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    Lichtemittierendes Bauelement
    1.
    发明专利
    Lichtemittierendes Bauelement 未知

    公开(公告)号：DE102016106851A1

    公开(公告)日：2017-10-19

    申请号：DE102016106851

    申请日：2016-04-13

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： RACZ DAVID ,  STREPPEL ULRICH

    IPC: H01L33/58 ,  F21K99/00 ,  H01L33/50

    Abstract: Es wird ein lichtemittierendes Bauelement mit einem Träger vorgeschlagen, wobei auf einer ersten Seite des Trägers ein lichtemittierender Halbleiterchip angeordnet ist, wobei der Träger lichtdurchlässig ist, wobei auf einer zweiten Seite, die der ersten Seite gegenüber liegend angeordnet ist, eine reflektierende Schicht vorgesehen ist, wobei die reflektierende Schicht das vom Halbleiterchip emittierte Licht wenigstens teilweise in den Träger zurück lenkt, wobei wenigstens an einem Teil einer Seitenfläche des Trägers, die zwischen der ersten und der zweiten Seite angeordnet ist, eine Konversionsschicht vorgesehen ist.

    Verfahren zur Verspiegelung von Mantelflächen von optischen Bauelementen für die Verwendung in optoelektronischen Halbleiterkörpern und oberflächenmontierbarer optoelektronischer Halbleiterkörper
    2.
    发明专利
    Verfahren zur Verspiegelung von Mantelflächen von optischen Bauelementen für die Verwendung in optoelektronischen Halbleiterkörpern und oberflächenmontierbarer optoelektronischer Halbleiterkörper 未知

    公开(公告)号：DE102015107590A1

    公开(公告)日：2016-11-17

    申请号：DE102015107590

    申请日：2015-05-13

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HERRMANN SIEGFRIED ,  O'BRIEN DAVID ,  RACZ DAVID

    IPC: H01L33/60 ,  H01L25/075 ,  H01L33/62

    Abstract: Ein Verfahren zur Verspiegelung von Mantelflächen von optischen Bauelementen (1) für die Verwendung in optoelektronischen Halbleiterkörpern umfasst einen Schritt A), in dem eine Mehrzahl von optischen Bauelementen (1) auf einem Träger (2) angeordnet wird, wobei jedes Bauelement (1) eine Vorderseite (16), eine der Vorderseite (16) gegenüberliegende Rückseite (12) und quer zur Vorderseite (16) verlaufende Seitenflächen (15) aufweist. In einem Schritt B) wird eine Opferschicht (3) auf jedes Bauelement (1) aufgebracht, sodass bei jedem Bauelement (1) die Vorderseite (16) zumindest teilweise von der Opferschicht (3) überdeckt wird. In einem Schritt C) wird eine Spiegelschicht (4) auf die Bauelemente (1) aufgebracht, sodass die Spiegelschicht (4) die Opferschicht (3) und alle nicht vom Träger (2) bedeckten Seiten eines jeden Bauelements (1) zumindest teilweise überdeckt. In einem Schritt D) werden die Opferschicht (3) und die darauf befindliche Spiegelschicht (4) von der Vorderseite (16) eines jeden Bauelements (1) abgetragen, wobei die Spiegelschicht (4) auf den übrigen, zuvor von der Spiegelschicht (4) überdeckten Seiten der Bauelemente (1) verbleibt.

    Optoelektronisches Halbleiterbauteil
    4.
    发明专利
    Optoelektronisches Halbleiterbauteil 未知

    公开(公告)号：DE102010027253A1

    公开(公告)日：2012-01-19

    申请号：DE102010027253

    申请日：2010-07-15

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SCHNEIDER MARKUS DR ,  RAMCHEN JOHANN ,  RACZ DAVID

    IPC: H01L33/60 ,  H01L33/50 ,  H01L33/52

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils (1) beinhaltet dieses einen Träger (2) mit einer Trägeroberseite (20). An der Trägeroberseite (20) ist zumindest ein optoelektronischer Halbleiterchip (3) angebracht. Der Halbleiterchip (3) umfasst eine Halbleiterschichtenfolge (32) mit mindestens einer aktiven Schicht zur Erzeugung einer elektromagnetischen Strahlung sowie ein strahlungsdurchlässiges Substrat (34). Weiterhin umfasst das Halbleiterbauteil (1) ein reflektierendes Vergussmaterial (4), das, von der Trägeroberseite (20) ausgehend, den Halbleiterchip (3) in einer lateralen Richtung mindestens bis zu einer halben Höhe des Substrats (34) ringsum umgibt.

    Strahlungsemittierendes Bauteil
    6.
    发明专利
    Strahlungsemittierendes Bauteil 未知

    公开(公告)号：DE102018120112A1

    公开(公告)日：2020-02-20

    申请号：DE102018120112

    申请日：2018-08-17

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SORG JÖRG ERICH ,  RACZ DAVID

    IPC: F21V9/40 ,  H01L33/50 ,  H01S5/00

    Abstract: Es wird ein strahlungsemittierendes Bauteil angegeben mit:- einem ersten strahlungsemittierenden Halbleiterchip (1), der zur Erzeugung von einer ersten elektromagnetischen Primärstrahlung ausgebildet ist, und einem zweiten strahlungsemittierenden Halbleiterchip (2), der zur Erzeugung von einer zweiten elektromagnetischen Primärstrahlung ausgebildet ist,- einem ersten Konversionselement (3), das die erste und/oder die zweite elektromagnetische Primärstrahlung teilweise in eine erste Sekundärstrahlung konvertiert, wobei- der erste strahlungsemittierende Halbleiterchip (1) eine erste Halbleiterlaserdiode ist,- die erste elektromagnetische Primärstrahlung blaue Primärstrahlung ist, und- die erste Sekundärstrahlung grüne (g) Sekundärstrahlung ist.

    Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
    7.
    发明专利
    Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips 未知

    公开(公告)号：DE102017124307A1

    公开(公告)日：2019-04-18

    申请号：DE102017124307

    申请日：2017-10-18

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： O'BRIEN DAVID ,  QUEREN DÉSIRÉE ,  RACZ DAVID ,  GÖÖTZ BRITTA ,  SCHUMANN MICHAEL

    IPC: H01L33/50 ,  H01L33/58

    Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) angegeben mit einem aktiven Bereich (11) in einem Halbleiterkörper (12) mit einer Haupterstreckungsebene, wobei der aktive Bereich (11) dazu ausgelegt ist im Betrieb des optoelektronischen Halbleiterchips (10) elektromagnetische Strahlung zu emittieren. Außerdem umfasst der optoelektronische Halbleiterchip (10) mindestens zwei Konversionselemente (13), welche dazu ausgelegt sind die Wellenlänge der vom aktiven Bereich (11) im Betrieb emittierten elektromagnetischen Strahlung zu konvertieren, und mindestens eine Barriere (14), welche zumindest teilweise undurchlässig für die vom aktiven Bereich (11) emittierte elektromagnetische Strahlung ist. Dabei ist die Barriere (14) in einer lateralen Richtung (x) zwischen den Konversionselementen (13) angeordnet, wobei die laterale Richtung (x) parallel zur Haupterstreckungsebene des Halbleiterkörpers (12) ist, und die Barriere (14) erstreckt sich quer zur lateralen Richtung (x). Der aktive Bereich (11) weist mindestens zwei Emissionsbereiche (15) auf, welche getrennt voneinander angesteuert werden können, und jedes der Konversionselemente (13) ist in einer Abstrahlrichtung der von einem der Emissionsbereiche (15) emittierten elektromagnetischen Strahlung angeordnet. Außerdem wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips (10) angegeben.

    Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
    8.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement 未知

    公开(公告)号：DE102016108682A1

    公开(公告)日：2017-11-16

    申请号：DE102016108682

    申请日：2016-05-11

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SPERL MATTHIAS ,  RACZ DAVID

    IPC: H01L33/50 ,  H01L33/64

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements angegeben, bei welchem in einem Verfahrensschritt A) ein Bereitstellen zumindest eines lichtemittierenden Halbleiterchips (10a) umfassend ein Saphirsubstrat (1) und eine epitaktisch gewachsene Schichtenfolge (10b) erfolgt. In einem weiteren Verfahrensschritt B) erfolgt ein Anordnen des lichtemittierenden Halbleiterchips (10a) mit einer dem Saphirsubstrat (1) abgewandten Seite auf einen Träger (4), und in einem Verfahrensschritt C) ein Ablösen des Saphirsubstrats (1) vom Halbleiterchip (10a). In einem weiteren Verfahrensschritt D) erfolgt ein Aufbringen eines Konverterelements (5) auf einem Bereich des Halbleiterchips (10a), in welchem das Saphirsubstrat (1) abgelöst wurde, und in einem weiteren Verfahrensschritt E) ein Anordnen des Halbleiterchips (10a) auf einen Hilfsträger (4a), so dass das Konverterelement (5) dem Hilfsträger (4a) zugewandt ist. In einem weiteren Verfahrensschritt F) erfolgt ein Ablösen des Trägers (4) vom Halbleiterchip (10a).

    HALBLEITERBAUTEIL MIT LICHTLEITERSCHICHT
    9.
    发明专利
    HALBLEITERBAUTEIL MIT LICHTLEITERSCHICHT 未知

    公开(公告)号：DE102015121074A1

    公开(公告)日：2017-06-08

    申请号：DE102015121074

    申请日：2015-12-03

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： RACZ DAVID ,  STREPPEL ULRICH ,  PINDL MARKUS ,  BRANDL MARTIN

    IPC: H01L33/48 ,  H01L33/44

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauteil mit einem Halbleiterchip, der ausgebildet ist, um eine elektromagnetische Strahlung zu erzeugen, wobei der Halbleiterchip auf einem Träger angeordnet ist, wobei wenigstens über einer Abstrahlseite des Halbleiterchips eine Konverterschicht angeordnet ist, wobei die Konverterschicht ausgebildet ist, wenigstens einen Teil der vom Halbleiterchip erzeugten Strahlung in der Wellenlänge zu verschieben, wobei auf der Konverterschicht eine Lichtleiterschicht angeordnet ist, wobei auf der Lichtleiterschicht eine erste Schicht angeordnet ist, wobei die Lichtleiterschicht die Strahlung in seitlicher Richtung weg vom Halbleiterchip führt.

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