest einen Teil der Ziehzeitdauer, indem eine Borzufuhr zur Siliziumschmelze (110) durch eine Borquelle gesteuert wird. Ferner umfasst das Verfahren ein Bestimmen eines spezifischen Widerstands, einer Borkonzentration und einer Kohlenstoffkonzentration entlang einer Kristallachse (x) des CZ-Siliziumingots (112). Weiter umfasst das Verfahren ein Scheibenschneiden des CZ-Siliziumingots (112) oder eines Abschnitts des CZ-Siliziumingots (112) in CZ-Siliziumwafer (130). Das Verfahren umfasst weiter ein Bestimmen von zumindest zwei Gruppen (1341, 1342) der CZ-Siliziumwafer (130) in Abhängigkeit von zumindest zwei Parametern des spezifischen Widerstands, der Borkonzentration und der Kohlenstoffkonzentration.

公开(公告)号：DE102016118204A1

公开(公告)日：2018-03-29

申请号：DE102016118204

申请日：2016-09-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GANAGONA NAVEEN ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  ÖFNER HELMUT ,  JELINEK MORIZ ,  SCHUSTEREDER WERNER

IPC: G01N21/35 ,  C30B15/04 ,  C30B29/06 ,  G01N21/63

Abstract: Ein Verfahren zum Bestimmen des Kohlenstoff-Gehalts in einer Silizium-Probe kann umfassen: Erzeugen elektrisch aktiver polyatomarer Komplexe innerhalb der Silizium-Probe. Jeder polyatomare Komplex kann mindestens ein Kohlenstoff-Atom umfassen. Das Verfahren kann weiterhin umfassen: Bestimmen einer Quantität, welche für den Gehalt der erzeugten polyatomaren Komplexe in der Silizium-Probe bezeichnend ist, und Bestimmen des Kohlenstoff-Gehalts in der Silizium-Probe aus der bestimmten Quantität.

公开(公告)号：DE102015114177A1

公开(公告)日：2017-03-02

申请号：DE102015114177

申请日：2015-08-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： CASPARY NICO ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  ÖFNER HELMUT

IPC: H01L29/167 ,  H01L21/265 ,  H01L29/36 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Eine Ausführungsform einer Halbleitervorrichtung umfasst einen Siliziumhalbleiterkörper, der eine Drift- oder Grundzone einer Netto-n-Typ-Dotierung aufweist. Die n-Typ-Dotierung ist partiell um 10% bis 80% mit p-Typ-Dotierstoffen kompensiert. Eine n-Typ Netto-Dotierstoffkonzentration in der Drift- oder Grundzone liegt in einem Bereich von 1 × 1013 cm–3 bis 1 × 1015 cm–3. Ein Bereich von 5% bis 75% der n-Typ Dotierung besteht aus Wasserstoff-korrelierten Donatoren.