公开(公告)号：JP2015035542A

公开(公告)日：2015-02-19

申请号：JP2013166571

申请日：2013-08-09

Applicant: ソニー株式会社 ,  Sony Corp

Inventor： HAMAGUCHI TATSUFUMI ,  KURAMOTO MASARU ,  MAEDA YUUKI ,  KAZETAGAWA MUNEYUKI

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/3013 ,  H01S5/0215 ,  H01S5/0216 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/183 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18341 ,  H01S5/18361 ,  H01S5/18369 ,  H01S5/18388 ,  H01S5/18391 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/12

Abstract: 【課題】共振器の長さの均一化を図り得る構成、構造を有する発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】発光素子の製造方法は、発光素子製造用基板11上に多層膜から成り凸部形状を有する第1光反射層41を形成し、次いで、その上に、GaN系化合物半導体から成る第1化合物半導体層21、活性層23及び第2化合物半導体層22が積層されて成る積層構造体20を形成した後、第2化合物半導体層22上に第2電極32及び多層膜から成る第2光反射層42を形成し、次いで、第2光反射層42を支持基板26に固定した後、発光素子製造用基板11を除去して、第1化合物半導体層21及び第1光反射層41を露出させ、次いで、露出した第1化合物半導体層21をエッチングした後、少なくともエッチングされた第1化合物半導体層21の上に第1電極31を形成する各工程を備えている。【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：提供具有能够实现谐振器的长度均衡的结构的发光元件的制造方法。解决方案：发光元件制造方法包括以下步骤：在发光元件制造基板11上形成 第一光反射层41，由多层膜构成，具有凸形状; 随后在第一光反射层41上形成由GaN基化合物半导体构成的第一化合物半导体层21，有源层23和第二化合物半导体层22堆叠的层叠结构体20。 随后在第二化合物半导体层22上形成第二电极32和由多层膜构成的第二光反射层42; 随后将第二光反射层42固定到支撑基板26上; 随后去除发光元件制造基板11以露出第一化合物半导体层21和第一光反射层41; 随后蚀刻暴露的第一化合物半导体层21; 并且随后至少在蚀刻的第一化合物半导体层21上形成第一电极31。

公开(公告)号：JP2012060022A

公开(公告)日：2012-03-22

申请号：JP2010203472

申请日：2010-09-10

Applicant: Sony Corp ,  ソニー株式会社

Inventor： OMAE AKIRA ,  MAEDA YUUKI ,  YANASHIMA KATSUNORI

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/32

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of a GaN-based semiconductor light-emitting element that can inhibit lowering in a light extraction efficiency by etching and to provide a semiconductor light-emitting element manufactured by the method.SOLUTION: The semiconductor light-emitting element manufacturing method comprises the steps of: forming a plurality of island-shaped mask layers 150 of a top face of a first upper clad layer 14A; selectively forming a second upper clad layer 14B on the top face of the first upper clad layer 14A at a non-forming region of the plurality of island-shaped mask layers 150 by crystal growth; and filling each of the mask layers 150 by thickly forming the second upper clad layer 14B.

Abstract translation: 解决的问题：提供可以通过蚀刻抑制光提取效率降低的GaN基半导体发光元件的制造方法，并提供通过该方法制造的半导体发光元件。 解决方案：半导体发光元件制造方法包括以下步骤：形成第一上包层14A的顶面的多个岛状掩模层150; 通过晶体生长在多个岛状掩模层150的非形成区域中选择性地在第一上部包覆层14A的顶面上形成第二上部包层14B; 并通过厚度形成第二上包层14B填充每个掩模层150。 版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2006352084A

公开(公告)日：2006-12-28

申请号：JP2006105647

申请日：2006-04-06

Applicant: SONY CORP

Inventor： OMAE AKIRA ,  TOMITANI SHIGETAKA ,  MAEDA YUUKI ,  SHIOMI HARUNORI ,  AMI TAKAAKI ,  MIYAJIMA TAKAO ,  YANASHIMA KATSUNORI ,  TANGE TAKASHI ,  YASUDA ATSUSHI

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40 ,  H01L33/44 ,  H01L33/56 ,  H01L33/62

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light emitting diode of significantly high light emitting efficiency that can be manufactured by one-time epitaxial growth at a low cost, and a manufacturing method thereof. SOLUTION: In a recess 11a formed on one main surface of a sapphire substrate 11, growth in a lateral direction is performed from a GaN layer 12, after burying the recess 11a by making the GaN layer 12 grow after passing through a state of a triangular cross section shape with its bottom face as a base. A light emitting diode structure is formed on the GaN layer 12 by growing a GaN based semiconductor layer including an active layer on the GaN layer 12. By using the GaN based light emitting diode, a light emitting diode backlight, etc. is manufactured. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT