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公开(公告)号：WO2019057789A1
公开(公告)日：2019-03-28
申请号：PCT/EP2018/075384
申请日：2018-09-19
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： EICHLER, Christoph , PETER, Matthias , WAGNER, Jan
Abstract: Es wird eine Laserdiode (10) beschrieben, mit einer Halbleiterschichtenfolge (12), die auf einem Nitridverbindungshalbleitermaterial basiert, umfassend eine n-Typ Mantelschicht (2), eine erste Wellenleiterschicht (3A), eine zweite Wellenleiterschicht (3B) und eine zwischen der ersten Wellenleiterschicht (3A) und der zweiten Wellenleiterschicht (3B) angeordnete aktive Schicht (4) zur Erzeugung von Laserstrahlung und eine p-Typ Mantelschicht (6), wobei die p-Typ Mantelschicht (6) eine der aktiven Schicht (4) zugewandte erste Teilschicht (6A) und eine von der aktiven Schicht abgewandte zweite Teilschicht (6B) aufweist. Die erste Teilschicht (6A) weist AlxiGai-xiN mit 0 ≤ x1 ≤ 1 oder Al x1 In y1 Ga 1-x1_y1 N mit 0 ≤ x1 ≤ 1, 0 ≤ yl max und an einer der aktiven Schicht abgewandten Seite (4) einen Minimalwert x1 min max aufweist. Die zweite Teilschicht (6B) weist A1 x2 Ga 1_X2 N mit 0 ≤-S x2 ≤ x1 min oder Al x2 In y2 Ga 1 -x2_y2 N mit 0 min , 0 ≤ y2
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2.发明申请
公开(公告)号：WO2022018071A1
公开(公告)日：2022-01-27
申请号：PCT/EP2021/070237
申请日：2021-07-20
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： WAGNER, Jan , NÄHLE, Lars , GERHARD, Sven , LELL, Alfred , KÖNIG, Harald , EICHLER, Christoph , BRÜDERL, Georg , BEHRINGER, Martin Rudolf
Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterkörpers mit den folgenden Schritten angegeben: Bereitstellen eines Wachstumssubstrats (1) mit einer Hauptfläche (2); Erzeugen einer Vielzahl an Verteilerstrukturen (3) auf der Hauptfläche (2) des Wachstumssubstrats (1); Epitaktisches Abscheiden eines Verbindungshalbleitermaterials auf der Hauptfläche (2) des Wachstumssubstrats (1), wobei das epitaktische Wachstum des Verbindungshalbleitermaterials aufgrund der Verteilerstrukturen (3) entlang der Hauptfläche (2) variiert, so dass beim epitaktischen Abscheiden eine epitaktische Halbleiterschichtenfolge (4) mit zumindest einem ersten Emitterbereich (5) und einem zweiten Emitterbereich (6) auf der Hauptfläche (2) entsteht, wobei der erste Emitterbereich (5) und der zweite Emitterbereich (6) in Draufsicht auf eine Hauptfläche des Halbleiterkörpers lateral nebeneinander angeordnet sind; und der erste Emitterbereich (5) und der zweite Emitterbereich (6) im Betrieb elektromagnetische Strahlung unterschiedlicher Wellenlängenbereiche erzeugen. Außerdem wird ein strahlungsemittierender Halbleiterkörper angegeben.
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公开(公告)号：WO2020104251A1
公开(公告)日：2020-05-28
申请号：PCT/EP2019/081009
申请日：2019-11-12
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： WAGNER, Jan , BERGBAUER, Werner , EICHLER, Christoph , LELL, Alfred , BRUEDERL, Georg , PETER, Matthias
Abstract: Es wird ein kantenemittierender Halbleiterlaser (100) angegeben, mit einer Halbleiterschichtenfolge (10), die auf einem Nitridverbindungshalbleitermaterial basiert, umfassend einen Wellenleiterbereich (3), der eine zwischen einer ersten Wellenleiterschicht (3A) und einer zweiten Wellenleiterschicht (3B) angeordnete aktive Schicht (4) aufweist, wobei - die Halbleiterschichtenfolge (10) ein außerhalb des Wellenleiterbereichs (3) angeordnetes Schichtsystem (20) zur Verminderung von Facettenstörungen in dem Wellenleiterbereich (3) aufweist, - das Schichtsystem (20) eine oder mehrere Schichten (21, 22) mit der Materialzusammensetzung A1 x In y Ga 1-x-y N mit 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y 0,05 oder einen Indiumanteil y ≥ 0,02 aufweist, und - eine Schichtspannung in dem Schichtsystem (20) zumindest bereichsweise mindestens 2 GPa beträgt.
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