公开(公告)号：DE102010046254A1

公开(公告)日：2012-04-19

申请号：DE102010046254

申请日：2010-09-22

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHNEIDER MARKUS DR ,  RAMCHEN JOHANN ,  WITTMANN MICHAEL DR

IPC: H01L33/44 ,  H01S5/022

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement angegeben, mit – einem Träger (1), der eine Oberseite (11) und eine der Oberseite (11) gegenüberliegende Unterseite (12) aufweist; – zumindest ein an der Oberseite (11) angeordnetes strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil (2) mit einer Strahlungsaustrittsfläche (6), durch die zumindest ein Teil der im Betrieb des Halbleiterbauteils (3) erzeugten elektromagnetischen Strahlung das Halbleiterbauteil (2) verlässt, – eine strahlungsabsorbierende Schicht (3), die dazu eingerichtet ist, auf das Bauelement (100) auftreffendes Umgebungslicht derart zu absorbieren, dass eine dem Träger (1) abgewandte Außenfläche (101) des Bauelements (100) zumindest stellenweise schwarz erscheint, wobei – die strahlungsabsorbierende Schicht (3) das strahlungsemittierende Halbleiterbauteil (2) in lateraler Richtung (L) vollständig umrandet und mit Seitenflächen (23) des strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils (2) zumindest stellenweise in direktem Kontakt ist, und – die Strahlungsaustrittsfläche (6) frei von der strahlungsabsorbierenden Schicht (3) ist.

公开(公告)号：DE102010027253A1

公开(公告)日：2012-01-19

申请号：DE102010027253

申请日：2010-07-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHNEIDER MARKUS DR ,  RAMCHEN JOHANN ,  RACZ DAVID

IPC: H01L33/60 ,  H01L33/50 ,  H01L33/52

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils (1) beinhaltet dieses einen Träger (2) mit einer Trägeroberseite (20). An der Trägeroberseite (20) ist zumindest ein optoelektronischer Halbleiterchip (3) angebracht. Der Halbleiterchip (3) umfasst eine Halbleiterschichtenfolge (32) mit mindestens einer aktiven Schicht zur Erzeugung einer elektromagnetischen Strahlung sowie ein strahlungsdurchlässiges Substrat (34). Weiterhin umfasst das Halbleiterbauteil (1) ein reflektierendes Vergussmaterial (4), das, von der Trägeroberseite (20) ausgehend, den Halbleiterchip (3) in einer lateralen Richtung mindestens bis zu einer halben Höhe des Substrats (34) ringsum umgibt.

公开(公告)号：DE102010009718A1

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：DE102010009718

申请日：2010-03-01

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHNEIDER MARKUS DR

IPC: G01J1/00 ,  G01R31/26 ,  G01N21/63 ,  H01L25/075 ,  H01L25/16 ,  H05B44/00

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Gruppierung oder Kennzeichnung von Lumineszenzdiodenbauelementen (6) angegeben, bei dem eine Vielzahl von Lumineszenzdiodenbauelementen (6) bereitgestellt wird, die zur Erzielung einer vorgegebenen Zielhelligkeit Φ0 erforderliche Sollstromstärke I0 für jedes der Lumineszenzdiodenbauelemente (6) gemessen wird, und nachfolgend eine Gruppierung oder Kennzeichnung der Lumineszenzdiodenbauelemente (6) anhand der gemessenen Sollstromstärke I0 erfolgt. Ferner wird ein Lumineszenzdiodenbauelement (6) angegeben, das mindestens eine Lumineszenzdiode (3) und einen Speicherbaustein (4) aufweist, wobei in dem Speicherbaustein (4) die zur Erzielung einer vorgegebenen Zielhelligkeit Φ0 erforderliche Sollstromstärke I0 gespeichert ist.