公开(公告)号：WO2022248487A1

公开(公告)日：2022-12-01

申请号：PCT/EP2022/064074

申请日：2022-05-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HALBRITTER, Hubert ,  GERHARD, Sven ,  JENTZSCH, Bruno ,  RÜGHEIMER, Tilman ,  WALTER, Christoph

IPC: H01S5/02255 ,  H01S5/02326 ,  H01S5/028 ,  H01S5/18 ,  H01S5/185 ,  H01S5/02 ,  H01S5/026 ,  H01S5/10 ,  H01S5/323 ,  H01S5/42 ,  H01S5/20

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst der optoelektronische Halbleiterchip (1): - einen Träger (2), - eine Halbleiterschichtenfolge (3) an dem Träger (2) mit mindestens einer aktive Zone (33) zur Erzeugung einer Strahlung (R), - eine optisch hochbrechende Schicht (4) an einer Auskoppelfacette (34) der Halbleiterschichtenfolge (3) zur Strahlungsauskopplung, und - eine optisch niedrigbrechende Beschichtung (5) direkt an einer Außenseite (45) der hochbrechenden Schicht (4) zur Totalreflexion der Strahlung (R), wobei - die Halbleiterschichtenfolge (3) dazu eingerichtet ist, die Strahlung (R) in der aktiven Zone (33) senkrecht zu einer Wachstumsrichtung (G) der Halbleiterschichtenfolge (3) zu führen, und - die hochbrechenden Schicht (4) dazu eingerichtet ist, die Strahlung (R) an der Außenseite (45) parallel zur Wachstumsrichtung (G) umzulenken.

公开(公告)号：WO2022243025A1

公开(公告)日：2022-11-24

申请号：PCT/EP2022/061837

申请日：2022-05-03

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： NÄHLE, Lars ,  KÖNIG, Harald ,  GERHARD, Sven

IPC: H01S5/16 ,  H01S5/02 ,  H01S5/10 ,  H01S5/22

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterlaserdiode mit den folgenden Schritten angegeben: - Bereitstellen eines Wachstumssubstrats (1) mit einer Aufwachsfläche (2), - Einbringen zumindest einer Struktur (10) zumindest in einen Facettenbereich (6) der Aufwachsfläche (2), - epitaktisches Aufwachsen einer epitaktischen Halbleiterschichtenfolge (3) mit einer aktiven Zone (12), die im Betrieb elektromagnetische Strahlung erzeugt, auf der Aufwachsfläche (2), wobei - die Struktur (10) von Halbleitermaterial der epitaktischen Halbleiterschichtenfolge (3) überwachsen wird, so dass die aktive Zone (12) in einem nichtabsorbierenden Spiegelbereich (24) eine Bandlücke aufweist, die größer ist als im restlichen Bereich der aktiven Zone (12). Außerdem wird eine Halbleiterlaserdiode angegeben.

公开(公告)号：WO2020120137A1

公开(公告)日：2020-06-18

申请号：PCT/EP2019/082725

申请日：2019-11-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GERHARD, Sven ,  SOMERS, André ,  KÖNIG, Harald ,  ALI, Muhammad

IPC: H01L33/64 ,  H01S5/042 ,  H01S5/022 ,  H01S5/024 ,  H01S5/22

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauteil (1) angegeben mit: - einem optoelektronischen Halbleiterchip (2), der im Betrieb elektromagnetische Strahlung erzeugt, und - einer metallischen Schicht (3), die auf dem Halbleiterchip (2) angeordnet ist, wobei - eine Außenfläche der metallischen Schicht (4) eine Strukturierung (5) aufweist, - mittels der Strukturierung (5) eine Identifikation des Bauteils (1) ermöglicht ist, und - die metallische Schicht (3) zusammenhängend ausgebildet ist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils (1) angegeben.

公开(公告)号：WO2022223402A1

公开(公告)日：2022-10-27

申请号：PCT/EP2022/059893

申请日：2022-04-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GERHARD, Sven ,  NÄHLE, Lars

IPC: H01S5/22 ,  H01S5/02 ,  H01S5/10 ,  H01S5/20 ,  H01S5/026 ,  H01S5/028 ,  H01S5/323 ,  H01S5/16

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Licht emittierenden Halbleiterchips (100) mit einer Halbleiterschichtenfolge (2) angegeben, die einen sich in eine longitudinale Richtung (93) erstreckenden aktiven Bereich (5) aufweist, der im Betrieb des Halbleiterchips zur Erzeugung von Licht (8) mit einer Abstrahlrichtung entlang der longitudinalen Richtung vorgesehen und eingerichtet ist, wobei das Verfahren die folgenden Schritte aufweist: Bereitstellen eines Substrats (1) mit einer Hauptoberfläche (12) mit zumindest einer Vertiefung (15), wobei die Hauptoberfläche eine Haupterstreckungsebene entlang der longitudinalen Richtung und entlang einer zur longitudinalen Richtung senkrecht stehenden transversalen Richtung (91) aufweist, Aufwachsen der Halbleiterschichtenfolge auf der Hauptoberfläche mit der zumindest einen Vertiefung, Ausbilden zumindest einer entlang der transversalen Richtung ausgerichteten Facette (6, 6', 6'', 7) in der Halbleiterschichtenfolge durch ein Ätzverfahren, wobei die Facette in zumindest einer Richtung, die parallel zur Haupterstreckungsebene der Hauptoberfläche ist, einen Abstand von kleiner oder gleich 50 µm von der zumindest einen Vertiefung aufweist. Weiterhin wird ein Licht emittierender Halbleiterchip (100) angegeben.

公开(公告)号：WO2022018071A1

公开(公告)日：2022-01-27

申请号：PCT/EP2021/070237

申请日：2021-07-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WAGNER, Jan ,  NÄHLE, Lars ,  GERHARD, Sven ,  LELL, Alfred ,  KÖNIG, Harald ,  EICHLER, Christoph ,  BRÜDERL, Georg ,  BEHRINGER, Martin Rudolf

IPC: H01S5/227 ,  H01S5/40

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterkörpers mit den folgenden Schritten angegeben: Bereitstellen eines Wachstumssubstrats (1) mit einer Hauptfläche (2); Erzeugen einer Vielzahl an Verteilerstrukturen (3) auf der Hauptfläche (2) des Wachstumssubstrats (1); Epitaktisches Abscheiden eines Verbindungshalbleitermaterials auf der Hauptfläche (2) des Wachstumssubstrats (1), wobei das epitaktische Wachstum des Verbindungshalbleitermaterials aufgrund der Verteilerstrukturen (3) entlang der Hauptfläche (2) variiert, so dass beim epitaktischen Abscheiden eine epitaktische Halbleiterschichtenfolge (4) mit zumindest einem ersten Emitterbereich (5) und einem zweiten Emitterbereich (6) auf der Hauptfläche (2) entsteht, wobei der erste Emitterbereich (5) und der zweite Emitterbereich (6) in Draufsicht auf eine Hauptfläche des Halbleiterkörpers lateral nebeneinander angeordnet sind; und der erste Emitterbereich (5) und der zweite Emitterbereich (6) im Betrieb elektromagnetische Strahlung unterschiedlicher Wellenlängenbereiche erzeugen. Außerdem wird ein strahlungsemittierender Halbleiterkörper angegeben.

公开(公告)号：WO2020182406A1

公开(公告)日：2020-09-17

申请号：PCT/EP2020/053776

申请日：2020-02-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GERHARD, Sven ,  EICHLER, Christoph ,  LELL, Alfred ,  ALI, Muhammad

IPC: H01S5/042 ,  H01S5/22 ,  H01S5/32 ,  H01S5/024 ,  H01S5/026 ,  H01S5/40 ,  H01S5/022 ,  H01S5/323 ,  H01S5/20

Abstract: Es wird eine Halbleiterlaserdiode (100) angegeben, die eine in einer vertikalen Richtung aufgewachsene Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Schicht (3), die dazu eingerichtet und vorgesehen ist, im Betrieb in zumindest einem sich in longitudinaler Richtung (93) erstreckenden aktiven Bereich (5) Licht (8) zu erzeugen, und eine transparente elektrisch leitende Abdeckschicht (4) auf der Halbleiterschichtenfolge aufweist, wobei die Halbleiterschichtenfolge in einer vertikalen Richtung (92) mit einer Oberseite (20) abschließt und die Oberseite einen in vertikaler Richtung über dem aktiven Bereich angeordneten Kontaktbereich (21) und zumindest einen in einer zur vertikalen und longitudinalen Richtung senkrechten lateralen Richtung (91) unmittelbar an den Kontaktbereich anschließenden Abdeckbereich (22) aufweist, die Abdeckschicht zusammenhängend auf der Oberseite auf dem Kontaktbereich und dem zumindest einen Abdeckbereich aufgebracht ist, die Abdeckschicht zumindest im zumindest einen Abdeckbereich unmittelbar auf der Oberseite der Halbleiterschichtenfolge aufgebracht ist und zumindest ein den zumindest einen aktiven Bereich definierendes Element (10) vorhanden ist, das von der Abdeckschicht überdeckt wird. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterlaserdiode angegeben.

公开(公告)号：WO2019137816A1

公开(公告)日：2019-07-18

申请号：PCT/EP2018/097046

申请日：2018-12-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BRÜCKNER, John ,  HEINE, Urs ,  GERHARD, Sven ,  NÄHLE, Lars ,  LÖFFLER, Andreas ,  SOMERS, André

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/78 ,  H01S5/02

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Vereinzeln von Halbleiterbauteilen (20)angegeben, mit den Schrittendes Bereitstellens eines Trägers (21), des Aufbringens von mindestens zwei Halbleiterchips (22) auf den Träger (21), des Ätzens mindestens eines Bruchkeims (23) an einer den Halbleiterchips (22) zugewandten Seite des Trägers (21), und des Vereinzelns von mindestens zwei Halbleiterbauteilen (20) durch Brechen des Trägers (21) entlang des mindestens einen Bruchkeims (23). Dabei erstreckt sich der mindestens eine Bruchkeim (23) zumindest stellenweise in einer vertikalen Richtung (z), wobei die vertikale Richtung (z) senkrecht zu einer Haupterstreckungsebene des Trägers (21) ist, und der mindestens eine Bruchkeim (23) ist in einer lateralen Richtung (x) zwischen den zwei Halbleiterchips (22) angeordnet, wobei die laterale Richtung (x) parallel zur Haupterstreckungsebene des Trägers (21) ist. Weiter weist jedes der Halbleiterbauteile (20) mindestens einen der Halbleiterchips (22) auf, und die Ausdehnung des mindestens einen Bruchkeims (23) in vertikaler Richtung (z) beträgt mindestens 1 % der Ausdehnung des Trägers (21) in vertikaler Richtung (z). Außerdem wird ein Halbleiterbauteil (20) angegeben.

公开(公告)号：WO2019020761A1

公开(公告)日：2019-01-31

申请号：PCT/EP2018/070334

申请日：2018-07-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BRÜCKNER, John ,  GERHARD, Sven

IPC: H01S5/02 ,  H01S5/22

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Laserdioden (1) mit folgenden Verfahrensschritten angegeben: ▪ Bereitstellen einer Mehrzahl von Laserbarren (2) im Verbund (20), wobei die Laserbarren (2) jeweils eine Mehrzahl von nebeneinander angeordneten Laserdiodenelementen (3) umfassen, und die Laserdiodenelemente (3) ein gemeinsames Substrat (4) und jeweils eine auf dem Substrat (4) angeordnete Halbleiterschichtenfolge (5) aufweisen, und wobei eine Zerteilung des Verbunds (20) an jeweils einer zwischen zwei benachbarten Laserbarren (2) verlaufenden Längstrennebene (y-y') zu einer Ausbildung von Laserfacetten (IC) der herzustellenden Laserdioden (1) führt, ▪ Strukturierung des Verbunds (20) an zumindest einer Längstrennebene (y-y'), wobei im Substrat (4) ein strukturierter Bereich (8) erzeugt wird. Des Weiteren wird eine Laserdiode (1) angegeben, die mit dem Verfahren herstellbar ist.

公开(公告)号：WO2018077954A1

公开(公告)日：2018-05-03

申请号：PCT/EP2017/077318

申请日：2017-10-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LELL, Alfred ,  BRÜDERL, Georg ,  BRÜCKNER, John ,  GERHARD, Sven ,  ALI, Muhammad ,  ADLHOCH, Thomas

IPC: H01S5/042 ,  H01L21/268 ,  H01L21/44

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlasers (100) angegeben, aufweisend die Schritte: - Bereitstellen eines Substrats (1) mit einer Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Schicht (3), die dazu eingerichtet und vorgesehen ist, im Betrieb des Halbleiterlasers (100) Licht (8) zu erzeugen, - Aufbringen einer zusammenhängenden Kontaktschicht (11) mit zumindest einem ersten Teilbereich (12) und zumindest einem zweiten Teilbereich (13) auf einer der Halbleiterschichtenfolge (2) gegenüberliegenden Unterseite (10) des Substrats (1), - lokales Tempern der Kontaktschicht (11) nur im zumindest einen ersten Teilbereich (12), insbesondere mittels eines laserbasierten Bestrahlungsverfahrens. Weiterhin wird ein Halbleiterlaser (100) angegeben.

Abstract translation:

本发明提供了一种制造半导体激光器（100），包括以下步骤的方法： - 提供衬底（1），其具有半导体层序列（2）与活性层（3）中，设置和 提供（100）的半导体激光的操作期间，以产生（8）， - 在半导体层序列中的一个施加具有至少一个第一部分（12）和至少一个第二部分区域（13）一个zusammenh BEAR ngenden接触层（11）（2） 相对于基板（1）中，导航用途berliegenden下侧（10）， - 通过基于激光的照射方法的装置仅在至少一个第一部分（12）的接触层（11）的局部退火，尤其如此。 此外，给出半导体激光器（100）。

公开(公告)号：WO2017194320A1

公开(公告)日：2017-11-16

申请号：PCT/EP2017/060082

申请日：2017-04-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GERHARD, Sven ,  VIERHEILIG, Clemens ,  LÖFFLER, Andreas

IPC: H01S5/0683

Abstract: In einer Ausführungsform umfasst die Laseranordnung (1) mehrere Lasergruppen (2) mit je mindestens einem Halbleiterlaser (20). Ferner beinhaltet die Laseranordnung (1) mehrere Fotothyristoren (3), sodass jeder der Lasergruppen (2) einer der Fotothyristoren (3) eindeutig zugeordnet ist. Die Fotothyristoren (3) sind jeweils mit der zugehörigen Lasergruppe (2) elektrisch in Serie geschaltet und/oder in die zugehörige Lasergruppe (2) integriert. Ferner sind die Fotothyristoren (3) je mit der zugehörigen Lasergruppe (2) optisch gekoppelt. Eine Dunkeldurchbruchspannung (Ut) der Fotothyristoren (3) liegt jeweils oberhalb einer bestimmungsgemäßen Betriebsspannung (Ub) der zugehörigen Lasergruppe (2).

Abstract translation: 在一个实施例中，激光器装置（1）包括多个激光器组（2），每个激光器组（2）具有至少一个半导体激光器（20）。 此外，激光器装置（1）包含多个光电晶闸管（3），使得每个激光器组（2）与光学晶闸管（3）中的一个唯一地关联。 光电晶闸管（3）分别与相关联的激光器组（2）串联和/或集成到相关联的激光器组（2）中。 此外，光电晶闸管（3）各自光学耦合到关联的激光器组（2）。 光电晶闸管（3）的暗击穿电压（Ut）位于相关激光器组（2）的相应预期工作电压（Ub）以上。