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公开(公告)号：CN101375363B
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200780003705.7
申请日：2007-06-27
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01J1/304 , H01J37/073 , H01L21/027
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/073 , H01J37/3174 , H01J2201/30457 , H01J2237/06341 , H01J2237/26
Abstract: 本发明的目的在于提供高亮度、低能量分散且长寿命的电子发射阴极，提供采用金刚石制造的电子发射阴极。因此，本发明的目的在于提供可充分稳定地把持的，且前端尖锐化了的，提高了电场强度的金刚石电子发射阴极。本发明所涉及的金刚石电子发射阴极(110)至少分为3个区域，即在柱状前端以电子发射为目的的前端区域(203)、在长度方向以在对面上把持为目的的后端区域(201)、经过细径加工的中间区域(202)，后端区域的断面积是0.1mm2以上，前端区域的前端经过尖锐化加工，经过细径加工的中间区域的断面积最大为0.1mm2以下。
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公开(公告)号：CN100365754C
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN03808832.0
申请日：2003-03-06
Applicant: 宋简民
Inventor： 宋简民
IPC: H01J1/62
CPC classification number: H01J1/304 , C01B32/25 , H01J1/3048 , H01J9/025 , H01J2201/30457
Abstract: 一种当输入足够量的能量时能够在真空中发射电子的无定形金刚石材料(5)。该材料可以利用组成和几何方面，以便使电子输出达到最大而使所需能量输入达到最小。在一方面，无定形金刚石材料可以包括至少90原子%的碳原子，其中至少大约30原子%的这种碳原子以扭曲四面体构型结合。此外，材料可以配置有具有从大约10到大约10,000纳米的粗糙度的高度(20)的发射表面。多种能量类型可以单独地或者结合地使用，以促进电子流动，例如热能，光能，和感生电场能。无定形金刚石材料可以包括到多种真空型设备中，例如开关，激光二极管，发电机和冷却设备。
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公开(公告)号：CN1270342C
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN98805274.1
申请日：1998-05-20
Applicant: 毫微-专卖股份有限公司
CPC classification number: H01J9/025 , H01J2201/30457 , H01J2329/00
Abstract: 用对衬底(704)进行腐蚀然后淀积膜(705)的工艺，制造了可以用于计算机显示器的场发射器件的膜(碳和/或金刚石)。腐蚀步骤在衬底上产生用于膜淀积工艺的成核位置。用此工艺，避免了发射膜的图形化。用这种膜能够制造场发射器件。得到的场发射器件，其阴极具有未被腐蚀过的连续膜，因而具有优异的发射性质。阴极中的象素包括直接淀积在衬底上的发射膜，导体淀积在发射膜的一侧或更多侧上。在一个实施例中，发射体位于制作在导体层中的窗口中。
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公开(公告)号：CN1229836C
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN01808080.4
申请日：2001-02-16
Applicant: 富勒林国际公司
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/304 , H01J1/3044 , H01J9/025 , H01J2201/30457 , H01J2201/30469 , Y10S977/745 , Y10S977/939
Abstract: 本发明涉及用金刚石碳或类金刚石碳涂覆的纳米管，包括该纳米管的场致发射体阴极以及包括阴极的场致发射体。还涉及通过用金刚石或类金刚石涂覆纳米管阻止碳从包含纳米管组成阴极的场致发射体汽化的方法。在另一方面，本发明涉及阻止碳从包含纳米管组成阴极的电子场致发射体汽化的方法，该方法包括用金刚石或类金刚石涂覆的纳米管。
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公开(公告)号：CN1083615C
公开(公告)日：2002-04-24
申请号：CN94119228.8
申请日：1994-12-22
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , G09G3/2014 , G09G3/22 , G09G2320/0233 , H01J1/316 , H01J29/70 , H01J31/127 , H01J2201/30457 , H01J2201/3165 , H01J2329/00
Abstract: 一种图像形成装置包括设在基片上的由多个电子发射器件构成的电子束源，以及按照电子发射器件发射的电子束的照射而形成图像的图像形成元件，该元件是条形元件，上述多个电子发射器件各自包括沿一个方向并排布置在上述基片表面上的一个负电极，一个电子发射区及一个正电极，该方向垂直于条形元件的延伸方向。采用本装置，仍可以防止图像质量恶化。电子发射器件和图像形成元件分别可以是冷阴极器件和荧光物质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1282974A
公开(公告)日：2001-02-07
申请号：CN00105457.0
申请日：1995-10-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/3042 , H01J9/025 , H01J2201/30403 , H01J2201/30457 , H01J2329/00
Abstract: 一种电子发射阴极包括:一个n型半导体膜,该膜包含部分地从该n型半导体膜表面上突出的金刚石颗粒;及一个与n型半导体膜对置的阳极,并在它们之间具有真空。利用在阳极与n型半导体膜之间施加电压使电子发射。
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公开(公告)号：CN101361154B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200780001460.4
申请日：2007-09-18
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01J1/3044 , H01J9/025 , H01J37/065 , H01J37/073 , H01J2201/30407 , H01J2201/30411 , H01J2201/30419 , H01J2201/30457 , H01J2237/06341 , H01J2237/26 , H01J2237/3137 , H01J2237/3146 , H01J2237/31749 , H01J2237/3175
Abstract: 一种金刚石电子源和制造该金刚石电子源的方法，在该金刚石电子源中，作为在电子显微镜或其他电子束装置中使用的电子发射点，单个尖锐末端形成在其尺寸使在微加工工序中难以进行抗蚀剂涂布的柱状金刚石单晶的一端。研磨柱状金刚石单晶(10)的一端，以形成光滑平面(11)，并且在光滑平面(11)上形成陶瓷层(12)。使用聚焦离子束装置，在陶瓷层(12)上沉积具有指定形状的薄膜层(14)，并在此之后使用薄膜层(14)作为掩模通过蚀刻来图案化陶瓷层(12)。使用得到的陶瓷掩模以通过干法蚀刻在柱状金刚石单晶(10)的一端处形成单个尖锐末端。
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公开(公告)号：CN101065820B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200580040587.8
申请日：2005-11-28
Applicant: 日本财团法人高知县产业振兴中心 , 卡西欧计算机株式会社
IPC: H01J1/304
CPC classification number: H01J1/3048 , H01J2201/30457
Abstract: 将一种在X射线衍射中具有金刚石的图案并且由微粒直径为5nm到10nm的多个金刚石细微粒形成的电子发射膜形成在基板上。该电子发射膜可以在其使发射电流流动时将场强限制为低水平，并且该电子发射膜具有均匀的电子发射特性。
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公开(公告)号：CN101250750A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200710193310.X
申请日：2003-03-06
Applicant: 宋简民
Inventor： 宋简民
CPC classification number: H01J1/304 , C01B32/25 , H01J1/3048 , H01J9/025 , H01J2201/30457
Abstract: 一种当输入足够量的能量时能够在真空中发射电子的无定形金刚石材料(5)。该材料可以利用组成和几何方面，以便使电子输出达到最大而使所需能量输入达到最小。在一方面，无定形金刚石材料可以包括至少90原子％的碳原子，其中至少大约30原子％的这种碳原子以扭曲四面体构型结合。此外，材料可以配置有具有从大约10到大约10,000纳米的粗糙度的高度(20)的发射表面。多种能量类型可以单独地或者结合地使用，以促进电子流动，例如热能，光能，和感生电场能。无定形金刚石材料可以包括到多种真空型设备中，例如开关，激光二极管，发电机和冷却设备。
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公开(公告)号：CN1120514C
公开(公告)日：2003-09-03
申请号：CN97120094.7
申请日：1997-10-13
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J29/94 , H01J1/304 , H01J2201/30426 , H01J2201/30457 , H01J2329/00
Abstract: 本发明涉及具有可长时间保持其工作稳定性的结构的电子管。该电子管至少包括：场致发射体，由金刚石或主要由金刚石组成的材料制成，并有其末端是氢的表面；和密封管壳，装有金刚石场致发射体。利用氢的末端，可把金刚石场致发射体的电子亲和势设置为负值。此外，把氢密封在密封管壳内。由于这种结构，金刚石场致发射体表面末端的氢状态稳定，并且场致发射体的电子亲和势在长时间内不会改变。
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