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    Leistungshalbleitervorrichtung mit Silikatglasstruktur, Halbleitervorrichtung mit implantierter Silikatglasstruktur und Verfahren zu deren Herstellung
    1.
    发明专利
    Leistungshalbleitervorrichtung mit Silikatglasstruktur, Halbleitervorrichtung mit implantierter Silikatglasstruktur und Verfahren zu deren Herstellung 未知

    公开(公告)号：DE102013105009B4

    公开(公告)日：2020-09-10

    申请号：DE102013105009

    申请日：2013-05-15

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SUSITI ALEXANDER ,  ZUNDEL MARKUS ,  PLOSS REINHARD

    IPC: H01L21/762 ,  H01L23/52 ,  H01L29/36

    Abstract: Leistungshalbleitervorrichtung, geeignet zum Leiten von Strömen größer als 1A, und umfassend:einen Halbleiterkörper (105) mit einer ersten Oberfläche (110),eine kontinuierliche, zusammenhängende Silikatglasstruktur (115) über der ersten Oberfläche (110), wobeiein erster Teil (115a) der kontinuierlichen, zusammenhängenden Glasstruktur (115) über einem aktiven Gebiet (105a) des Halbleiterkörpers (105) eine erste Zusammensetzung von Dotierstoffen aufweist, die von einer zweiten Zusammensetzung von Dotierstoffen in einem zweiten Teil (115b) der kontinuierlichen, zusammenhängenden Glasstruktur (115) über einem Randabschlussgebiet (105b) des Halbleiterkörpers (105) außerhalb des aktiven Gebiets (105a) abweicht; und wobeider erste Teil (115a) aus einer Schicht oder einem vertikal zusammenhängenden Schichtstapel besteht; undder zweite Teil (115b) aus einer Schicht oder einem vertikal zusammenhängenden Schichtstapel besteht.

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITER-WAFERS MIT EINER NIEDRIGEN KONZENTRATION VON INTERSTITIELLEM SAUERSTOFF
    2.
    发明专利
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITER-WAFERS MIT EINER NIEDRIGEN KONZENTRATION VON INTERSTITIELLEM SAUERSTOFF 未知

    公开(公告)号：DE102014114683B4

    公开(公告)日：2016-08-04

    申请号：DE102014114683

    申请日：2014-10-09

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： ÖFNER HELMUT ,  CASPARY NICO ,  MOMENI MOHAMMAD ,  PLOSS REINHARD ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

    IPC: H01L21/223 ,  H01L21/58

    Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung eines Substrat-Wafers (100) umfasst: Vorsehen eines Bauelement-Wafers (110) mit einer ersten Seite (111) und einer zweiten Seite (112); Unterziehen des Bauelement-Wafers (110) einem ersten Hochtemperaturprozess zum Reduzieren des Sauerstoffgehalts des Bauelement-Wafers (110) wenigstens in einem Gebiet (112a) auf der zweiten Seite (112); Bonden der zweiten Seite (112) des Bauelement-Wafers (110) an eine erste Seite (121) eines Träger-Wafers (120), um einen Substrat-Wafer (100) zu bilden; Bearbeiten der ersten Seite (101) des Substrat-Wafers (100), um die Dicke des Bauelement-Wafers (110) zu reduzieren; Unterziehen des Substrat-Wafers (100) einem zweiten Hochtemperaturprozess zum Reduzieren des Sauerstoffgehalts wenigstens des Bauelement-Wafers (110); und wenigstens teilweises Integrieren wenigstens einer Halbleiterkomponente (140) in den Bauelement-Wafer (110) nach dem zweiten Hochtemperaturprozess.

    Verfahren zur Nachdotierung einer Halbleiterscheibe
    3.
    发明专利
    Verfahren zur Nachdotierung einer Halbleiterscheibe 未知

    公开(公告)号：DE102013216195B4

    公开(公告)日：2015-10-29

    申请号：DE102013216195

    申请日：2013-08-14

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： PLOSS REINHARD ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  ÖFNER HELMUT

    IPC: H01L21/26 ,  H01L21/324 ,  H01L21/66 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36

    Abstract: Verfahren zur Behandlung mehrerer Halbleiterscheiben (100) die jeweils eine Grunddotierung aufweisen und die von einem nach dem CZ- oder dem MCZ-Verfahren hergestellten Halbleiterstab (1) abgeschnitten wurden, wobei das Verfahren aufweist: Ermitteln einer Dotierungskonzentration der Grunddotierung der Halbleiterscheiben (100); und Anpassen der Grunddotierung jeder der Halbleiterscheiben (100) durch ein Nachdotieren, das umfasst: eine Protonenimplantation und einen nachfolgenden Temperaturprozess zur Erzeugung wasserstoffinduzierter Donatoren; wobei wenigstens einer der folgenden Parameter von der ermittelten Dotierungskonzentration der Grunddotierung abhängig ist: eine Implantationsdosis der Protonenimplantation, eine Temperatur des Temperaturprozesses, und wobei eine Dotierungskonzentration der Grunddotierung vor der Anpassung wenigstens 20% einer Dotierungskonzentration nach der Anpassung beträgt.

    7.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102007007142B4

    公开(公告)日：2008-11-13

    申请号：DE102007007142

    申请日：2007-02-09

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： KOLLER ADOLF ,  THEUSS HORST ,  OTREMBA RALF ,  HOEGLAUER JOSEF ,  STRACK HELMUT ,  PLOSS REINHARD

    IPC: H01L21/50 ,  H01L25/07

    Abstract: A panel has a baseplate with an upper first metallic layer and a multiplicity of a vertical semiconductor components. The vertical semiconductor components in each case have a first side with a first load electrode and a control electrode and an opposite second side with a second load electrode. The second side of the semiconductor components is in each case mounted on the metallic layer of the baseplate. The semiconductor components are arranged in such a way that edge sides of adjacent semiconductor components are separated from one another. A second metallic layer is arranged in separating regions between the semiconductor components.

    Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
    8.
    发明专利
    Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung 未知

    公开(公告)号：DE102015122833A1

    公开(公告)日：2017-06-29

    申请号：DE102015122833

    申请日：2015-12-23

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： PLOSS REINHARD ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

    IPC: H01L21/225 ,  H01L21/265 ,  H01L21/283 ,  H01L29/06

    Abstract: Gemäß einem Ausführungsbeispiel eines Verfahrens zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung wird ein Trench (203) in einem Halbleiterkörper (205) an einer ersten Oberfläche (207) des Halbleiterkörpers (205) gebildet. Dotierstoffe werden in einen ersten Bereich (212) an einer Bodenseite des Trenches (203) durch Ionenimplantation eingeführt. Ein Füllmaterial (216) wird in dem Trench (203) gebildet. Dotierstoffe werden in einen zweiten Bereich (218) an einer Oberseite des Füllmaterials (216) eingeführt. Ein thermisches Prozessieren des Halbleiterkörpers (205) wird ausgeführt und ist gestaltet, um Dotierstoffe von den ersten und zweiten Bereichen (212, 218) durch einen Diffusionsprozess längs einer vertikalen Richtung (y) senkrecht zu der ersten Oberfläche (207) zu vermischen.

    Verfahren zur Nachdotierung einer Halbleiterscheibe
    9.
    发明专利
    Verfahren zur Nachdotierung einer Halbleiterscheibe 未知

    公开(公告)号：DE102013216195A1

    公开(公告)日：2015-02-19

    申请号：DE102013216195

    申请日：2013-08-14

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： PLOSS REINHARD ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  ÖFNER HELMUT

    IPC: H01L21/26 ,  H01L29/06

    Abstract: Beschrieben wird ein Verfahren zur Behandlung einer Halbleiterscheibe die eine Grunddotierung aufweist. Das Verfahren umfasst das Ermitteln einer Dotierungskonzentration der Grunddotierung und das Anpassen der Grunddotierung der Halbleiterscheibe durch ein Nachdotieren. Das Nachdotieren umfasst wenigstens eines der folgenden Verfahren: – eine Protonenimplantation und einen nachfolgenden Temperaturprozess zur Erzeugung wasserstoffinduzierter Donatoren, – eine Neutronenbestrahlung. Dabei ist wenigstens einer der folgenden Parameter von der ermittelten Dotierungskonzentration der Grunddotierung abhängig: – eine Implantationsdosis der Protonenimplantation, – eine Temperatur des Temperaturprozesses, – eine Bestrahlungsdosis der Neutronenbestrahlung.

    10.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102007007142A1

    公开(公告)日：2008-08-21

    申请号：DE102007007142

    申请日：2007-02-09

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： KOLLER ADOLF ,  THEUSS HORST ,  OTREMBA RALF ,  HOEGLAUER JOSEF ,  STRACK HELMUT ,  PLOSS REINHARD

    IPC: H01L21/50 ,  H01L25/07

    Abstract: A panel has a baseplate with an upper first metallic layer and a multiplicity of a vertical semiconductor components. The vertical semiconductor components in each case have a first side with a first load electrode and a control electrode and an opposite second side with a second load electrode. The second side of the semiconductor components is in each case mounted on the metallic layer of the baseplate. The semiconductor components are arranged in such a way that edge sides of adjacent semiconductor components are separated from one another. A second metallic layer is arranged in separating regions between the semiconductor components.

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