公开(公告)号：WO2020109051A1

公开(公告)日：2020-06-04

申请号：PCT/EP2019/081631

申请日：2019-11-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KÖNIG, Harald ,  LELL, Alfred

IPC: H01S5/024 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  H01S5/022 ,  H01S5/028

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterlaserbauelement angegeben. Das optoelektronische Halbleiterlaserbauelement umfasst, einen Halbleiterkörper mit einer ersten Hauptfläche, einer zweiten Hauptfläche, zumindest einem zwischen der ersten Hauptfläche und der zweiten Hauptfläche ausgebildeten aktiven Bereich, eine sich von der ersten Hauptfläche zur zweiten Hauptfläche erstreckenden Auskoppelfläche, durch die zumindest ein Teil der elektromagnetischen Strahlung ausgekoppelt wird, eine auf der ersten Hauptfläche angeordnete erste Wärmesenke und eine auf der zweiten Hauptfläche angeordnete zweite Wärmesenke, und ein der Auskoppelfläche nachgeordnetes optisches Schutzelement, für das die erste Wärmesenke und/oder die zweite Wärmesenke einen Träger bilden. Die Auskopplung erfolgt in einer Hauptabstrahlrichtung. Eine elektrische Kontaktierung des Halbleiterkörpers erfolgt mittels der ersten Wärmesenke und der zweiten Wärmesenke. Die erste Wärmesenke und/oder die zweite Wärmesenke weisen auf einer der Auskoppelfläche gegenüberliegenden Seite, auf einer der ersten Hauptfläche gegenüberliegenden Seite und/oder einer der zweiten Hauptfläche gegenüberliegenden Seite Montageflächen auf. Es wird ferner ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterlaserbauelements angegeben.

公开(公告)号：WO2020094803A3

公开(公告)日：2020-05-14

申请号：PCT/EP2019/080575

申请日：2019-11-07

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KÖNIG, Harald ,  STOJETZ, Bernhard ,  LELL, Alfred ,  ALI, Muhammad

IPC: H01S5/042 ,  H01S5/40

Abstract: Der Diodenlaser (1000) umfasst einen Laserbarren mit einem Halbleiterkörper (1) und einer aktiven Schicht (11), wobei der Laserbarren mehrere Einzelemitter (2) aufweist. Zumindest einigen Einzelemittern sind jeweils ein Abschnitt (20) des Halbleiterkörpers und ein dazu in Serie geschaltetes Stromregelelement (21) zugeordnet, so dass im bestimmungsgemäßen Betrieb der Einzelemitter jeweils ein dem Einzelemitter zugeführter elektrischer Betriebsstrom I 0 vollständig durch den zugeordneten Abschnitt des Halbleiterkörpers fließt und dabei an dem Abschnitt ein Spannungsabfall U H auftritt und zumindest ein Teil dieses Betriebsstroms l 0 durch das zugeordnete Stromregelelement fließt und dabei einen elektrischen Widerstand R S erfährt. Bei den Einzelemittern ist das jeweils zugeordnete Stromregelelement so eingerichtet, dass der Widerstand Rg bei einer Betriebstemperatur T 0 einen positiven Temperaturkoeffizienten dR S /dT| T0 aufweist. Alternativ oder zusätzlich ist der Widerstand R S größer als |ΔU H /I 0 , wobei ΔU H die Änderung des Spannungsabfalls U H am zugeordneten Abschnitt des Halbleiterkörpers bei Erhöhung der Temperatur T des Einzelemitters von einer Betriebstemperatur T 0 um 1 K ist.

公开(公告)号：WO2015124531A3

公开(公告)日：2015-08-27

申请号：PCT/EP2015/053218

申请日：2015-02-16

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LELL, Alfred ,  TAEGER, Sebastian ,  HUPPMANN, Sophia

IPC: H01S5/028

Abstract: Es wird ein Laserdiodenchip (1) beschrieben, bei dem mindestens eine Laserfacette (9) eine Beschichtung (10) aufweist. Die Beschichtung (10) weist mindestens eine anorganische Schicht (14, 15, 16, 17, 18) und mindestens eine organische Schicht (20, 21, 22) auf.

公开(公告)号：WO2010069282A2

公开(公告)日：2010-06-24

申请号：PCT/DE2009/001448

申请日：2009-10-19

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  LELL, Alfred ,  TAUTZ, Sönke ,  STRAUSS, Uwe ,  BEHRINGER, Martin Rudolf ,  BRÜNINGHOFF, Stefanie ,  DINI, Dimitri ,  EISERT, Dominik ,  EICHLER, Christoph

Inventor： LELL, Alfred ,  TAUTZ, Sönke ,  STRAUSS, Uwe ,  BEHRINGER, Martin Rudolf ,  BRÜNINGHOFF, Stefanie ,  DINI, Dimitri ,  EISERT, Dominik ,  EICHLER, Christoph

IPC: H04N9/31 ,  G02F1/35

CPC classification number: H04N9/3161 ,  H01S5/005 ,  H01S5/02292 ,  H01S5/4093 ,  H04N9/3129

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des Leuchtmittels (1) beinhaltet dieses mindestens einen Halbleiterlaser (2), der dazu eingerichtet ist, eine Primärstrahlung (P) mit einer Wellenlänge zwischen einschließlich 360 nm und 485 nm zu emittieren. Weiterhin umfasst das Leuchtmittel (1) mindestens ein Konversionsmittel (3), das dem Halbleiterlaser (2) nachgeordnet und dazu eingerichtet ist, wenigstens einen Teil der Primärstrahlung (P) in eine Sekundärstrahlung (S) mit einer von der Primärstrahlung (P) verschiedenen, größeren Wellenlänge zu konvertieren. Die vom Leuchtmittel (1) emittierte Strahlung (R) zeigt hierbei eine optische Kohärenzlänge auf, die höchstens 50 μm beträgt.

Abstract translation: 在发光装置的至少一个实施例中（1）包括所述至少一个半导体激光器（2），其适合于接收一个初级辐射（P）为360纳米和485纳米之间的波长发射。 此外，所述发光装置（1）包括至少一个转换装置（3），半导体激光器（2）的下游，并适于至少一个初级辐射（P）的成次级辐射（S）与所述初级辐射（P）不同的一个部分， 转换波长更长。 通过在这种情况下，光源（1）辐射（R）发射的光示出了光学相干长度为至多50微米。

公开(公告)号：WO2003030221A2

公开(公告)日：2003-04-10

申请号：PCT/DE2002/003667

申请日：2002-09-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  HÄRLE, Volker ,  LELL, Alfred ,  WEIMAR, Andreas

Inventor： HÄRLE, Volker ,  LELL, Alfred ,  WEIMAR, Andreas

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01S5/2231 ,  H01S5/2081 ,  H01S5/32341

Abstract: Die Erfindung beschreibt ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements auf der Basis eines Nitrid-Verbindungshalbleiters. In einem ersten Schritt des Verfahrens wird ein Halbleiterkörper (1) bereitgestellt, der mindestens einen Nitrid-Verbindungshalbleiter enthält. Auf die Oberfläche (6) des Halbleiterkörpers (1) wird in einem zweiten Schritt eine Metallschicht (7) aufgebracht. Nachfolgend wird in einem dritten Schritt der Halbleiterkörper (1) strukturiert, wobei ein Teil der Metallschicht (7) und Teile des darunterliegenden Halbleiterkörpers (1) abgetragen werden.

Abstract translation: 本发明描述了一种用于制造基于氮化物化合物半导体的半导体组件的方法。 在该方法的第一步骤中，提供半导体本体（1），其包含至少一个氮化物化合物半导体。 在半导体本体（1）的表面（6）上，在第二步骤中施加金属层（7）。 随后，在第三步骤中，半导体本体（1）被图案化，由此去除部分金属层（7）和下面的半导体本体（1）的一部分

公开(公告)号：WO2022018071A1

公开(公告)日：2022-01-27

申请号：PCT/EP2021/070237

申请日：2021-07-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WAGNER, Jan ,  NÄHLE, Lars ,  GERHARD, Sven ,  LELL, Alfred ,  KÖNIG, Harald ,  EICHLER, Christoph ,  BRÜDERL, Georg ,  BEHRINGER, Martin Rudolf

IPC: H01S5/227 ,  H01S5/40

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterkörpers mit den folgenden Schritten angegeben: Bereitstellen eines Wachstumssubstrats (1) mit einer Hauptfläche (2); Erzeugen einer Vielzahl an Verteilerstrukturen (3) auf der Hauptfläche (2) des Wachstumssubstrats (1); Epitaktisches Abscheiden eines Verbindungshalbleitermaterials auf der Hauptfläche (2) des Wachstumssubstrats (1), wobei das epitaktische Wachstum des Verbindungshalbleitermaterials aufgrund der Verteilerstrukturen (3) entlang der Hauptfläche (2) variiert, so dass beim epitaktischen Abscheiden eine epitaktische Halbleiterschichtenfolge (4) mit zumindest einem ersten Emitterbereich (5) und einem zweiten Emitterbereich (6) auf der Hauptfläche (2) entsteht, wobei der erste Emitterbereich (5) und der zweite Emitterbereich (6) in Draufsicht auf eine Hauptfläche des Halbleiterkörpers lateral nebeneinander angeordnet sind; und der erste Emitterbereich (5) und der zweite Emitterbereich (6) im Betrieb elektromagnetische Strahlung unterschiedlicher Wellenlängenbereiche erzeugen. Außerdem wird ein strahlungsemittierender Halbleiterkörper angegeben.

公开(公告)号：WO2020212221A1

公开(公告)日：2020-10-22

申请号：PCT/EP2020/060014

申请日：2020-04-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ALI, Muhammad ,  KOENIG, Harald ,  STOJETZ, Bernhard ,  LELL, Alfred

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/40 ,  B23K26/06 ,  H01S5/00 ,  H01S5/024 ,  H01S5/323

Abstract: In einer Ausführungsform umfasst der Halbleiterlaser (1) einen Träger (4) sowie einen oder mehrere Laserbarren (2). Der zumindest eine Laserbarren (2) umfasst zumindest drei Einzellaser (22), die parallel zueinander angeordnet sind. Eine Umlenkoptik (3) ist den Einzellasern (22) gemeinsam nachgeordnet. Der mindestens eine Laserbarren (2) und die zugehörige Umlenkoptik (3) sind auf dem Träger (4) montiert und weisen einen Abstand zueinander von höchstens 4 mm auf.

公开(公告)号：WO2020187724A1

公开(公告)日：2020-09-24

申请号：PCT/EP2020/056775

申请日：2020-03-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STOJETZ, Bernhard ,  KOENIG, Harald ,  LELL, Alfred ,  ALI, Muhammad

IPC: H04N9/31 ,  H01S5/40

Abstract: Beschrieben werden eine Vorrichtung sowie ein Verfahren zur Projektion einer Mehrzahl von Strahlungspunkten auf eine Objektoberfläche (3) mit wenigstens einer Strahlungsquelle (1), die eine Mehrzahl von Emittern (2) zur Emission einer elektromagnetischen Strahlung aufweist, mit wenigstens einem Strahlenweg (4), über den die zumindest zeitweise von den Emittern (2) emittierte Strahlung in Richtung auf die Objektoberfläche (3) gelenkt wird und mit einer Steuerung (5), die zur Veränderung wenigstens einer Eigenschaft der emittierten Strahlung die Strahlungsquelle (1) in Abhängigkeit eines auf der Objektoberfläche (3) zu erzeugenden Lichtobjekts ansteuert. Die Steuerung (5) ist derart ausgeführt, dass wenigstens zwei der Mehrzahl von Emittern (2) der Strahlungsquelle (1) jeweils einzeln zur Veränderung wenigstens einer Eigenschaft der emittierten Strahlung in Abhängigkeit des zu erzeugenden Lichtobjekts angesteuert werden und im Strahlenweg (4) ist wenigstens ein Optikelement (6) zur Formung, Lenkung und/oder Konvertierung der elektromagnetischen Strahlung angeordnet.

公开(公告)号：WO2020182406A1

公开(公告)日：2020-09-17

申请号：PCT/EP2020/053776

申请日：2020-02-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GERHARD, Sven ,  EICHLER, Christoph ,  LELL, Alfred ,  ALI, Muhammad

IPC: H01S5/042 ,  H01S5/22 ,  H01S5/32 ,  H01S5/024 ,  H01S5/026 ,  H01S5/40 ,  H01S5/022 ,  H01S5/323 ,  H01S5/20

Abstract: Es wird eine Halbleiterlaserdiode (100) angegeben, die eine in einer vertikalen Richtung aufgewachsene Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Schicht (3), die dazu eingerichtet und vorgesehen ist, im Betrieb in zumindest einem sich in longitudinaler Richtung (93) erstreckenden aktiven Bereich (5) Licht (8) zu erzeugen, und eine transparente elektrisch leitende Abdeckschicht (4) auf der Halbleiterschichtenfolge aufweist, wobei die Halbleiterschichtenfolge in einer vertikalen Richtung (92) mit einer Oberseite (20) abschließt und die Oberseite einen in vertikaler Richtung über dem aktiven Bereich angeordneten Kontaktbereich (21) und zumindest einen in einer zur vertikalen und longitudinalen Richtung senkrechten lateralen Richtung (91) unmittelbar an den Kontaktbereich anschließenden Abdeckbereich (22) aufweist, die Abdeckschicht zusammenhängend auf der Oberseite auf dem Kontaktbereich und dem zumindest einen Abdeckbereich aufgebracht ist, die Abdeckschicht zumindest im zumindest einen Abdeckbereich unmittelbar auf der Oberseite der Halbleiterschichtenfolge aufgebracht ist und zumindest ein den zumindest einen aktiven Bereich definierendes Element (10) vorhanden ist, das von der Abdeckschicht überdeckt wird. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterlaserdiode angegeben.

公开(公告)号：WO2020104251A1

公开(公告)日：2020-05-28

申请号：PCT/EP2019/081009

申请日：2019-11-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WAGNER, Jan ,  BERGBAUER, Werner ,  EICHLER, Christoph ,  LELL, Alfred ,  BRUEDERL, Georg ,  PETER, Matthias

IPC: H01S5/323 ,  H01S5/02 ,  H01S5/32 ,  H01S5/40 ,  H01S5/20

Abstract: Es wird ein kantenemittierender Halbleiterlaser (100) angegeben, mit einer Halbleiterschichtenfolge (10), die auf einem Nitridverbindungshalbleitermaterial basiert, umfassend einen Wellenleiterbereich (3), der eine zwischen einer ersten Wellenleiterschicht (3A) und einer zweiten Wellenleiterschicht (3B) angeordnete aktive Schicht (4) aufweist, wobei - die Halbleiterschichtenfolge (10) ein außerhalb des Wellenleiterbereichs (3) angeordnetes Schichtsystem (20) zur Verminderung von Facettenstörungen in dem Wellenleiterbereich (3) aufweist, - das Schichtsystem (20) eine oder mehrere Schichten (21, 22) mit der Materialzusammensetzung A1 x In y Ga 1-x-y N mit 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y 0,05 oder einen Indiumanteil y ≥ 0,02 aufweist, und - eine Schichtspannung in dem Schichtsystem (20) zumindest bereichsweise mindestens 2 GPa beträgt.