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    VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS UND OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT
    4.
    发明申请
    VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS UND OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
    制造光电子器件和光电子器件的方法

    公开(公告)号：WO2017167981A1

    公开(公告)日：2017-10-05

    申请号：PCT/EP2017/057729

    申请日：2017-03-31

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： RACZ, David ,  SPERL, Matthias

    IPC: H01L33/52 ,  H01L33/60

    Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Bereitstellen eines Trägers mit einer Oberseite, zum Anordnen einer Portion eines ersten Materials über der Oberseite des Trägers, zum Eindrücken eines optoelektronischen Halbleiterchips in die Portion des ersten Materials derart, dass eine Vorderseite des optoelektronischen Halbleiterchips der Oberseite des Trägers zugewandt ist, zum Anordnen eines zweiten Materials über der Oberseite des Trägers derart, dass die Portion des ersten Materials und der optoelektronische Halbleiterchip zumindest teilweise in das zweite Materialeingebettet werden, wodurch ein Verbundkörper mit einer der Oberseite des Trägers zugewandten Vorderseite gebildet wird, und zum Ablösen des Verbundkörpers von dem Träger.

    Abstract translation:

    制造光电子器件的方法，包括提供Tr的AUML的工序;具有用于将第一材料的一部分OVER Tr的＆AUML的顶部的上部表面热尔;热尔，对于eindr导航使用CKEN的光电子 在所述第一材料的所述部分的半导体芯片，使得所述光电子半导体芯片的顶Tr的AUML的前表面;是热尔面，用于将第二材料上Tr的＆AUML的顶部;热尔，使得第一材料的所述部分和所述光电子半导体芯片 至少部分地进入第二Materialeingebettet，由此Verbundk＆oUML;面向前方形成热尔，和ABL＆oUML ;;体Verbundk＆oUML的Tr的AUML仙的顶部;所述Tr的AUML的rpers; GER 。

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER VIELZAHL AN KONVERSIONSELEMENTEN, KONVERSIONSELEMENT UND OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT
    5.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER VIELZAHL AN KONVERSIONSELEMENTEN, KONVERSIONSELEMENT UND OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
    用于生产转换元件，转换元件和光电子器件的各种

    公开(公告)号：WO2016142344A1

    公开(公告)日：2016-09-15

    申请号：PCT/EP2016/054801

    申请日：2016-03-07

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： RACZ, David ,  SPERL, Matthias ,  HAIBERGER, Luca

    IPC: H01L33/50

    CPC classification number: H01L33/505 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl an Konversionselementen (6) mit den folgenden Schritten angegeben: - Bereitstellen eines Trägers (1), - Aufbringen einer ersten Maskenschicht (4) auf den Träger (1), wobei die erste Maskenschicht (4) mit Durchbrüchen (3) strukturiert ist, die die erste Maskenschicht (4) vollständig durchdringen, - Aufbringen eines Konversionsmaterials (5) zumindest in die Durchbrüche (3), und - Vereinzeln der Konversionselemente (6), so dass eine Vielzahl einzelner Konversionselemente (6) entsteht. Es werden zwei weitere Verfahren sowie ein Konversionselement (6) und ein optoelektronisches Bauelement angegeben.

    Abstract translation: 提供了一种方法，用于制备包含以下步骤的多个转换元件（6）： - 提供支撑（1）， - 施加第一掩模层（4）上的支架（1），所述第一掩模层（4）与 穿孔（3）被构造为穿透第一掩模层（4）完全， - 将转换材料（5）至少在开口（3），以及 - 分离所述转换元件（6），使得多个单独的转换元件（6） 就产生了。 其他两个程序以及一个转换元件（6）和光电子器件中给出。

    HALBLEITERBAUELEMENT, BELEUCHTUNGSVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS
    6.
    发明申请
    HALBLEITERBAUELEMENT, BELEUCHTUNGSVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS 审中-公开
    半导体元件，照明装置和方法的半导体元件

    公开(公告)号：WO2016015966A1

    公开(公告)日：2016-02-04

    申请号：PCT/EP2015/065606

    申请日：2015-07-08

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SPERL, Matthias ,  SINGER, Frank

    IPC: H01L33/48 ,  H01L33/50

    CPC classification number: H01L33/58 ,  H01L33/486 ,  H01L33/507 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0066

    Abstract: Es wird ein Halbleiterbauelement (1) angegeben, mit - einem Halbleiterchip (2), der einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) aufweist; - einer Strahlungsaustrittsfläche (10), die parallel zum aktiven Bereichen verläuft; - einem Formkörper (4), der stellenweise an den Halbleiterchip angeformt ist und der zumindest bereichweise mindestens eine Seitenfläche (12) des Halbleiterbauelements bildet; -einer Montagefläche (11), die für die Befestigung des Halbleiterbauelements vorgesehen ist; und - einem Abstandshalter (3), der die Strahlungsaustrittsfläche in einer senkrecht zur Strahlungsaustrittsfläche verlaufenden vertikalen Richtung überragt. Weiterhin werden eine Beleuchtungsvorrichtung (9) und ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements angegeben.

    Abstract translation: 本发明公开了一种半导体器件（1），包括： - 一个半导体芯片（2），其具有用于产生辐射激活区（20）; - 辐射出射面（10），其平行于所述有源区; - 一个形主体（4），其被局部地形成在半导体芯片上并至少部分地形成的半导体器件的至少一个侧表面（12）; - 这被设置用于固定所述半导体装置的安装表面（11）; 和 - 突出超过辐射出射面的方向垂直于所述辐射出射面垂直方向上的间隔件（3）。 此外，提供了用于制造半导体装置的照明装置（9）和一种方法。

    DETEKTIONSANORDNUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON DETEKTIONSANORDNUNGEN
    7.
    发明申请
    DETEKTIONSANORDNUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON DETEKTIONSANORDNUNGEN 审中-公开
    检测装置和生成检测装置的方法

    公开(公告)号：WO2018024840A1

    公开(公告)日：2018-02-08

    申请号：PCT/EP2017/069704

    申请日：2017-08-03

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SINGER, Frank ,  SPERL, Matthias

    IPC: G01N21/3504 ,  G01N21/03 ,  G01J3/02

    CPC classification number: G01N21/3504 ,  G01J3/021 ,  G01J3/42 ,  G01N21/0303 ,  G01N2201/0228 ,  G01N2201/0634 ,  G01N2201/0636

    Abstract: Es wird eine Detektionsanordnung (1) angegeben, umfassend: - einen Emitter (2) zur Erzeugung einer Strahlung mit einer Peak-Wellenlänge im infraroten Spektralbereich; - einen Detektor (3) zum Empfangen der Strahlung; - eine Montagefläche (10), an der zumindest eine erste Kontaktfläche (51) und eine zweite Kontaktfläche (52) für die externe elektrische Kontaktierung der Detektionsanordnung ausgebildet sind; - einen Formkörper (4), der zumindest stellenweise an den Emitter und an den Detektor angrenzt; und - eine Umlenkoptik (6), auf die im Betrieb der Detektionsanordnung von dem Emitter emittierte Strahlung trifft, wobei mittels der Umlenkoptik ein optischer Pfad (9) zwischen dem Emitter und dem Detektor gebildet ist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung von Detektionsanordnungen angegeben.

    Abstract translation: 指定检测装置（1），其包括： - 发射器（2），用于产生具有在红外光谱范围内的峰值波长的辐射; 检测器（3），用于接收辐射; - 安装表面（10），至少第一接触表面（51）和第二接触表面（52）形成在安装表面（10）上以用于检测装置的外部电接触; - 模制体（4），至少在靠近发射器和检测器的地方; 和 - 一个偏转光学系统（6）入射到检测装置的辐射的操作期间从发射器发射的光（9）通过所述偏转光学器件的装置中的发射器和检测器之间形成光路。 此外，还规定了一种生成检测装置的方法。

    HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS
    8.
    发明申请
    HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS 审中-公开
    半导体元件和制造半导体结构元件的方法

    公开(公告)号：WO2017144451A1

    公开(公告)日：2017-08-31

    申请号：PCT/EP2017/053910

    申请日：2017-02-21

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： PERZLMAIER, Korbinian ,  LEIRER, Christian ,  SPERL, Matthias

    IPC: H01L33/52 ,  H01L25/075 ,  H01L27/15 ,  H01L33/62

    CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L25/167 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/382 ,  H01L33/486 ,  H01L33/52

    Abstract: Halbleiterbauelement - mit mindestens einem Halbleiterchip (10), der einen Halbleiterkörper (1) mit einem aktiven Bereich (12), ein Konversionselement (6) und einen Träger (3) umfasst, und der Träger (3) einen ersten Formkörper (33), einen ersten Leiterkörper (31) und einen zweiten Leiterkörper (32) aufweist, und die Leiterkörper (31, 32) mit dem aktiven Bereich (12) elektrisch leidend verbunden sind, und bei dem eine vom aktiven Bereich (12) abgewandte Seite des Konversionselements (6) eine Vorderseite (101) des Halbleiterchips (10) bildet und eine vom aktiven Bereich (12) abgewandte Seite des Trägers (3) eine Rückseite (102) des Halbleiterchips (10) bildet, und Seitenflächen (103) des Halbleiterchips Vorder- (101) und Rückseite (102) miteinander verbinden, und - mit einem zweiten Formkörper (5), wobei - der Halbleiterchip (10) den zweiten Formkörper (5) vollständig durchdringt, derart, dass der zweite Formkörper (5) einen Rahmen um den Halbleiterchip (10) bildet und dass die Vorderseite (101) und die Rückseite (102) des Halbleiterchips (10) zumindest stellenweise frei vom zweiten Formkörper (5) sind, und - der zweite Formkörper (5) an den Seitenflächen des Halbleiterchips (10) freiliegende Flächen des Konversionselements (6) zumindest teilweise überdeckt.

    Abstract translation:

    一种半导体装置， - 与具有至少一个半导体芯片（10），一个Halbleiterk＆OUML;包括GER（3），和;（1）具有有源区（12），一个转换元件主体（6），并且在TR AUML 的Tr的AUML; GER（3）包括一个第一模制＆oUML;主体（33），第一Leiterk＆oUML;主体（31）和第二Leiterk＆oUML;主体（32），并且Leiterk＆oUML;主体（31，32）（与有源区 12）电痛苦连接，并且其中一个（从有源区域12）后面对所述转换元件（6）形成在半导体芯片（10）和一个的前侧（101）（从有源区域12）中的Tr的AUML的远程侧;蒙古包（ 3）R导航使用形成在半导体芯片（10）的底面（102），和半导体芯片正面（101）和R导航使用的下侧（102）彼此的Seitenfl BEAR表面（103），以及 - 具有第二模制＆oUML;主体（5 ），其中 - 半导体芯片（10）完全穿透第二模制体（5），使得第二模制体 成型＆OUML;形成主体（5）的半导体芯片周围的框架（10）和所述前侧（101）和R导航用途是主体（5），以及 - 至少在半导体芯片（10）的后部（102）的地方自由从第二成型＆OUML 第二模制体（5）至少部分地覆盖暴露在半导体芯片（10）的侧表面上的转换元件（6）的表面，

    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT UND DESSEN HERSTELLUNGSVERFAHREN
    9.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT UND DESSEN HERSTELLUNGSVERFAHREN 审中-公开
    光电半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号：WO2016198577A1

    公开(公告)日：2016-12-15

    申请号：PCT/EP2016/063263

    申请日：2016-06-10

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SPERL, Matthias ,  WITTMANN, Michael ,  RACZ, David

    IPC: H01L33/56 ,  H01L25/16

    CPC classification number: H01L33/56 ,  H01L25/167 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/181 ,  H01L2933/0091 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Anordnung, wobei ein optoelektronisches Halbleiterbauelement auf einem Träger bereitgestellt wird, wobei eine erste Schicht mit einem Matrixmaterial und Streupartikel auf eine Oberseite des Trägers aufgetragen wird, wobei auf die Anordnung eine Zentrifugalkraft oder eine Schwerkraft derart ausgeübt wird, dass die Streupartikel in der ersten Schicht zumindest teilweise in Richtung des Trägers bewegt werden und eine Erhöhung der Konzentration der Streupartikel in der ersten Schicht in der Nähe des Trägers erreicht wird.

    Abstract translation: 本发明涉及其中的光电子半导体器件被提供在载体上的方法和布置，包含基质材料和散射颗粒的第一层涂覆在载体上，其中，一个离心力或重力以这样的方式施加到所述装置的顶面 散射粒子在所述第一层至少部分地在所述载体的方向移动并提高散射粒子的浓度在第一层中的穿用者的附近来实现的。

    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG
    10.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG 审中-公开
    光电子器件及其制造方法

    公开(公告)号：WO2016102474A1

    公开(公告)日：2016-06-30

    申请号：PCT/EP2015/080803

    申请日：2015-12-21

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SPERL, Matthias ,  GEBUHR, Tobias ,  RACZ, David

    IPC: H01L33/52 ,  H01L33/62 ,  H01L33/48

    CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L33/486 ,  H01L33/52 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

    Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement (10, 20, 30, 40, 50, 60, 70) umfasst einen ersten Leiterrahmenabschnitt (100), einen zweiten Leiterrahmenabschnitt (200) und einen optoelektronischen Halbleiterchip (400,1400). Der erste Leiterrahmenabschnitt und der zweite Leiterrahmenabschnitt weisen jeweils eine Oberseite (101, 201) auf. Der optoelektronische Halbleiterchip ist auf der Oberseite (101) des ersten Leiterrahmenabschnitts angeordnet. Der erste Leiterrahmenabschnitt, der zweite Leiterrahmenabschnitt und der optoelektronische Halbleiterchip sind gemeinsam in einen Formkörper (500) eingebettet. Die Oberseiten der Leiterrahmenabschnitte sind durch den optoelektronischen Halbleiterchip und den Formkörper vollständig bedeckt.

    Abstract translation: 的光电元件（10，20，30，40，50，60，70）包括第一引线框架部分（100），第二引线框架部分（200）和光电子半导体芯片（400.1400）。 第一引线框架部分和第二引线框架部分各自具有上表面（101，201）。 光电子半导体芯片被布置在第一引线框架部分的顶部（101）。 第一导体框架部分，所述第二引线框架部分和所述光电子半导体芯片中的成形体（500）被嵌入到一起。 引线框架部分的顶部完全由光电子半导体芯片和模制覆盖。

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