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公开(公告)号：CN101894725A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN201010220307.4
申请日：2010-07-09
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J31/127 , H01J1/3044 , H01J29/04 , H01J2201/30411 , H01J2329/0415
Abstract: 本发明涉及一种离子源，其包括：一真空容器，该真空容器具有一气体入口以及一离子出射孔；一离子电极，该离子电极设置于所述真空容器的离子出射孔处；以及一场发射电子源设置于所述真空容器中，其中，该场发射电子源的电子出射部形成于阴极电极上，以使电子发射体的电子发射端不会通过电子出射部暴露，所以当电子发射体发射的电子与真空中游离的气体分子碰撞产生离子向电子引出电极方向运动时，该离子不会轰击到该电子发射体，从而使该电子发射体具有较长寿命。
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公开(公告)号：CN101042977B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200610060018.6
申请日：2006-03-22
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J1/3044 , H01J37/073 , H01J37/26 , H01J2201/30411 , H01J2201/30434 , H01J2201/30469 , H01J2237/06341 , H01J2237/28
Abstract: 本发明涉及一种碳纳米管场发射电子源，其包括：一导电基体、一碳纳米管和一导电金属层，该导电基体具有一锥形顶部，该碳纳米管一端通过范德华力附着于导电基体顶部的表面，另一端沿该导电基体顶部向外延伸，该导电金属层形成于该碳纳米管表面与该导电基体顶部表面。本发明还涉及上述碳纳米管场发射电子源的制造方法。
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公开(公告)号：CN101042977A
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200610060018.6
申请日：2006-03-22
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J1/3044 , H01J37/073 , H01J37/26 , H01J2201/30411 , H01J2201/30434 , H01J2201/30469 , H01J2237/06341 , H01J2237/28
Abstract: 本发明涉及一种碳纳米管场发射电子源，其包括：一导电基体、一碳纳米管和一导电金属层，该导电基体具有一顶部，该碳纳米管一端与该导电基体顶部电性连接，另一端沿该导电基体顶部向外延伸，该导电金属层形成于该碳纳米管表面与该导电基体顶部表面。本发明还涉及上述碳纳米管场发射电子源的制造方法。
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公开(公告)号：CN103295854A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201210042274.8
申请日：2012-02-23
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J1/14 , H01J1/3044 , H01J9/042 , H01J37/073 , H01J63/02 , H01J63/06 , H01J2201/196 , H01J2201/30411 , H01J2201/30469 , H01J2237/06316 , H01J2237/06333 , H01J2237/06341 , H01J2237/26 , H01J2237/28 , H01J2329/0455 , Y10T428/24132
Abstract: 本发明提供一种碳纳米管微尖结构，其包括：一绝缘基底，该绝缘基底具有一表面，该表面具有一边缘；一图案化碳纳米管膜结构，该图案化碳纳米管膜结构部分设置于该绝缘基底的所述表面，该图案化碳纳米管膜结构包括两个条形臂，该两个条形臂在端部相连以形成一尖端，该尖端突出该绝缘基底所述表面的边缘并悬空设置，该图案化碳纳米管膜结构包括多个基本平行于该绝缘基底所述表面的碳纳米管。
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公开(公告)号：CN101894725B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201010220307.4
申请日：2010-07-09
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J31/127 , H01J1/3044 , H01J29/04 , H01J2201/30411 , H01J2329/0415
Abstract: 本发明涉及一种离子源，其包括：一真空容器，该真空容器具有一气体入口以及一离子出射孔；一离子电极，该离子电极设置于所述真空容器的离子出射孔处；以及一场发射电子源设置于所述真空容器中，其中，该场发射电子源的电子出射部形成于阴极电极上，以使电子发射体的电子发射端不会通过电子出射部暴露，所以当电子发射体发射的电子与真空中游离的气体分子碰撞产生离子向电子引出电极方向运动时，该离子不会轰击到该电子发射体，从而使该电子发射体具有较长寿命。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107851545A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680046423.4
申请日：2016-08-12
Applicant: 科磊股份有限公司
Inventor： 勇-霍·亚历克斯·庄 , 银英·肖李 , 刘学峰 , 约翰·费尔登
CPC classification number: G03F7/70008 , H01J1/304 , H01J1/34 , H01J35/065 , H01J37/073 , H01J2201/30411 , H01J2201/3048 , H01J2237/0635
Abstract: 一种电子源形成于具有相对第一表面及第二表面的硅衬底上。至少一个场发射体制备于所述硅衬底的所述第二表面上以增强电子的发射。为防止硅的氧化，使用使氧化及缺陷最小化的过程来将薄的连续硼层直接安置于所述场发射体的输出表面上。所述场发射体可呈现例如棱锥及圆形晶须的各种形状。一或若干任选栅极层可放置于场发射体尖端处或放置成略低于所述场发射体尖端的高度以实现对发射电流的快速准确控制及高发射电流。所述场发射体可经p型掺杂且经配置以在反向偏置模式中操作，或所述场发射体可经n型掺杂。
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公开(公告)号：CN103295854B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201210042274.8
申请日：2012-02-23
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J1/14 , H01J1/3044 , H01J9/042 , H01J37/073 , H01J63/02 , H01J63/06 , H01J2201/196 , H01J2201/30411 , H01J2201/30469 , H01J2237/06316 , H01J2237/06333 , H01J2237/06341 , H01J2237/26 , H01J2237/28 , H01J2329/0455 , Y10T428/24132
Abstract: 本发明提供一种碳纳米管微尖结构，其包括：一绝缘基底，该绝缘基底具有一表面，该表面具有一边缘；一图案化碳纳米管膜结构，该图案化碳纳米管膜结构部分设置于该绝缘基底的所述表面，该图案化碳纳米管膜结构包括两个条形臂，该两个条形臂在端部相连以形成一尖端，该尖端突出该绝缘基底所述表面的边缘并悬空设置，该图案化碳纳米管膜结构包括多个基本平行于该绝缘基底所述表面的碳纳米管。
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公开(公告)号：CN101361154A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200780001460.4
申请日：2007-09-18
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01J1/3044 , H01J9/025 , H01J37/065 , H01J37/073 , H01J2201/30407 , H01J2201/30411 , H01J2201/30419 , H01J2201/30457 , H01J2237/06341 , H01J2237/26 , H01J2237/3137 , H01J2237/3146 , H01J2237/31749 , H01J2237/3175
Abstract: 一种金刚石电子源和制造该金刚石电子源的方法，在该金刚石电子源中，作为在电子显微镜或其他电子束装置中使用的电子发射点，单个尖锐末端形成在其尺寸使在微加工工序中难以进行抗蚀剂涂布的柱状金刚石单晶的一端。研磨柱状金刚石单晶(10)的一端，以形成光滑平面(11)，并且在光滑平面(11)上形成陶瓷层(12)。使用聚焦离子束装置，在陶瓷层(12)上沉积具有指定形状的薄膜层(14)，并在此之后使用薄膜层(14)作为掩模通过蚀刻来图案化陶瓷层(12)。使用得到的陶瓷掩模以通过干法蚀刻在柱状金刚石单晶(10)的一端处形成单个尖锐末端。
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公开(公告)号：CN109314026A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201780034257.0
申请日：2017-06-20
Applicant: 科磊股份有限公司
Inventor： W·G·舒尔茨 , G·德尔加多 , F·希尔 , E·加西亚(贝里奥斯) , R·加西亚
CPC classification number: H01J1/3044 , H01J1/34 , H01J9/025 , H01J19/24 , H01J19/82 , H01J2201/30411 , H01J2201/30449 , H01J2201/30492 , H01J2209/0223
Abstract: 本发明涉及一种发射器，其含有金属硼化物材料，所述发射器具有拥有1μm或更小的半径的至少部分圆形尖端。可施加电场到所述发射器，且从所述发射器产生电子束。为形成所述发射器，从单晶棒移除材料以形成含有金属硼化物材料的发射器，其具有拥有1μm或更小的半径的圆形尖端。
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公开(公告)号：CN101361154B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200780001460.4
申请日：2007-09-18
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01J1/3044 , H01J9/025 , H01J37/065 , H01J37/073 , H01J2201/30407 , H01J2201/30411 , H01J2201/30419 , H01J2201/30457 , H01J2237/06341 , H01J2237/26 , H01J2237/3137 , H01J2237/3146 , H01J2237/31749 , H01J2237/3175
Abstract: 一种金刚石电子源和制造该金刚石电子源的方法，在该金刚石电子源中，作为在电子显微镜或其他电子束装置中使用的电子发射点，单个尖锐末端形成在其尺寸使在微加工工序中难以进行抗蚀剂涂布的柱状金刚石单晶的一端。研磨柱状金刚石单晶(10)的一端，以形成光滑平面(11)，并且在光滑平面(11)上形成陶瓷层(12)。使用聚焦离子束装置，在陶瓷层(12)上沉积具有指定形状的薄膜层(14)，并在此之后使用薄膜层(14)作为掩模通过蚀刻来图案化陶瓷层(12)。使用得到的陶瓷掩模以通过干法蚀刻在柱状金刚石单晶(10)的一端处形成单个尖锐末端。
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