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公开(公告)号：CN103843090B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201280042873.8
申请日：2012-08-31
Applicant: 卡文迪什动力有限公司
Inventor： 罗伯特·加迪 , 理查德·L·奈普 , 罗伯托·彼得勒斯·范-卡普恩 , 阿奈兹·乌纳穆诺
CPC classification number: H01L28/60 , B81B3/0086 , B81B2201/016 , B81B2207/015 , H01G5/18 , H01G5/38 , H01G5/40 , H01H59/0009 , H03K17/162 , H03K17/6872 , H03K2217/0009 , H03K2217/0036 , H03K2217/009
Abstract: 本发明一般涉及一种用于高频通信的使RF MEMS装置与衬底和驱动电路隔离的结构，串联和并联的DVC结构，以及更小的MEMS阵列。半导体装置具有一个或多个单元，所述单元其中有多个MEMS装置。MEMS装置通过施加电偏压到上拉电极或下拉电极在距RF电极第一距离的第一位置和距RF电极第二距离的第二位置之间移动MEMS装置的开关元件来操作，所述第二距离不同于所述第一距离。上拉电极和/或下拉电极可以耦接至使MEMS装置与衬底隔离的电阻。
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公开(公告)号：CN101558006B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN200780045825.3
申请日：2007-12-10
Applicant: NXP股份有限公司
Inventor： 彼得·G·斯滕肯
CPC classification number: H01H59/0009 , B81B3/0056 , B81B2201/016 , B81C2201/017 , Y10T29/49105
Abstract: 本发明涉及MEMS器件，其包括：第一电极和第二电极，第二电极借助于悬挂结构而悬起并距第一电极一定距离。MEMS器件还包括至少一个变形电极。当通过变形电极施加静电变形力时，第二电极和悬挂结构之一或这二者能够塑性变形。这样，可消除在制造不同的器件或操作单个器件期间出现的第二电极的关断状态位置的改变。
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公开(公告)号：CN101310206B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN200580052085.7
申请日：2005-11-16
Applicant: 高通MEMS科技公司
Inventor： 克拉伦斯·徐
CPC classification number: G02B26/001 , B81B3/0086 , B81B2201/016 , B81B2201/042 , H01H59/0009
Abstract: 本发明提供一种MEMS装置，其以跨越第一电极(702)和可移动材料(714)安置的电压电激活。所述装置可通过与所述第一电极分隔的锁存电极(730a、730b)而维持在激活状态。
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公开(公告)号：CN102015523A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200980114990.9
申请日：2009-03-13
Applicant: 罗伯特.博世有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00158 , B81B2201/016 , B81B2201/0264 , B81C1/00666 , H01H59/0009
Abstract: 用于制造微机械的元件的方法，其中对至少具有金属层(3、6、7、7’)以及包含SiGe的牺牲层(5、5’)的基底(1)进行结构化，并且其中还通过用含氟的化合物例如ClF3进行的蚀刻至少部分地再去除所述牺牲层(5、5’)，其中，在蚀刻所述牺牲层(5、5’)之前，将带有所述牺牲层(5、5’)和所述金属层(3、6、7、7’)的所述基底(1)在≥100℃到≤400℃的温度下进行回火。所述金属层(3、6、7、7’)的材料可以包括铝。此外，本发明涉及一种包括金属层(3、6、7、7’)的微机械的元件，其中所述金属层的材料以多晶的组织存在，并且其中≥90％的晶粒具有≥1μm到≤100μm的尺寸，并且将这种微机械的元件用作压力传感器、高频开关或者变容二极管。
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公开(公告)号：CN105593158A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201580001969.3
申请日：2015-04-23
Applicant: 卡文迪什动力有限公司
Inventor： 詹姆斯·道格拉斯·霍夫曼 , 乔公国 , 罗伯托·彼得勒斯·范-卡普恩 , 卡尔·F·斯麦林 , 维克拉姆·乔希
IPC: B81C99/00
CPC classification number: B81C99/003 , B81B2201/016 , B81B2207/015 , G01R27/2605 , H01G5/16 , H01L23/5228 , H01L29/93
Abstract: 本发明总体涉及用于测试MEMS迟滞的机构。电源管理电路可以耦合到使布置在电极之间的可移动板在MEMS器件中移动的电极。电源管理电路可以利用电荷泵、比较器以及梯形电阻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103917481A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201280026455.X
申请日：2012-03-14
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: B81B3/00
CPC classification number: H01H59/0009 , B81B3/001 , B81B7/0006 , B81B2201/016 , B81B2203/0118 , B81B2203/04 , B81C1/0015 , B81C1/00293 , B81C2203/0145 , G06F17/5045 , G06F17/5068 , H01H1/0036 , H01H2001/0057 , Y10T29/49121
Abstract: 提供微机电系统（MEMS）结构、制造方法和设计结构。形成MEMS结构的方法包括在基板上形成固定致动器电极（115）和接触点。该方法还包括在固定致动器电极和接触点之上形成MEMS梁（100）。该方法还包括形成与固定致动器电极的部分对齐的致动器电极阵列（105’），其大小和尺度设置为防止MEMS梁在重复循环后下陷在固定致动器电极上。致动器电极阵列形成为与MEMS梁的下侧和固定致动器电极的表面至少之一直接接触。
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公开(公告)号：CN103843100A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201180073883.3
申请日：2011-10-06
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01H57/00
CPC classification number: H01L41/094 , B81B2201/016 , B81C1/00976 , H01H57/00 , H01H2057/006
Abstract: 提供一种容易制造并且能够有效抑制粘连的MEMS开关。MEMS开关具有：固定支撑部；板状挠性梁，至少一端被固定支撑在固定支撑部上，具有延伸的活动表面；活动电气触点，配置在挠性梁的活动表面上；固定电气触点，位置相对于固定支撑部固定，与活动电气触点相对置；第一压电驱动元件，从固定支撑部朝向活动电气触点而在挠性梁的活动表面的上方延伸，能够通过电压驱动使活动电气触点向固定电气触点发生位移；以及第二压电驱动元件，至少配置在挠性梁的活动表面上，通过电压驱动，向活动电气触点远离固定电气触点的方向驱动挠性梁的活动部。
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公开(公告)号：CN102674231A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210068873.7
申请日：2012-03-15
Applicant: 株式会社东芝
IPC: B81B3/00
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B2201/016 , B81B2203/0163 , H01H59/0009
Abstract: 提供一种静电致动器，该静电致动器具备基板、电极部、膜体部和施力部。上述电极部设在上述基板上。上述膜体部与上述电极部对置设置，具有导电性。上述施力部具有与上述基板连接的连接部和设在上述连接部与上述膜体部之间的弹性部，支承上述膜体部。上述电极部和上述膜体部能够对应于施加在上述电极部上的电压而成为接触的状态和分离的状态。上述弹性部在连接于上述连接部的一端与连接于上述膜体部的多个其他端之间具有分支部。
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公开(公告)号：CN101811656B
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201010121487.0
申请日：2010-02-24
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 斋藤友博
CPC classification number: B81B3/007 , B81B2201/016 , B81B2203/0109 , H01H59/0009 , H01H2001/0084 , H01H2059/0036
Abstract: 本发明涉及MEMS元件及其制造方法。本发明的一方面的MEMS元件包括：第一电极，其被设置在基底上；第二电极，其被设置在所述第一电极上方并被驱动朝向所述第一电极；锚件，其被设置在所述基底上；梁，其将所述第二电极支撑在半空中，所述梁的一端被连接到所述锚件，并且所述梁包括设置在其沿宽度方向的端部处的侧壁部分，所述侧壁部分具有向下的突起部。
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公开(公告)号：CN1874955B
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200480032195.2
申请日：2004-10-26
Applicant: 爱普科斯公司
Inventor： J·T·M·范比克 , M·J·E·乌勒奈尔斯
IPC: B81B3/00
CPC classification number: H01G5/18 , B81B3/0078 , B81B2201/016 , B81B2201/038 , B81B2203/04 , B81B2203/053 , H01H59/0009 , H01H2057/006 , H01H2239/01
Abstract: 一种微机电系统(MEMS)器件的制造方法，包括在衬底(14)上提供基层(10)和机械层(12)，在基层(10)和机械层(12)之间提供牺牲层(16)，在牺牲层(16)和衬底(14)之间提供蚀刻停止层(18)，以及借助干法化学蚀刻去除牺牲层(16)，其中利用含氟的等离子体进行干法化学蚀刻，并且该蚀刻停止层(18)包括基本上不导电的、氟化学剂惰性材料，如HfO2、ZrO2、Al2O3或TiO2。
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