公开(公告)号：WO2019063436A1

公开(公告)日：2019-04-04

申请号：PCT/EP2018/075648

申请日：2018-09-21

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WINDISCH, Reiner ,  BÖSL, Florian ,  DOBNER, Andreas ,  SPERL, Matthias

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L25/0753 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62

Abstract: Es wird eine Vorrichtung (1) mit einem Leiterrahmen (3), einem Formkörper (4) und einer Mehrzahl von Halbleiterchips (2), die zur Erzeugung von Strahlung eingerichtet sind, angegeben, wobei - der Leiterrahmen zwei Anschlussteile (31) zur externen elektrischen Kontaktierung der Vorrichtung aufweist; - der Formkörper an den Leiterrahmen angeformt ist; - der Formkörper für die im Betrieb der Vorrichtung erzeugte Strahlung durchlässig ist; und - die Halbleiterchips auf einer Vorderseite (41) des Formkörpers angeordnet sind und jeweils in Draufsicht auf die Vorrichtung mit dem Formkörper überlappen. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung von Vorrichtungen angegeben.

公开(公告)号：WO2008040274A1

公开(公告)日：2008-04-10

申请号：PCT/DE2007/001536

申请日：2007-08-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  WINDISCH, Reiner ,  WIRTH, Ralph

Inventor： WINDISCH, Reiner ,  WIRTH, Ralph

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/08 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0083 ,  H01L2924/00

Abstract: Die Erfindung beschreibt einen LED-Halbleiterkörper (1) mit mindestens einer ersten strahlungserzeugenden aktiven Schicht (31) und mindestens einer zweiten strahlungserzeugenden aktiven Schicht (32), wobei der LED-Halbleiterkörper (1) einen photonischen Kristall (6) aufweist. Ferner beschreibt die Erfindung die Verwendung eines derartigen LED-Halbleiterkörpers (1).

Abstract translation: 本发明描述了一种具有至少一个LED半导体主体（1）的第一辐射产生活性层（31）和至少一个第二辐射产生活性层（32），其中，所述LED半导体主体（1）的光子晶体（6）。 此外，本发明描述了使用这样的LED半导体主体（1）的。

公开(公告)号：WO2009094966A2

公开(公告)日：2009-08-06

申请号：PCT/DE2008/002126

申请日：2008-12-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  BUTENDEICH, Rainer ,  WINDISCH, Reiner

Inventor： BUTENDEICH, Rainer ,  WINDISCH, Reiner

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L31/03529 ,  H01L31/02162 ,  H01L31/105 ,  H01L31/1844 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: Es wird ein Strahlungsempfänger (1) mit einem Halbleiterkörper (2) angegeben, der einen ersten aktiven Bereich (210) und einen zweiten aktiven Bereich (220) aufweist, die jeweils zur Detektion von Strahlung vorgesehen sind. Der erste aktive Bereich (210) und der zweite aktive Bereich (220) sind in vertikaler Richtung voneinander beabstandet. Zwischen dem ersten aktiven Bereich (210) und dem zweiten aktiven Bereich (220) ist ein Tunnelbereich (24) angeordnet. Der Tunnelbereich (24) ist mit einer Anschlussfläche (31) elektrisch leitend verbunden, die zur externen elektrischen Kontakt ierung des Halbleiterkörpers (2) zwischen dem ersten aktiven Bereich (210) und dem zweiten aktiven Bereich (220) vorgesehen ist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines Strahlungsempfängers angegeben.

Abstract translation: 示出了具有半导体主体（2）的辐射接收器（1），其具有第一有源区域（210）和第二有源区域（220），每个用于检测 提供辐射。 第一有源区域（210）和第二有源区域（220）在垂直方向上间隔开。 在第一有源区域（210）和第二有源区域（220）之间布置隧道区域（24）。 隧道区（24）导电地连接到为第一有源区（210）和第二有源区（220）之间的半导体本体（2）的外部电接触提供的连接表面（31）。 此外，还规定了制造辐射接收器的方法。

公开(公告)号：WO2009039804A3

公开(公告)日：2009-04-02

申请号：PCT/DE2008/001301

申请日：2008-08-04

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  WINDISCH, Reiner ,  ENGL, Karl ,  WIESMANN, Christopher

Inventor： WINDISCH, Reiner ,  ENGL, Karl ,  WIESMANN, Christopher

IPC: H01L33/00

Abstract: Es wird ein strahlungsemittierendes Bauelement (B) angegeben mit einem auf einem Halbleitermaterial basierenden Schichtstapel, der eine aktive Schichtfolge (A, C1, C2) zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass: auf einer letzten Schicht (C2) des Schichtenstapels in Abstrahlrichtung (e) eine Vielzahl von Metallflächen (M) aufgebracht sind, die Metallflächen (M) in einer ersten Richtung (d1) und in einer davon unterschiedlichen zweiten Richtung (d2) unterschiedliche Abmessungen (a1, a2) aufweisen, und die Metallflächen (M) periodisch in der ersten Richtung (d1) und periodisch in der zweiten Richtung (d2) angeordnet sind.

公开(公告)号：WO2008080383A1

公开(公告)日：2008-07-10

申请号：PCT/DE2007/002264

申请日：2007-12-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  GÜNTHER, Ewald Karl Michael ,  WINDISCH, Reiner ,  ROSE, Monika

Inventor： GÜNTHER, Ewald Karl Michael ,  WINDISCH, Reiner ,  ROSE, Monika

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/00 ,  F21K7/00

CPC classification number: H01L25/0753 ,  F21K9/00 ,  F21Y2113/13 ,  F21Y2115/10 ,  H01L25/167 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014

Abstract: Eine optoelektronische Anordnung (1) umfasst eine Leistungsleuchtdiode (10) und eine Einstell-Leuchtdiode (20). Von der Leistungsleuchtdiode (10) ist eine erste Strahlung (SL) mit einem ersten Emissionsspektrum (EL) abstrahlbar. Von der Einstell-Leuchtdiode (20) ist eine zweite Strahlung (SE) mit einem zweiten Emissionsspektrum (EE) abstrahlbar. Eine Gesamtstrahlung (SO) der optoelektronischen Anordnung (1) umfasst die erste Strahlung (SL) und die zweite Strahlung (SE).

Abstract translation: 的光电装置（1）包括功率发光二极管（10）和一调节发光二极管（20）。 从功率发光二极管（10）是具有一个辐射第一发射光谱（EL）的第一辐射（SL）。 从该组向上发光二极管（20）是具有第二发射光谱（EE）辐射的第二辐射（SE）。 光电子器件（1）的总辐射（SO）包括第一辐射（SL）和第二辐射（SE）。

公开(公告)号：WO2005096394A1

公开(公告)日：2005-10-13

申请号：PCT/DE2005/000428

申请日：2005-03-10

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  JAEGER, Arndt ,  STAUSS, Peter ,  WINDISCH, Reiner

Inventor： JAEGER, Arndt ,  STAUSS, Peter ,  WINDISCH, Reiner

IPC: H01L31/0216

CPC classification number: H01L31/02162 ,  H01L31/0687 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: Es wird ein Strahlungsdetektor zur Detektion von Strahlung (8) gemäß einer vorgegebenen spektralen Empfindlichkeitsverteilung (9), die ein Maximum bei einer vorgegebenen Wellenlänge λ o aufweist, umfassend einen Halbleiterkörper (1) mit einem der Detektorsignalerzeugung dienenden und zum Strahlungsempfang vorgesehenen aktiven Bereich (5) angegeben, wobei der aktive Bereich (5) gemäß einer Ausführungsform eine Mehrzahl von Funktionsschichten (4a, 4b, 4c, 4d) umfasst, die unterschiedliche Bandlücken und/oder Dicken aufweisen und derart ausgebildet sind, dass sie (4a, 4b, 4c, 4d) zumindest teilweise Strahlung in einem Wellenlängenbereich größer als λ0 absorbieren. Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist dem aktiven Bereich eine Filterschichtstruktur (70) nachgeordnet, die zumindest eine Filterschicht (7, 7a, 7b, 7c) umfasst, wobei die Filterschichtstruktur die kurzwellige Seite (101) der Detektorempfindlichkeit (10) gemäß der vorgegebenen spektralen Empfindlichkeitsverteilung (9) durch Absorption von Wellenlängen kleiner als λ o bestimmt. Weiterhin wird ein Strahlungsdetektor zur Detektion von Strahlung (8) gemäß der spektralen Empfindlichkeitsverteilung (9) des menschlichen Auges angegeben. Der Halbleiterkörper kann monolithisch integriert sein.

Abstract translation: 它正在服务的放射线检测器，用于检测辐射（8）根据其具有在预定波长lambdao最大包括半导体主体（1）与所述检测器信号生成中的一个和用于接收辐射有源区域中的预定光谱灵敏度分布（9）（5） 指定的，其中，根据一个实施例的有源区（5）包括多个功能层（4A，4B，4C，4D），其具有不同带隙和/或厚度和被形成为使得它们（图4a，4b，4c，4d的 的波长范围内大于lambda0更大吸收）至少部分辐射。 根据进一步的实施例中，过滤层结构（70）被设置在有源区的下游，所述至少一个滤光层（7，图7A，7B，7C），其中，所述过滤器层结构中的给定的光谱灵敏度分布的检测器灵敏度（10）的短波长侧（101）（ 9）通过波长的吸收来测定比lambdao小。 此外，提供用于检测根据人眼的光谱灵敏度分布（9）辐射（8）的放射线检测器。 半导体本体可以单片集成。

公开(公告)号：WO2005024961A1

公开(公告)日：2005-03-17

申请号：PCT/DE2004/001708

申请日：2004-07-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  STEIN, Wilhelm ,  WINDISCH, Reiner ,  WIRTH, Ralph ,  PIETZONKA, Ines

Inventor： STEIN, Wilhelm ,  WINDISCH, Reiner ,  WIRTH, Ralph ,  PIETZONKA, Ines

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L33/02

Abstract: Strahlungemittierendes Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper, umfassend eine erste Hauptfläche (5), eine zweite Hauptfläche (9) und eine Halbleiterschichtenfolge (4) mit einer elektromagnetische Strahlung erzeugenden aktiven Zone (7), wobei die Halbleiterschichtenfolge (4) zwischen der ersten und der zweiten Hauptfläche (5,9) angeordnet ist, eine erste Stromaufweitungsschicht (3) auf der ersten Hauptfläche (5) angeordnet und mit der Halbleiterschichtenfolge (4) elektrisch leitend verbunden ist sowie eine zweite Stromaufweitungsschicht (10) auf der zweiten Hauptfläche (9) angeordnet und mit der Halbleiterschichtenfolge (4) elektrisch leitend verbunden ist.

Abstract translation: 发射辐射的半导体元件具有半导体主体，其包括第一主表面（5），一个第二主表面（9）和一个半导体层序列（4）与电磁辐射产生活性区（7），其中，所述半导体层序列（4）在第一和第二主表面之间 （5,9）被布置设置在第一主表面上的第一电流扩展层（3）（5）和与该半导体层序列（4）导电连接，并且在第二主表面（9）的第二电流扩展层（10）和设置有 半导体层序列（4）导电连接。

公开(公告)号：WO2022029292A2

公开(公告)日：2022-02-10

申请号：PCT/EP2021/072011

申请日：2021-08-06

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WINDISCH, Reiner ,  LANKES, Simon

IPC: G01J3/02 ,  G01J3/10 ,  G01J3/28 ,  G01J3/42 ,  G01J3/12 ,  G01J2003/102 ,  G01J2003/1226 ,  G01J2003/2806 ,  G01J3/021 ,  G01J3/0229 ,  G01J3/0256 ,  G01J3/0262 ,  G01J3/0291 ,  G01J3/2803

Abstract: Die Erfindung betrifft einen Detektor zur Spektroskopie im Nahbereich eines Messobjektes mit einem Gehäuse (10) mit wenigstens einer Apertur (21) zum Zuführen eines von dem Messobjekt reflektierten oder abgestrahlten Lichtbündels, wobei das Gehäuse das wenigstens eine Querschnittsebene aufweist, in der die wenigstens eine Apertur eine erste und eine zweite nicht zusammenhängende Schnittfläche aufweist. Eine Detektoranordnung zum wellenlängen- und winkelabhängigen Detektieren von Licht, ist in dem Gehäuse (10) lateral beabstandet von der wenigstens einen Apertur (21) angeordnet. Der Detektor umfasst ein erstes und ein zweites einer Detektorfläche gegenüberliegendes Reflektorelement (15) in dem Gehäuse. Das erste Reflektorelement ist (13) in einem Strahlengang der wenigstens einen Apertur (21) angeordnet und lenkt ein durch die wenigstens eine Apertur einfallendes Lichtbündel auf das zweite Reflektorelement lenkt, das ausgestaltet ist, ein einfallendes Lichtbündel auf die Detektorfläche zu lenken.

公开(公告)号：WO2010051790A1

公开(公告)日：2010-05-14

申请号：PCT/DE2009/001449

申请日：2009-10-19

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  LUGAUER, Hans-Jürgen ,  STREUBEL, Klaus ,  STRASSBURG, Martin ,  WINDISCH, Reiner ,  ENGL, Karl

Inventor： LUGAUER, Hans-Jürgen ,  STREUBEL, Klaus ,  STRASSBURG, Martin ,  WINDISCH, Reiner ,  ENGL, Karl

IPC: H01L33/22

CPC classification number: H01L33/22 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/32 ,  H01L33/44

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines Strahlung emittierenden Dünnschichtbauelements (1) weist dieses folgende Schritte auf: - Bereitstellen eines Substrats (2), - Aufwachsen von Nanostäben (3) auf dem Substrat (2), - epitaktisches Aufwachsen einer Halbleiterschichtenfolge (4) mit mindestens einer aktiven Schicht (5) auf den Nanostäben (3), - Aufbringen eines Trägers (6) auf der Halbleiterschichtenfolge (4), und - Abtrennen von Halbleiterschichtenfolge (4) und Träger (6) vom Substrat (2) durch mindestens teilweises Zerstören der Nanostäbe (3). Durch ein solches Herstellungsverfahren können mechanische Spannungen und Risse in der Halbleiterschichtenfolge (4), die durch das Aufwachsen resultieren, reduziert werden.

Abstract translation: 在用于制造发射辐射的薄膜元件（1）具有在此以下步骤的方法的至少一个实施例中： - 在衬底（2）上的纳米棒（3）的生长， - - 提供衬底（2），外延生长的半导体层序列（4- ），具有至少一个有源层（5）上的纳米棒（3）， - 将载体（6）在该半导体层序列（4），以及 - （4）和载体从衬底（2）由至少（6）分离所述半导体层序列 纳米棒的部分破坏（3）。 由机械应力和裂纹这样的制造方法，能够在半导体层序列中的（4）可以减小通过生长得到的。

公开(公告)号：WO2009143795A1

公开(公告)日：2009-12-03

申请号：PCT/DE2009/000542

申请日：2009-04-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  ZEILER, Thomas ,  WINDISCH, Reiner ,  GRUBER, Stefan ,  KIRSCH, Markus ,  MUSCHAWECK, Julius ,  BAADE, Torsten ,  BRUNNER, Herbert ,  KÖHLER, Steffen

Inventor： ZEILER, Thomas ,  WINDISCH, Reiner ,  GRUBER, Stefan ,  KIRSCH, Markus ,  MUSCHAWECK, Julius ,  BAADE, Torsten ,  BRUNNER, Herbert ,  KÖHLER, Steffen

IPC: H01L33/00 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/0203

CPC classification number: H01L33/54 ,  H01L25/042 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/38 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00

Abstract: Gemäß mindestens einer Ausführungsform der Halbleiteranordnung umfasst diese eine Montageseite, mindestens einen optoelektronischen Halbleiterchip mit einander gegenüberliegenden Chipober- und Chipunterseiten, sowie mindestens einen zumindest teilweise strahlungsdurchlässigen Körper mit einer Körperunterseite, an der der Halbleiterchip so angebracht ist, dass die Chipoberseite der Körperunterseite zugewandt ist. Des Weiteren umfasst die Halbleiteranordnung mindestens zwei elektrische Anschlussstellen zur elektrischen Kontaktierung des optoelektronischen Halbleiterchips, wobei die Anschlussstellen den Körper lateral nicht überragen und mit ihrer, dem Halbleiterchip abgewandten Seite die Halbleiteranordnung an deren Montageseite begrenzen.

Abstract translation: 根据半导体器件的至少一个实施例中，它包括一个安装侧，至少一个光电子半导体芯片具有相对Chipober-和芯片个碱基，并且具有在其上安装的半导体芯片，使得所述主体底部的芯片顶侧面的主体基座的至少一个至少部分地辐射透明体。 此外，半导体装置包括用于光电子半导体芯片的电接触，其特征在于，所述主体的所述连接点横向不突出，并与它们相面对的从半导体器件的半导体芯片侧远在安装侧限定至少两个电连接点。