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    KANTENEMITTIERENDER HALBLEITERLASER
    1.
    发明申请
    KANTENEMITTIERENDER HALBLEITERLASER 审中-公开

    公开(公告)号：WO2020104251A1

    公开(公告)日：2020-05-28

    申请号：PCT/EP2019/081009

    申请日：2019-11-12

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： WAGNER, Jan ,  BERGBAUER, Werner ,  EICHLER, Christoph ,  LELL, Alfred ,  BRUEDERL, Georg ,  PETER, Matthias

    IPC: H01S5/323 ,  H01S5/02 ,  H01S5/32 ,  H01S5/40 ,  H01S5/20

    Abstract: Es wird ein kantenemittierender Halbleiterlaser (100) angegeben, mit einer Halbleiterschichtenfolge (10), die auf einem Nitridverbindungshalbleitermaterial basiert, umfassend einen Wellenleiterbereich (3), der eine zwischen einer ersten Wellenleiterschicht (3A) und einer zweiten Wellenleiterschicht (3B) angeordnete aktive Schicht (4) aufweist, wobei - die Halbleiterschichtenfolge (10) ein außerhalb des Wellenleiterbereichs (3) angeordnetes Schichtsystem (20) zur Verminderung von Facettenstörungen in dem Wellenleiterbereich (3) aufweist, - das Schichtsystem (20) eine oder mehrere Schichten (21, 22) mit der Materialzusammensetzung A1 x In y Ga 1-x-y N mit 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y 0,05 oder einen Indiumanteil y ≥ 0,02 aufweist, und - eine Schichtspannung in dem Schichtsystem (20) zumindest bereichsweise mindestens 2 GPa beträgt.

    LASERDIODE
    4.
    发明申请
    LASERDIODE 审中-公开

    公开(公告)号：WO2019057789A1

    公开(公告)日：2019-03-28

    申请号：PCT/EP2018/075384

    申请日：2018-09-19

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： EICHLER, Christoph ,  PETER, Matthias ,  WAGNER, Jan

    IPC: H01S5/32 ,  H01S5/323

    Abstract: Es wird eine Laserdiode (10) beschrieben, mit einer Halbleiterschichtenfolge (12), die auf einem Nitridverbindungshalbleitermaterial basiert, umfassend eine n-Typ Mantelschicht (2), eine erste Wellenleiterschicht (3A), eine zweite Wellenleiterschicht (3B) und eine zwischen der ersten Wellenleiterschicht (3A) und der zweiten Wellenleiterschicht (3B) angeordnete aktive Schicht (4) zur Erzeugung von Laserstrahlung und eine p-Typ Mantelschicht (6), wobei die p-Typ Mantelschicht (6) eine der aktiven Schicht (4) zugewandte erste Teilschicht (6A) und eine von der aktiven Schicht abgewandte zweite Teilschicht (6B) aufweist. Die erste Teilschicht (6A) weist AlxiGai-xiN mit 0 ≤ x1 ≤ 1 oder Al x1 In y1 Ga 1-x1_y1 N mit 0 ≤ x1 ≤ 1, 0 ≤ yl max und an einer der aktiven Schicht abgewandten Seite (4) einen Minimalwert x1 min max aufweist. Die zweite Teilschicht (6B) weist A1 x2 Ga 1_X2 N mit 0 ≤-S x2 ≤ x1 min oder Al x2 In y2 Ga 1 -x2_y2 N mit 0 min , 0 ≤ y2

    STRAHLUNG EMITTIERENDER HALBLEITERCHIP MIT INTEGRIERTEM ESD-SCHUTZ
    5.
    发明申请
    STRAHLUNG EMITTIERENDER HALBLEITERCHIP MIT INTEGRIERTEM ESD-SCHUTZ 审中-公开
    集成ESD保护发射辐射的半导体芯片

    公开(公告)号：WO2012146668A1

    公开(公告)日：2012-11-01

    申请号：PCT/EP2012/057676

    申请日：2012-04-26

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  LÖFFLER, Andreas ,  LEIRER, Christian ,  BUTENDEICH, Rainer ,  MEYER, Tobias ,  PETER, Matthias

    Inventor： LÖFFLER, Andreas ,  LEIRER, Christian ,  BUTENDEICH, Rainer ,  MEYER, Tobias ,  PETER, Matthias

    IPC: H01L33/02 ,  H01L33/14

    CPC classification number: H01L33/26 ,  H01L33/025 ,  H01L33/14 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32

    Abstract: Es wird ein Strahlung emittierender Halbleiterchip (1) mit einer auf einem Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial basierenden Halbleiterschichtenfolge (2) mit einem pn-Übergang angegeben umfassend - eine erste Schutzschicht (3), die gezielt eingebrachte Kristalldefekte (4) aufweist, wobei die erste Schutzschicht (3) zum Schutz des Halbleiterchips (1) vor elektrostatischen Entladungspulsen vorgesehen ist, - eine aktive Zone (7) zur Strahlungserzeugung, die der ersten Schutzschicht (3, 5) in Wachstumsrichtung (W) nachgeordnet ist, wobei sich im Betrieb des Halbleiterchips (1) ein Durchbruchverhalten der Halbleiterschichtenfolge (2) in Sperrrichtung in Bereichen mit Kristalldefekten (4) von Bereichen ohne Kristalldefekte unterscheidet, und wobei bei elektrostatischen Entladungspulsen elektrische Ladung homogen verteilt über die Bereiche mit Kristalldefekten (4) abgeleitet wird.

    Abstract translation: 它是一种发射辐射的半导体芯片（1）具有具有pn结指示包括基于氮化物的化合物半导体材料的半导体层序列（2） - 具有第一保护层（3）中，故意引入的晶体缺陷（4），其中，所述第一保护层（ 3）（以保护半导体芯片1）被提供防止静电放电脉冲， - 用于产生辐射的有源区（7），其下游设置在所述第一保护层（3,5）在生长方向（W），其中（在半导体芯片1的操作过程中 ），而不晶体缺陷区分在相反的方向在半导体层序列（2）的在区域中的击穿行为（与区域晶体缺陷4），并且其中在静电放电脉冲电荷均匀地分布在与晶体缺陷的区域（4）被导出。

    LEUCHTMITTEL
    8.
    发明申请
    LEUCHTMITTEL 审中-公开
    LAMPS

    公开(公告)号：WO2010040327A1

    公开(公告)日：2010-04-15

    申请号：PCT/DE2009/001140

    申请日：2009-08-11

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  STRAUSS, Peter ,  WINDISCH, Reiner ,  BAUMANN, Frank ,  PETER, Matthias

    Inventor： STRAUSS, Peter ,  WINDISCH, Reiner ,  BAUMANN, Frank ,  PETER, Matthias

    IPC: H01L33/00

    CPC classification number: H01L25/0753 ,  H01L33/08 ,  H01L33/50 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des Leuchtmittels (1) umfasst dieses mindestens ein optoelektronisches Halbleiterbauteil (2), das im Betrieb bei mindestens einer ersten Wellenlänge (L1) und mindestens einer zweiten Wellenlänge (L2) elektromagnetische Strahlung emittiert, wobei erste Wellenlänge (L1) und zweite Wellenlänge (L2) voneinander verschieden sind und unterhalb von 500 nm, insbesondere zwischen 200 nm und 500 nm, liegen. Weiterhin umfasst das Leuchtmittel (1) mindestens ein Konversionsmittel (3), das die erste Wellenlänge (L1) mindestens teilweise in Strahlung einer anderen Frequenz konvertiert. Das vom Leuchtmittel (1) im Betrieb emittierte Strahlungsspektrum ist metamer zu einem Schwarzkörperspektrum. Durch ein solches Leuchtmittel sind die erste Wellenlänge und die zweite Wellenlänge so wählbar, dass gleichzeitig eine hohe Farbwiedergabequalität und eine hohe Effizienz des Leuchtmittels realisierbar ist.

    Abstract translation: 在发光装置的至少一个实施例中（1）包括所述至少一个光电半导体器件（2），其操作的至少一个第一波长（L1）和至少一个第二波长（L2）发射电磁辐射时，所述第一波长（L1）和第二 波长（L2）彼此和低于500nm的不同，特别是在200nm和500nm之间，是。 此外，所述发光装置（1）包括至少一个转换装置（3），其将所述第一波长（L1）至少部分地成不同频率的辐射。 在由光源（1）发射在操作辐射光谱是同分异构的黑体光谱。 通过这样的照明装置，所述第一波长和第二波长被选择为使得在同一时间高质量的彩色再现和照明装置的高效率可以实现的。

    HALBLEITERLASER
    10.
    发明申请
    HALBLEITERLASER 审中-公开

    公开(公告)号：WO2018206443A1

    公开(公告)日：2018-11-15

    申请号：PCT/EP2018/061552

    申请日：2018-05-04

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： PETER, Matthias ,  WURM, Teresa ,  EICHLER, Christoph

    IPC: H01S5/30 ,  H01S5/343

    CPC classification number: H01S5/34333 ,  H01S5/305 ,  H01S2301/173

    Abstract: Es wird ein Halbleiterlaser (10) beschrieben, umfassend ein Substrat (1), eine auf dem Substrat (1) angeordnete Defektbeweglichkeits-Reduzierungsschicht (2) und eine auf der Defektbeweglichkeits-Reduzierungsschicht (2) angeordnete Halbleiterschichtenfolge (9), welche eine aktive Schicht (4) umfasst, wobei die aktive Schicht (4) ein Indium enthaltendes Nitridverbindungshalbleitermaterial enthält. Die Defektbeweglichkeits-Reduzierungsschicht (2) umfasst mit Silizium dotiertes In x Al y Ga i - x-y N mit 0 ≤ x ≤ 0,03 und 0 ≤y ≤ 0,03, wobei eine Dotierstoffkonzentration in der Defektbeweglichkeits-Reduzierungsschicht (2) zwischen 1 * 10 19 cm -3 und 3 * 10 19 cm -3 beträgt. Die Defektbeweglichkeits-Reduzierungsschicht (2) weist eine Dicke von mindestens 500 nm auf.

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