公开(公告)号：DE102017113923A1

公开(公告)日：2017-12-28

申请号：DE102017113923

申请日：2017-06-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BIRNER ALBERT ,  BRECH HELMUT ,  ZIGLDRUM MATTHIAS

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/336 ,  H01L23/522 ,  H01L29/78

Abstract: Bei einer Ausführungsform beinhaltet eine Halbleitervorrichtung ein Halbleitersubstrat mit einer vorderen Oberfläche, einen LDMOS-Transistor, der in der vorderen Oberfläche des Substrats angeordnet ist und eine intrinsische Source aufweist, und einen leitfähigen Durch-Substrat-Via. Eine erste leitfähige Schicht kleidet Seitenwände des Durch-Substrat-Vias aus und erstreckt sich von dem Durch-Substrat-Via auf die vordere Oberfläche des Halbleitersubstrats und ist elektrisch mit der intrinsischen Source gekoppelt.

公开(公告)号：DE102015101917A1

公开(公告)日：2015-08-27

申请号：DE102015101917

申请日：2015-02-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BIRNER ALBERT ,  BRECH HELMUT ,  GOEL SAURABH ,  WILSON RICHARD ,  ZIGLDRUM MATTHIAS

IPC: H01L23/64 ,  H01L21/60 ,  H01L23/485 ,  H01L23/488 ,  H01L25/16 ,  H01L29/423

Abstract: Ein Leistungstransistor-Chip umfasst einen Transistor, der in einem Halbleiterkörper gebildet ist. Der Transistor weist einen Gateanschluss, einen Ausgangsanschluss und einen dritten Anschluss auf. Der Gateanschluss steuert einen Leitenden Kanal zwischen dem Ausgangsanschluss und dem dritten Anschluss. Der Leistungstransistor-Chip umfasst ferner eine strukturierte erste Metallschicht, die auf dem Halbleiterkörper angeordnet und davon isoliert ist. Die strukturierte erste Metallschicht ist mit dem Ausgangsanschluss des Transistors verbunden. Der Leistungstransistor-Chip umfasst ein erstes Bondpad, das auf dem Halbleiterkörper angeordnet und davon isoliert ist. Das erste Bondpad bildet einen Ausgangsanschluss des Leistungstransistor-Chips und ist kapazitiv an die strukturierte erste Metallschicht gekoppelt, um eine Serienkapazität zwischen dem Ausgangsanschluss des Transistors und dem ersten Bondpad zu bilden. Ein Leistungshalbleitergehäuse einschließlich des Leistungstransistor-Chips ist ebenfalls bereitgestellt.

公开(公告)号：DE102017113679B4

公开(公告)日：2022-09-01

申请号：DE102017113679

申请日：2017-06-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BIRNER ALBERT ,  BRECH HELMUT ,  ZIGLDRUM MATTHIAS ,  BRAUN MICHAELA ,  ECKL CHRISTIAN

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: Halbleitervorrichtung, die aufweist:ein Halbleitersubstrat (100) mit einem spezifischen Volumenwiderstand ρ≥ 100 Ohm-cm, einer vorderen Oberfläche (12) und einer hinteren Oberfläche (13);wenigstens einen LDMOS-(Lateral Diffused Metal Oxide Semiconductor)-Transistor (14) in dem Halbleitersubstrat (100); undeine RESURF-Struktur (15), die eine dotierte vergrabene Schicht (16) aufweist, die in dem Halbleitersubstrat (100) angeordnet ist, die zu der vorderen Oberfläche (13) und der hinteren Oberfläche (14) beabstandet ist und die mit einem Kanalgebiet (17) und/oder einem Bodykontaktgebiet (18) des LDMOS-Transistors (14) gekoppelt ist,wobei die vergrabene Schicht (16), das Kanalgebiet (17) und das Bodykontaktgebiet (18) jeweils eine Dotierungsstoffkonzentration eines ersten Leitfähigkeitstyps aufweisen.

公开(公告)号：DE102017113927A1

公开(公告)日：2017-12-28

申请号：DE102017113927

申请日：2017-06-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BIRNER ALBERT ,  BRECH HELMUT ,  ZIGLDRUM MATTHIAS

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L29/78

Abstract: Bei einer Ausführungsform beinhaltet eine Halbleitervorrichtung ein Halbleitersubstrat, einen LDMOS-Transistor, der in einer vorderen Oberfläche des Halbleitersubstrats angeordnet ist, und einen leitfähigen Durch-Substrat-Via. Der leitfähige Durch-Substrat-Via beinhaltet Folgendes: einen Via, der sich von der vorderen Oberfläche zu einer hinteren Oberfläche des Halbleitersubstrats erstreckt, einen leitfähigen Stopfen, der einen ersten Teil des Vias füllt und eine leitfähige Auskleidungsschicht, die Seitenwände eines zweiten Teils des Vias auskleidet und elektrisch mit dem leitfähigen Stopfen gekoppelt ist.

公开(公告)号：DE102017113680A1

公开(公告)日：2017-12-28

申请号：DE102017113680

申请日：2017-06-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BRECH HELMUT ,  BIRNER ALBERT ,  ZIGLDRUM MATTHIAS ,  BRAUN MICHAELA ,  ROPOHL JAN

IPC: H01L29/78 ,  H01L23/58

Abstract: Bei einer Ausführungsform beinhaltet eine Halbleitervorrichtung ein Halbleitersubstrat mit einer vorderen Oberfläche, einen LDMOS-Transistor in der vorderen Oberfläche und eine Metallisierungsstruktur, die auf der vorderen Oberfläche angeordnet ist. Die Metallisierungsstruktur beinhaltet wenigstens einen Hohlraum, der in wenigstens einer dielektrischen Schicht angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102017113679A1

公开(公告)日：2017-12-28

申请号：DE102017113679

申请日：2017-06-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BIRNER ALBERT ,  BRECH HELMUT ,  ZIGLDRUM MATTHIAS ,  BRAUN MICHAELA ,  ECKL CHRISTIAN

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: Bei einer Ausführungsform beinhaltet eine Halbleitervorrichtung ein Halbleitersubstrat mit einem spezifischen Volumenwiderstand ρ≥ 100 Ohm·cm, einer vorderen Oberfläche und einer hinteren Oberfläche, wenigstens einen LDMOS-Transistor in dem Halbleitersubstrat und eine RESURF-Struktur. Die RESURF-Struktur beinhaltet eine dotierte vergrabene Schicht, die in dem Halbleitersubstrat angeordnet ist, in einem Abstand von der vorderen Oberfläche und der hinteren Oberfläche beabstandet ist und mit einem Kanalgebiet und/oder einem Bodykontaktgebiet des LDMOS-Transistors gekoppelt ist.

公开(公告)号：DE102014110655A1

公开(公告)日：2015-02-05

申请号：DE102014110655

申请日：2014-07-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BIRNER ALBERT ,  BRECH HELMUT ,  ZIGLDRUM MATTHIAS

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  H01L23/50 ,  H01L23/522

Abstract: Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung weist ein Halbleiterbauelement eine erste Bondkontaktierungsinsel auf, die an einer ersten Seite eines Substrats positioniert ist. Die erste Bondkontaktierungsinsel weist eine erste Vielzahl von Kontaktierungsinselsegmenten auf. Mindestens ein Kontaktierungsinselsegment der ersten Vielzahl von Kontaktierungsinselsegmenten ist elektrisch von den übrigen Kontaktierungsinselsegmenten der ersten Vielzahl von Kontaktierungsinselsegmenten isoliert.