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公开(公告)号：DE102013102578B4
公开(公告)日：2022-04-07
申请号：DE102013102578
申请日：2013-03-14
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： GOEL SAURABH , WILSON RICHARD
Abstract: Breitband-Doherty-Verstärkerschaltung, umfassend:einen Hauptverstärker (100), welcher eingerichtet ist, in einer linearen Betriebsart zu arbeiten,einen Spitzenverstärker (110), welcher eingerichtet ist, in einer nichtlinearen Betriebsart zu arbeiten, undeinen Doherty-Kombinierer (130), welcher direkt mit einem Ausgang jedes Verstärkers (100, 110) verbunden ist, sodass keine Ausgangsanpassungseinrichtungen in dem Pfad zwischen Ausgängen (102, 112) der Verstärker und dem Doherty-Kombinierer (130) liegen, wobei der Doherty-Kombinierer (130) eingerichtet ist, jedem der Verstärker (100, 110) die gleiche Lastimpedanz bereitzustellen, wenn beide Verstärker (100, 110) verstärken, und dem Hauptverstärker (100) eine modulierte Lastimpedanz bereitzustellen, wenn der Spitzenverstärker (110) nicht verstärkt, sodass eine Variation eines von dem Hauptverstärker (100) gesehenen Stehwellenverhältnisses über eine Vielzahl von Frequenzbändern geringer ist als 5 %,wobei der Hauptverstärker (100) eine optimale Ausgangsimpedanz Z1 und eine Größe T1 aufweist, der Spitzenverstärker eine optimale Ausgangsimpedanz Z2 und eine Größe T2 aufweist, der Doherty-Kombinierer (130) eine Übertragungsleitung (132) mit einer Impedanz Z3 aufweist, welche an einem Ende direkt mit dem Ausgang des Hauptverstärkers (100) verbunden ist und an einem gegenüberliegenden Ende direkt mit dem Ausgang (112) des Spitzenverstärkers (110) verbunden ist, wobei gilt:Z3=(Z1xZ2xT2T1)1/2.
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公开(公告)号：DE102013111936A1
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：DE102013111936
申请日：2013-10-30
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： GOEL SAURABH , WILSON RICHARD
IPC: H03F1/07
Abstract: Ein symmetrischer Doherty-Verstärker (100) weist einen Hauptverstärker (102) und einen Spitzenverstärker (104) von gleicher Größe wie der Hauptverstärker (102) auf. Der symmetrische Doherty-Verstärker ist dafür konfiguriert, bei Spitzenausgangsleistung zu arbeiten, wenn der Hauptverstärker (102) und der Spitzenverstärker (104) jeweils im Sättigungszustand sind, und bei Output Back-off (OBO) zu arbeiten, wenn der Hauptverstärker (102) im Sättigungszustand ist und der Spitzenverstärker (104) nicht im Sättigungszustand ist. Phasenschieberschaltungen (118) sind dafür konfiguriert, die Phase an einem Ausgang des Spitzenverstärkers (104) bei OBO so zu verschieben, dass eine durch den Hauptverstärker (102) wahrgenommene Lastimpedanz und die Effizienz des symmetrischen Doherty-Verstärkers beide bei OBO als eine Funktion der Phasenschiebung am Ausgang des Spitzenverstärkers (104) zunehmen.
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公开(公告)号：DE102012105260A1
公开(公告)日：2012-12-20
申请号：DE102012105260
申请日：2012-06-18
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： GOEL SAURABH , WILSON RICHARD
Abstract: Es wird eine Dreiwege-Breitband-Doherty-Verstärkerschaltung bereitgestellt, welche einen ersten Spitzenverstärker (120), welcher betreibbar ist, bei einem ersten Leistungspegel einzuschalten, einem zweiten Spitzenverstärker (110), welcher betreibbar ist, bei einem zweiten Leistungspegel unterhalb des ersten Leistungspegels einzuschalten, und einen Hauptverstärker (100), welcher betreibbar ist, bei allen Leistungspegeln eingeschaltet zu sein, umfasst. Der Hauptverstärker (100) weist einen lastmodulierten Zustand hoher Impedanz auf, wenn der erste und der zweite Spitzenverstärker ausgeschaltet sind. Die Dreiwege-Breitband-Doherty-Verstärkerschaltung umfasst weiterhin einen Konstantimpedanzkombinierer (130), welcher mit einem jeweiligen Ausgang jedes Verstärkers (120, 110, 100) verbunden ist. Der Konstantimpedanzkombinierer (130) weist eine charakteristische Impedanz auf, welche der Impedanz des Hauptverstärkers (100) in dem lastmodulierten Zustand hoher Impedanz angepasst ist, wobei eine Ausgangsanpassungseinrichtung (102) den Ausgang des Hauptverstärkers (100) mit dem Konstantimpedanzkombinierer (130) verbindet oder nicht, gesehen von dem Ausgang des Hauptverstärkers (100).
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公开(公告)号：DE102014101427A1
公开(公告)日：2014-08-14
申请号：DE102014101427
申请日：2014-02-05
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： WILSON RICHARD , GOEL SAURABH
Abstract: Eine Leistungsschaltung weist einen HF-Transistor und ein an einen Eingang des HF-Transistors und an einen Eingang der Leistungsschaltung gekoppeltes Eingangsanpassungsnetzwerk auf. Das Eingangsanpassungsnetzwerk weist einen Widerstand, eine Induktivität und einen Kondensator auf, die zwischen dem Eingang zum HF-Transistor und einer Erde in Reihe zusammengekoppelt sind. Die Werte des Widerstands und der Induktivität werden so ausgewählt, dass sie eine Eingangsimpedanz des HF-Transistors an eine Quellimpedanz am Eingang zu der Leistungsschaltung über mindestens einen Teil eines Hochfrequenzbereichs anpassen, wobei der Wert des Kondensators einen im Wesentlichen zu vernachlässigenden Beitrag zu der Anpassung in dem Hochfrequenzbereich hat. Der Wert des Kondensators wird so ausgewählt, dass die Reihenkombination aus Widerstand, Induktivität und Kondensator die Größe der am Eingang des HF-Transistors anliegenden Impedanz in einem Niederfrequenzbereich in Relation zu der Quellimpedanz am Eingang der Leistungsschaltung wesentlich reduziert.
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公开(公告)号：DE102013102578A1
公开(公告)日：2013-09-19
申请号：DE102013102578
申请日：2013-03-14
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： GOEL SAURABH , WILSON RICHARD
IPC: H03F1/07
Abstract: Eine Breitband-Doherty-Verstärkerschaltung umfasst einen Hauptverstärker (100), welcher eingerichtet ist, in einer linearen Betriebsart zu arbeiten, einen Spitzenverstärker (110), welcher eingerichtet ist, in einer nichtlinearen Betriebsart zu arbeiten, und einen Doherty-Kombinierer (130), welcher direkt mit einem Ausgang (102, 112) jedes Verstärkers (100, 110) verbunden ist, sodass keine Ausgangsanpassungseinrichtungen in dem Pfad zwischen den Verstärkerausgängen (102, 112) und dem Doherty-Kombinierer liegen. Der Doherty-Kombinierer ist eingerichtet, jedem Verstärker (100, 110) die gleiche Lastimpedanz bereitzustellen, wenn beide Verstärker (100, 110) leitend sind, d.h. verstärken, und dem Hauptverstärker (100) eine modulierte Lastimpedanz bereitzustellen, wenn der Spitzenverstärker (110) nicht leitend ist, sodass eine Variation des von dem Hauptverstärker (110) gesehenen Stehwellenverhältnisses kleiner als 5 % über eine Vielzahl von Frequenzbändern ist und/oder der Spitzenverstärker (110) eine Impedanzspreizung im ausgeschalteten Zustand von 20 Grad oder weniger über die Vielzahl von Frequenzbändern aufweist.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE102012216840A1
公开(公告)日：2013-04-18
申请号：DE102012216840
申请日：2012-09-20
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： GOEL SAURABH , WILSON RICHARD
Abstract: Eine Verstärkerschaltung weist einen HF-Transistor, einen Parallelresonator und einen Reihenresonator auf. Der HF-Transistor weist einen Eingang, einen Ausgang und eine intrinsische Ausgangskapazität auf. Der Parallelresonator ist mit dem Ausgang des HF-Transistors verbunden und weist eine erste induktive Komponente auf, die zur intrinsischen Ausgangskapazität des HF-Transistors parallel geschaltet ist. Der Reihenresonator verbindet den Ausgang des HF-Transistors mit einem Ausgangsanschluss und weist eine zweite induktive Komponente auf, die mit einer kapazitiven Komponente in Reihe geschaltet ist. Der Reihenresonator kann so betrieben werden, dass er eine Änderung der Impedanz des Parallelresonators über Frequenz ausgleicht.
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公开(公告)号：DE102012105260B4
公开(公告)日：2019-06-13
申请号：DE102012105260
申请日：2012-06-18
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： GOEL SAURABH , WILSON RICHARD
Abstract: Verstärkerschaltung, umfassend:einen Hauptverstärker (100), welcher in einer Klasse B- oder Klasse AB-Betriebsart vorgespannt ist,einen ersten Spitzenverstärker (110), welcher in einer Klasse-C-Betriebsart vorgespannt ist,einen zweiten Spitzenverstärker (120), welcher in einer Klasse-C-Betriebsart vorgespannt ist, undeinen Konstantimpedanzkombinierer (130) mit einem mit einem Ausgang des Hauptverstärkers (100) verbundenen ersten Knoten (132), einem mit einem Ausgang des ersten Spitzenverstärkers (110) verbundenen zweiten Knoten (134), einem mit einem Ausgang des zweiten Spitzenverstärkers (120) verbundenen dritten Knoten (136) und einem vierten Knoten, welcher mit einer Last (160) verbunden ist, wobei der Konstantimpedanzkombinierer (130) betreibbar ist, eine Lastimpedanz an dem vierten Knoten in einen transformierte Impedanz an dem dritten Knoten (136) zu transformieren und die gleiche transformierte Impedanz an dem ersten Knoten (132), dem zweiten Knoten (134) und dem dritten Knoten (136) beizubehalten.
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公开(公告)号：DE102017104382A1
公开(公告)日：2017-09-28
申请号：DE102017104382
申请日：2017-03-02
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： GOEL SAURABH , JANG HAEDONG , WILSON RICHARD
Abstract: Ein Verstärker ist ausgebildet zum Verstärken eines RF-Signals zwischen einem Eingangsanschluss und einem Ausgangsanschluss über einen Breitbandfrequenzbereich. Ein erstes LC-Netzwerk ist mit dem Eingangsanschluss verbunden und umfasst eine erste und eine zweite reaktive Komponente. Ein erstes Schaltbauelement ist zwischen die erste und die zweite reaktive Komponente geschaltet und koppelt sowohl die erste als auch die zweite reaktive Komponente mit dem Eingangsanschluss in einem EIN-Zustand, und trennt die zweite reaktive Komponente von dem Eingangsanschluss in einem AUS-Zustand. Ein zweites LC-Netzwerk ist mit dem Ausgangsanschluss verbunden und umfasst eine dritte und eine vierte reaktive Komponente. Ein zweites Schaltbauelement ist zwischen die dritte und die vierte reaktive Komponente geschaltet und koppelt sowohl die dritte als auch die vierte reaktive Komponente mit dem Ausgangsanschluss in einem EIN-Zustand, und trennt die vierte reaktive Komponente von dem Ausgangsanschluss in einem AUS-Zustand.
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公开(公告)号：DE102015101917A1
公开(公告)日：2015-08-27
申请号：DE102015101917
申请日：2015-02-11
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： BIRNER ALBERT , BRECH HELMUT , GOEL SAURABH , WILSON RICHARD , ZIGLDRUM MATTHIAS
IPC: H01L23/64 , H01L21/60 , H01L23/485 , H01L23/488 , H01L25/16 , H01L29/423
Abstract: Ein Leistungstransistor-Chip umfasst einen Transistor, der in einem Halbleiterkörper gebildet ist. Der Transistor weist einen Gateanschluss, einen Ausgangsanschluss und einen dritten Anschluss auf. Der Gateanschluss steuert einen Leitenden Kanal zwischen dem Ausgangsanschluss und dem dritten Anschluss. Der Leistungstransistor-Chip umfasst ferner eine strukturierte erste Metallschicht, die auf dem Halbleiterkörper angeordnet und davon isoliert ist. Die strukturierte erste Metallschicht ist mit dem Ausgangsanschluss des Transistors verbunden. Der Leistungstransistor-Chip umfasst ein erstes Bondpad, das auf dem Halbleiterkörper angeordnet und davon isoliert ist. Das erste Bondpad bildet einen Ausgangsanschluss des Leistungstransistor-Chips und ist kapazitiv an die strukturierte erste Metallschicht gekoppelt, um eine Serienkapazität zwischen dem Ausgangsanschluss des Transistors und dem ersten Bondpad zu bilden. Ein Leistungshalbleitergehäuse einschließlich des Leistungstransistor-Chips ist ebenfalls bereitgestellt.
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公开(公告)号：DE102016105742B4
公开(公告)日：2022-01-20
申请号：DE102016105742
申请日：2016-03-30
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： GOEL SAURABH , BLAIR CYNTHIA , GOZZI CRISTIAN , KOMPOSCH ALEXANDER
IPC: H01L25/16 , H01L21/50 , H01L23/053 , H01L23/48
Abstract: Multi-Hohlraum-Package (100; 200; 300), das Folgendes umfasst:einen einzigen Metallflansch (102; 400; 502) mit einer ersten (104, 402) und einer zweiten (106) Hauptfläche,die einander gegenüberliegen;eine Leiterplatte (108; 406; 500), die an der ersten Hauptfläche (104, 402) des einzigen Metallflansches (102; 400; 502) angebracht ist, wobei die Leiterplatte (108; 406; 500) eine erste Oberfläche, die dem einzigen Metallflansch (102; 400; 502) zugewandt ist, eine der ersten Oberfläche gegenüberliegende zweite Oberfläche,und mehrere Öffnungen (112; 408), die verschiedene Regionen der ersten Hauptfläche (104, 402) des einzigen Metallflansches (102; 400; 502) freilegen, aufweist; und mehrere Halbleiter-Dies (120, 122, 126, 128, 130, 134, 136, 138; 142, 124, 132; 212, 214, 216, 218), von denen jeder in einer der Öffnungen (112; 408) in der Leiterplatte (108; 406; 500) angeordnet ist und an der ersten Hauptfläche (104, 402) des einzigen Metallflansches (102; 400; 502) angebracht ist,wobei die Leiterplatte (108; 406; 500) mehrere metallische Leiterbahnen (144, 146, 148; 210, 206, 208, 415, 416, 418) auf der zweiten Oberfläche zum elektrischen Verbinden der Halbleiter-Dies (120, 122, 126, 128, 130, 134, 136, 138; 142, 124, 132; 212, 214, 216, 218) miteinander, um eine Schaltung zu bilden, umfasst.
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