Breitband-Doherty-Verstärkerschaltung mit Konstantimpedanzkombinierer

    公开(公告)号:DE102012105260B4

    公开(公告)日:2019-06-13

    申请号:DE102012105260

    申请日:2012-06-18

    Abstract: Verstärkerschaltung, umfassend:einen Hauptverstärker (100), welcher in einer Klasse B- oder Klasse AB-Betriebsart vorgespannt ist,einen ersten Spitzenverstärker (110), welcher in einer Klasse-C-Betriebsart vorgespannt ist,einen zweiten Spitzenverstärker (120), welcher in einer Klasse-C-Betriebsart vorgespannt ist, undeinen Konstantimpedanzkombinierer (130) mit einem mit einem Ausgang des Hauptverstärkers (100) verbundenen ersten Knoten (132), einem mit einem Ausgang des ersten Spitzenverstärkers (110) verbundenen zweiten Knoten (134), einem mit einem Ausgang des zweiten Spitzenverstärkers (120) verbundenen dritten Knoten (136) und einem vierten Knoten, welcher mit einer Last (160) verbunden ist, wobei der Konstantimpedanzkombinierer (130) betreibbar ist, eine Lastimpedanz an dem vierten Knoten in einen transformierte Impedanz an dem dritten Knoten (136) zu transformieren und die gleiche transformierte Impedanz an dem ersten Knoten (132), dem zweiten Knoten (134) und dem dritten Knoten (136) beizubehalten.

    LC-Netzwerk für einen Leistungsverstärker mit auswählbarer Impedanz

    公开(公告)号:DE102017104382A1

    公开(公告)日:2017-09-28

    申请号:DE102017104382

    申请日:2017-03-02

    Abstract: Ein Verstärker ist ausgebildet zum Verstärken eines RF-Signals zwischen einem Eingangsanschluss und einem Ausgangsanschluss über einen Breitbandfrequenzbereich. Ein erstes LC-Netzwerk ist mit dem Eingangsanschluss verbunden und umfasst eine erste und eine zweite reaktive Komponente. Ein erstes Schaltbauelement ist zwischen die erste und die zweite reaktive Komponente geschaltet und koppelt sowohl die erste als auch die zweite reaktive Komponente mit dem Eingangsanschluss in einem EIN-Zustand, und trennt die zweite reaktive Komponente von dem Eingangsanschluss in einem AUS-Zustand. Ein zweites LC-Netzwerk ist mit dem Ausgangsanschluss verbunden und umfasst eine dritte und eine vierte reaktive Komponente. Ein zweites Schaltbauelement ist zwischen die dritte und die vierte reaktive Komponente geschaltet und koppelt sowohl die dritte als auch die vierte reaktive Komponente mit dem Ausgangsanschluss in einem EIN-Zustand, und trennt die vierte reaktive Komponente von dem Ausgangsanschluss in einem AUS-Zustand.

    Leistungstransistor-Chip mit kapazitiv gekoppeltem Bondpad

    公开(公告)号:DE102015101917A1

    公开(公告)日:2015-08-27

    申请号:DE102015101917

    申请日:2015-02-11

    Abstract: Ein Leistungstransistor-Chip umfasst einen Transistor, der in einem Halbleiterkörper gebildet ist. Der Transistor weist einen Gateanschluss, einen Ausgangsanschluss und einen dritten Anschluss auf. Der Gateanschluss steuert einen Leitenden Kanal zwischen dem Ausgangsanschluss und dem dritten Anschluss. Der Leistungstransistor-Chip umfasst ferner eine strukturierte erste Metallschicht, die auf dem Halbleiterkörper angeordnet und davon isoliert ist. Die strukturierte erste Metallschicht ist mit dem Ausgangsanschluss des Transistors verbunden. Der Leistungstransistor-Chip umfasst ein erstes Bondpad, das auf dem Halbleiterkörper angeordnet und davon isoliert ist. Das erste Bondpad bildet einen Ausgangsanschluss des Leistungstransistor-Chips und ist kapazitiv an die strukturierte erste Metallschicht gekoppelt, um eine Serienkapazität zwischen dem Ausgangsanschluss des Transistors und dem ersten Bondpad zu bilden. Ein Leistungshalbleitergehäuse einschließlich des Leistungstransistor-Chips ist ebenfalls bereitgestellt.

    KOMBINIERTER DOHERTY-CHIREIX-VERSTÄRKER

    公开(公告)号:DE102017114368B4

    公开(公告)日:2021-09-23

    申请号:DE102017114368

    申请日:2017-06-28

    Abstract: Verstärker, der dazu ausgebildet ist, ein HF-Signal zu verstärken, wobei der Verstärker aufweist:eine Leistungskombiniererschaltung, die aufweist:einen Chireix-Kombinierer, der einen ersten Zweig, der zwischen einen ersten HF-Eingangsanschluss und einen Summationsknoten geschaltet ist, und einen zweiten Zweig, der zwischen einen zweiten HF-Eingangsanschluss und den Summationsknoten geschaltet ist, aufweist, wobei der erste und zweite Zweig jeweils einen Impedanzinverter aufweisen, wobei der Chireix-Kombinierer dazu ausgebildet ist, dem ersten und zweiten HF-Eingangsanschluss einen Chireix-lastmodulierten Impedanzgang zu präsentieren; undKompensationselemente, die dazu ausgebildet sind, mindestens zum Teil eine Reaktanz der Chireix-Kombiniererschaltung in einem Doherty-Verstärkermodus zu kompensieren, in dem ein Signal an den ersten HF-Eingangsanschluss angelegt wird, und der zweite HF-Eingangsanschluss elektrisch offen ist.

    Spitzenverstärker, Verstärkeranordnung und Verfahren zum Betreiben eines Spitzenverstärkers

    公开(公告)号:DE102016115877A1

    公开(公告)日:2017-03-02

    申请号:DE102016115877

    申请日:2016-08-26

    Abstract: Ein Spitzenverstärker wird offenbart. Der Spitzenverstärker umfasst eine Treiberstufe, eine Endstufe und ein Zwischenstufenanpassungsnetz. Die Treiberstufe weist eine Lastimpedanz auf und ist ausgelegt, um einen Treiberausgang basierend auf einem Eingangssignal zu generieren. Die Endstufe weist eine Endstufeneingangsimpedanz auf und ist ausgelegt, um einen Peaking-Ausgang basierend auf dem Treiberausgang zu generieren. Das Zwischenstufenanpassungsnetz ist mit der Treiberstufe und der Endstufe gekoppelt. Das Zwischenstufenanpassungsnetz ist ausgelegt, um die Endstufeneingangsimpedanz in die Lastimpedanz für die Treiberstufe zu transformieren, wenn der Spitzenverstärker auf EIN geschaltet ist, und einen Kurzschluss an einen Eingang der Endstufe bereitzustellen, wenn der Spitzenverstärker in einem AUS-Zustand ist.

    Ein Eingangsanpassungsnetzwerk für eine Leistungsschaltung

    公开(公告)号:DE102014101427A1

    公开(公告)日:2014-08-14

    申请号:DE102014101427

    申请日:2014-02-05

    Abstract: Eine Leistungsschaltung weist einen HF-Transistor und ein an einen Eingang des HF-Transistors und an einen Eingang der Leistungsschaltung gekoppeltes Eingangsanpassungsnetzwerk auf. Das Eingangsanpassungsnetzwerk weist einen Widerstand, eine Induktivität und einen Kondensator auf, die zwischen dem Eingang zum HF-Transistor und einer Erde in Reihe zusammengekoppelt sind. Die Werte des Widerstands und der Induktivität werden so ausgewählt, dass sie eine Eingangsimpedanz des HF-Transistors an eine Quellimpedanz am Eingang zu der Leistungsschaltung über mindestens einen Teil eines Hochfrequenzbereichs anpassen, wobei der Wert des Kondensators einen im Wesentlichen zu vernachlässigenden Beitrag zu der Anpassung in dem Hochfrequenzbereich hat. Der Wert des Kondensators wird so ausgewählt, dass die Reihenkombination aus Widerstand, Induktivität und Kondensator die Größe der am Eingang des HF-Transistors anliegenden Impedanz in einem Niederfrequenzbereich in Relation zu der Quellimpedanz am Eingang der Leistungsschaltung wesentlich reduziert.

    Breitband-Doherty-Verstärkerschaltung mit Spitzenimpedanzabsorption

    公开(公告)号:DE102013102578A1

    公开(公告)日:2013-09-19

    申请号:DE102013102578

    申请日:2013-03-14

    Abstract: Eine Breitband-Doherty-Verstärkerschaltung umfasst einen Hauptverstärker (100), welcher eingerichtet ist, in einer linearen Betriebsart zu arbeiten, einen Spitzenverstärker (110), welcher eingerichtet ist, in einer nichtlinearen Betriebsart zu arbeiten, und einen Doherty-Kombinierer (130), welcher direkt mit einem Ausgang (102, 112) jedes Verstärkers (100, 110) verbunden ist, sodass keine Ausgangsanpassungseinrichtungen in dem Pfad zwischen den Verstärkerausgängen (102, 112) und dem Doherty-Kombinierer liegen. Der Doherty-Kombinierer ist eingerichtet, jedem Verstärker (100, 110) die gleiche Lastimpedanz bereitzustellen, wenn beide Verstärker (100, 110) leitend sind, d.h. verstärken, und dem Hauptverstärker (100) eine modulierte Lastimpedanz bereitzustellen, wenn der Spitzenverstärker (110) nicht leitend ist, sodass eine Variation des von dem Hauptverstärker (110) gesehenen Stehwellenverhältnisses kleiner als 5 % über eine Vielzahl von Frequenzbändern ist und/oder der Spitzenverstärker (110) eine Impedanzspreizung im ausgeschalteten Zustand von 20 Grad oder weniger über die Vielzahl von Frequenzbändern aufweist.

    HF-Bauelement mit Ausgleichsresonatoranpassungstopologie

    公开(公告)号:DE102012216840A1

    公开(公告)日:2013-04-18

    申请号:DE102012216840

    申请日:2012-09-20

    Abstract: Eine Verstärkerschaltung weist einen HF-Transistor, einen Parallelresonator und einen Reihenresonator auf. Der HF-Transistor weist einen Eingang, einen Ausgang und eine intrinsische Ausgangskapazität auf. Der Parallelresonator ist mit dem Ausgang des HF-Transistors verbunden und weist eine erste induktive Komponente auf, die zur intrinsischen Ausgangskapazität des HF-Transistors parallel geschaltet ist. Der Reihenresonator verbindet den Ausgang des HF-Transistors mit einem Ausgangsanschluss und weist eine zweite induktive Komponente auf, die mit einer kapazitiven Komponente in Reihe geschaltet ist. Der Reihenresonator kann so betrieben werden, dass er eine Änderung der Impedanz des Parallelresonators über Frequenz ausgleicht.

    Breitband-Doherty-Verstärkerschaltung mit Spitzenimpedanzabsorption

    公开(公告)号:DE102013102578B4

    公开(公告)日:2022-04-07

    申请号:DE102013102578

    申请日:2013-03-14

    Abstract: Breitband-Doherty-Verstärkerschaltung, umfassend:einen Hauptverstärker (100), welcher eingerichtet ist, in einer linearen Betriebsart zu arbeiten,einen Spitzenverstärker (110), welcher eingerichtet ist, in einer nichtlinearen Betriebsart zu arbeiten, undeinen Doherty-Kombinierer (130), welcher direkt mit einem Ausgang jedes Verstärkers (100, 110) verbunden ist, sodass keine Ausgangsanpassungseinrichtungen in dem Pfad zwischen Ausgängen (102, 112) der Verstärker und dem Doherty-Kombinierer (130) liegen, wobei der Doherty-Kombinierer (130) eingerichtet ist, jedem der Verstärker (100, 110) die gleiche Lastimpedanz bereitzustellen, wenn beide Verstärker (100, 110) verstärken, und dem Hauptverstärker (100) eine modulierte Lastimpedanz bereitzustellen, wenn der Spitzenverstärker (110) nicht verstärkt, sodass eine Variation eines von dem Hauptverstärker (100) gesehenen Stehwellenverhältnisses über eine Vielzahl von Frequenzbändern geringer ist als 5 %,wobei der Hauptverstärker (100) eine optimale Ausgangsimpedanz Z1 und eine Größe T1 aufweist, der Spitzenverstärker eine optimale Ausgangsimpedanz Z2 und eine Größe T2 aufweist, der Doherty-Kombinierer (130) eine Übertragungsleitung (132) mit einer Impedanz Z3 aufweist, welche an einem Ende direkt mit dem Ausgang des Hauptverstärkers (100) verbunden ist und an einem gegenüberliegenden Ende direkt mit dem Ausgang (112) des Spitzenverstärkers (110) verbunden ist, wobei gilt:Z3=(Z1xZ2xT2T1)1/2.

    Kompakter Klasse-F-Chip und Drahtanpassungstopolgie

    公开(公告)号:DE102017130292A1

    公开(公告)日:2018-06-21

    申请号:DE102017130292

    申请日:2017-12-18

    Abstract: Eine Verstärkerschaltung enthält einen RF-Eingangsport, einen RF-Ausgangsport, einen Referenzpotentialport und einen RF-Verstärker, der einen Eingangsanschluss und einen ersten Ausgangsanschluss aufweist. Ein Ausgangsimpedanzanpassungsnetzwerk koppelt den ersten Ausgangsanschluss elektrisch mit dem RF-Ausgangsport. Eine erste Induktivität ist elektrisch zwischen den ersten Ausgangsanschluss und den RF-Ausgangsport in Reihe geschaltet, ein erster LC-Resonator ist elektrisch direkt zwischen den ersten Ausgangsanschluss und den Referenzpotentialport geschaltet, und ein zweiter LC-Resonator ist elektrisch direkt zwischen den ersten Ausgangsanschluss und den Referenzpotentialport geschaltet. Der erste LC-Resonator ist dazu ausgebildet, eine Ausgangskapazität des RF-Verstärkers bei einer dritten Frequenz des RF-Signals auszugleichen. Der zweite LC-Resonator ist dazu ausgebildet, eine Harmonische zweiter Ordnung des RF-Signals auszugleichen.

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