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公开(公告)号:CN105556263A
公开(公告)日:2016-05-04
申请号:CN201380073561.8
申请日:2013-12-03
Applicant: 易麦思国际有限责任公司
Inventor: 丹尼尔·李·格雷比尔 , 罗杰斯·艾伦·凯里
IPC: G01J3/42
CPC classification number: G01J3/10 , G01J3/0205 , G01J3/021 , G01J3/0218 , G01J3/0245 , G01J3/108 , G01J3/42 , G01N21/3504 , G01N21/39 , G01N2021/399 , G01N2201/06113 , G01N2201/0612 , G01N2201/0691 , G01N2201/0697 , G01N2201/08 , H01S5/3401
Abstract: 用于在气态样本中检测微量分析物的内腔式激光吸收红外线光谱系统。该系统使用光谱仪与控制电子设备通信,其中,控制电子设备包括分析物数据库,分析物数据库包括用于系统所要检测的每一种分析物的吸收参数。该系统不仅能检测特定分析物的存在,也能识别它们。光谱仪使用在设备内部创建连续回路的空心腔波导,从而创建了大路径长度并消除对机械地调整路径长度以实现高Q因数的需求。激光源可作为检测器,这样将消除对单独的检测器的需求。
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公开(公告)号:CN103180711A
公开(公告)日:2013-06-26
申请号:CN201180050992.3
申请日:2011-08-26
Applicant: 美国圣戈班性能塑料公司
CPC classification number: G01J3/021 , G01J3/0245 , G01J3/42 , G01N15/082 , G01N21/3554 , G01N21/39 , G01N2021/399
Abstract: 本发明针对利用了一种光腔衰荡光谱(CRDS)技术的系统和方法,该技术用于对蒸气透过率进行测量。在一个实施方案中,有待测量的蒸气成分包含在一个光学空腔之内。然后将光注入到该空腔内直到一个临界水平,并且对所注入的光的衰变时间进行测量。在所注入的光的波长与该蒸气的吸收特征共振时,衰变时间随着蒸气含量的变化而增加。以此方式,蒸气含量引起了更长的衰变时间,并且因此蒸气穿过该薄膜(薄膜渗透率)的量可以即时测定。
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公开(公告)号:CN105556263B
公开(公告)日:2018-03-20
申请号:CN201380073561.8
申请日:2013-12-03
Applicant: 易麦思国际有限责任公司
Inventor: 丹尼尔·李·格雷比尔 , 罗杰斯·艾伦·凯里
IPC: G01J3/42
CPC classification number: G01J3/10 , G01J3/0205 , G01J3/021 , G01J3/0218 , G01J3/0245 , G01J3/108 , G01J3/42 , G01N21/3504 , G01N21/39 , G01N2021/399 , G01N2201/06113 , G01N2201/0612 , G01N2201/0691 , G01N2201/0697 , G01N2201/08 , H01S5/3401
Abstract: 用于在气态样本中检测微量分析物的内腔式激光吸收红外线光谱系统。该系统使用光谱仪与控制电子设备通信,其中,控制电子设备包括分析物数据库,分析物数据库包括用于系统所要检测的每一种分析物的吸收参数。该系统不仅能检测特定分析物的存在,也能识别它们。光谱仪使用在设备内部创建连续回路的空心腔波导,从而创建了大路径长度并消除对机械地调整路径长度以实现高Q因数的需求。激光源可作为检测器,这样将消除对单独的检测器的需求。
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公开(公告)号:CN101526398B
公开(公告)日:2012-04-25
申请号:CN200910126041.4
申请日:2009-03-03
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G01J3/02 , G01J3/0245 , G01J3/42 , G01N21/3586 , G02B6/29376
Abstract: 一种太赫分光计,包括光纤和发射器。光纤从构成超短脉冲振荡器的增益光纤中分支。发射器利用从增益光纤通过光纤引入的脉冲光束生成太赫波。通过本发明的太赫分光计可以用简单配置以较高的精度来测量样品。
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公开(公告)号:CN101526398A
公开(公告)日:2009-09-09
申请号:CN200910126041.4
申请日:2009-03-03
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G01J3/02 , G01J3/0245 , G01J3/42 , G01N21/3586 , G02B6/29376
Abstract: 一种太赫分光计,包括光纤和发射器。光纤从构成超短脉冲振荡器的增益光纤中分支。发射器利用从增益光纤通过光纤引入的脉冲光束生成太赫波。通过本发明的太赫分光计可以用简单配置以较高的精度来测量样品。
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公开(公告)号:EP2098839A3
公开(公告)日:2010-12-15
申请号:EP09003036.2
申请日:2009-03-03
Applicant: Sony Corporation
Inventor: Formanek, Florian , Brun, Marc-Auréle
CPC classification number: G01J3/02 , G01J3/0245 , G01J3/42 , G01N21/3586 , G02B6/29376
Abstract: A terahertz spectrometer includes an optical fiber and an emitter. The optical fiber is branched from a gain fiber constituting an ultra-short pulse oscillator. The emitter generates a terahertz wave from a pulse beam guided from the gain fiber through the optical fiber.
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公开(公告)号:EP3320313A2
公开(公告)日:2018-05-16
申请号:EP16751047.8
申请日:2016-07-07
Applicant: SI-Ware Systems
Inventor: SABRY, Yasser, M. , KHALIL, Diaa , BOUROUINA, Tarik, E. , ANWAR, Momen
CPC classification number: H01L49/00 , G01J3/0205 , G01J3/0208 , G01J3/0216 , G01J3/0237 , G01J3/0245 , G01J3/108 , G01J3/26 , G01J3/42 , H01K1/04 , H01K1/14
Abstract: An optical radiation source produced from a disordered semiconductor material, such as black silicon, is provided. The optical radiation source includes a semiconductor substrate, a disordered semiconductor structure etched in the semiconductor substrate and a heating element disposed proximal to the disordered semiconductor structure and configured to heat the disordered semiconductor structure to a temperature at which the disordered semiconductor structure emits thermal infrared radiation.
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公开(公告)号:EP3140636A1
公开(公告)日:2017-03-15
申请号:EP15723825.4
申请日:2015-05-08
Applicant: Danmarks Tekniske Universitet
Inventor: KRISTENSEN, Anders , VANNAHME, Christoph , DUFVA, Martin
IPC: G01N21/77 , G02F1/39 , H01S3/06 , H01S3/08 , H01S3/16 , G01J3/02 , G01J3/06 , G01J3/18 , G01J3/28 , G02B6/122 , H01S5/00
CPC classification number: G01N21/7743 , G01J3/0245 , G01J3/1895 , G01J3/2823 , G01J2003/064 , G01N21/4133 , G01N2021/7776 , G01N2021/7789 , G02B6/00 , G02B6/1225 , G02F1/39 , H01S3/0635 , H01S3/08009 , H01S3/168 , H01S3/2391
Abstract: The invention relates to a surface refractive index scanning system for characterization of a sample. The system comprises a grating device for holding or receiving the sample, the device comprising at least a first grating region having a first grating width along a transverse direction, and a second grating region having a second grating width in the transverse direction. The first grating region and the second grating region are adjacent in the transverse direction, wherein the first grating region has a grating period Λ1 in a longitudinal direction, and the second grating region has a grating period Λ2 in the longitudinal direction, where the longitudinal direction is orthogonal to the transverse direction. A grating period spacing ΔΛ=Λ1-Λ2 is finite. Further, the first and second grating periods are chosen to provide optical resonances for light respectively in a first wavelength band and a second wavelength band, light is being emitted, transmitted, or reflected in an out-of-plane direction, wherein the first wavelength band and the second wavelength band are at least partially non-overlapping in wavelength. The system further comprises a light source for illuminating at least a part of the grating device with light at an illumination wavelength band. Additionally, the system comprises an imaging system for imaging the emitted, transmitted or reflected light from the grating device. The imaging system comprises an optical element, such as a cylindrical lens or a bended mirror, configured for focusing light in a transverse direction and for being invariant in an orthogonal transverse direction, the optical element being oriented such that the longitudinal direction of the grating device is oriented to coincide with the invariant direction of the optical element, and an imaging spectrometer comprising an entrance slit having a longitudinal direction oriented to coincide with the invariant direction of the optical element. The imaging spectrometer further comprises a 2-dimensional image sensor. The invention further relates to a method.
Abstract translation: 本发明涉及用于表征样品的表面折射率扫描系统。 该系统包括用于保持或接收样本的光栅装置,该装置至少包括具有沿横向方向的第一光栅宽度的第一光栅区域和具有沿横向方向的第二光栅宽度的第二光栅区域。 第一光栅区域和第二光栅区域在横向方向上相邻,其中第一光栅区域在纵向方向上具有光栅周期Λ1,并且第二光栅区域在纵向方向上具有光栅周期Λ2,其中纵向方向 与横向方向正交。 光栅周期间隔ΔΛ=Λ1-Λ2是有限的。 此外,第一和第二光栅周期被选择为分别为第一波长带和第二波长带的光提供光共振,光在面外方向上发射,透射或反射,其中第一波长 波段和第二波长带在波长上至少部分不重叠。 该系统还包括用于用照明波长带处的光照射光栅装置的至少一部分的光源。 另外,该系统包括成像系统,用于对来自光栅装置的发射光,透射光或反射光进行成像。 成像系统包括光学元件,例如圆柱形透镜或弯曲镜,被配置用于在横向方向上聚焦光并且在正交横向方向上不变,光学元件被定向成使得光栅装置的纵向方向 定向成与光学元件的不变方向一致;以及成像光谱仪,其包括入射狭缝,该入射狭缝具有定向为与光学元件的不变方向一致的纵向方向。 成像光谱仪还包括二维图像传感器。 本发明还涉及一种方法。
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公开(公告)号:JP2013539855A
公开(公告)日:2013-10-28
申请号:JP2013528221
申请日:2011-08-26
Applicant: サン−ゴバン パフォーマンス プラスティックス コーポレイション
Inventor: アジズ・マーファド・ファミリア , デイヴィッド・エス・シャックルフォード , ナフィ・メキレフ , マイク・エー・ジマーマン
IPC: G01N21/35
CPC classification number: G01J3/021 , G01J3/0245 , G01J3/42 , G01N15/082 , G01N21/3554 , G01N21/39 , G01N2021/399
Abstract: The present invention is directed to systems and methods which utilize a cavity ring-down spectroscopy (CRDS) technique implemented for the measurements of vapor transmission rate. In one embodiment, the vapor content to be measured is contained within an optical cavity. Light is then injected into the cavity up to a threshold level and the delay time of the injected light is measured. When the wavelength of the injected light is resonant with an absorption feature of the vapor the decay time increases linearly as a function of vapor content. In this manner, vapor content causes a longer delay time and thus the amount of vapor passing through the film (film permeation rate) can be determined in real-time.
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公开(公告)号:JP2018533812A
公开(公告)日:2018-11-15
申请号:JP2018500601
申请日:2016-07-07
Applicant: シーウェア システムズ , SI−WARE SYSTEMS
Inventor: サブリィ,ヤセル,エム. , カーリル,ディアー , ブルイナ,タリク,イー. , アンワル,モーメン
CPC classification number: H01L49/00 , G01J3/0205 , G01J3/0208 , G01J3/0216 , G01J3/0237 , G01J3/0245 , G01J3/108 , G01J3/26 , G01J3/42 , H01K1/04 , H01K1/14
Abstract: ブラックシリコンなどの不規則半導体構造から生成された光学的放射源が提供されている。この光学的放射源は、半導体基板と、この半導体基板にエッチングされた不規則半導体構造と、この不規則半導体構造に近接して配置され、不規則半導体構造が熱赤外線放射を出射する温度にこの不規則半導体構造を加熱するように構成した加熱素子を具える。 【選択図】図1
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