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公开(公告)号:CN109216230A
公开(公告)日:2019-01-15
申请号:CN201810687965.0
申请日:2018-06-28
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: C23C16/4412 , B01D2258/0216 , C23C16/4405 , F04C23/001 , F04C25/02 , F04C29/0092 , F04C2220/30 , H01J37/32834 , H01J37/32844 , H01L21/67017 , H01J37/3244 , H01J37/32862
Abstract: 本发明提供排气系统设备,减少排气系统设备的内部的副生成物的残留量而进一步提高排气系统设备的工作率。为了对半导体制造装置(12)的腔室(14)内进行排气,而在腔室(14)的下游设置真空泵(10)。气体供给装置(18)与真空泵(10)连接,而向真空泵(10)供给包含卤化氢和氮气的气体。
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公开(公告)号:CN104425315B
公开(公告)日:2017-08-22
申请号:CN201410421492.1
申请日:2014-08-25
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor: 丽萨·玛丽·吉特利 , 史蒂芬·宇-宏·劳 , 詹姆斯·弗里斯特·李
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/02002 , H01J37/32449 , H01J37/32834 , H01J37/32844 , H01J37/32862 , Y02C20/30
Abstract: 本发明涉及用于优化远程等离子窗清洁的排气流扩散挡板冒口。UV固化室内的成孔剂累积可通过使清扫气流过使晶片暴露于UV光的窗去除放气的成孔剂而被减少。清扫气流中的成孔剂可随着它们流过室并进入排气挡板而沉积到室内,包括沉积在排气挡板上的表面。排气挡板可具有使这种成孔剂沉积更均匀地分布在排气挡板上的特定特征,由此减少在清洁处理期间清洁挡板以完全去除累积的成孔剂所需的时间量。
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公开(公告)号:CN107004563A
公开(公告)日:2017-08-01
申请号:CN201580066603.4
申请日:2015-11-17
Applicant: 应用材料公司
Inventor: 科林·约翰·迪金森
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32844 , A62D3/19 , A62D2101/22 , A62D2101/26 , A62D2101/28 , H01J37/32834 , Y02C20/30 , Y02E60/366
Abstract: 本文描述一种用于减量来自处理腔室的含有PFC气体的流出物的等离子体减量工艺。等离子体减量工艺从处理腔室(诸如蚀刻腔室)提取气态前级管道流出物,且与设置在前级管道路径中的等离子体腔室内的流出物反应。所述等离子体分解PFC气体且使它们与试剂反应,将流出物转变成非全球变暖化合物,且所述化合物可通过传统设施水洗涤技术来轻易移除。本公开内容阐明了用来控制试剂氢对氧的比例的方法,以使得除了PFC破坏之外,经减量的化合物具有改变的组成,而能延长下游支撑设备的维护间隔。
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公开(公告)号:CN105209156B
公开(公告)日:2017-05-10
申请号:CN201480027798.7
申请日:2014-03-14
Applicant: MKS仪器股份有限公司
CPC classification number: H01J37/32449 , B01D53/323 , B01D53/76 , B01D2257/2064 , H01J37/32339 , H01J37/32357 , H01J37/32458 , H01J37/32651 , H01J37/32669 , H01J37/32844 , H01J37/32935 , H01J2237/3321 , H01J2237/334 , H05H1/46 , H05H2001/4667 , H05H2245/121 , Y02C20/30
Abstract: 提供用于减少气体的设备。该设备包含环形等离子体腔室,其具有多个进口和一个出口,和至少一个腔室壁。一个或多个磁芯相对于环形等离子体腔室设置。等离子体腔室限定环形等离子体。第二气体进口设置在环形等离子体腔室上,且设置在第一气体进口和气体出口之间并与该气体出口相距距离d,从而第一气体进口和第二气体进口之间的环形等离子体通道体积基本上由惰性气体填充,该距离d基于所需的要减少的气体的停留时间。
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公开(公告)号:CN102085470A
公开(公告)日:2011-06-08
申请号:CN201010514577.6
申请日:2010-10-15
Applicant: 韩国机械研究院
CPC classification number: H01J37/3255 , B01D53/32 , B01D53/323 , B01D2257/20 , B01D2257/2066 , B01D2257/40 , B01D2257/708 , B01D2258/0216 , B01D2259/818 , H01J37/32091 , H01J37/32348 , H01J37/32541 , H01J37/32834 , H01J37/32844 , H05H1/2406 , H05H2001/2456 , H05H2001/2462 , H05H2245/121 , H05H2245/1215 , Y02C20/30 , Y02P70/605
Abstract: 公开了用于去除污染物质的等离子体反应器及其驱动方法。本发明提供一种用于去除在显示器或半导体制造工序中低压工艺腔室内产生的污染物质的等离子体反应器。本发明的用于去除污染物质的等离子体反应器包括第一接地电极和第二接地电极,它们两者之间相互隔开设置;介电质,其固定在所述第一接地电极和所述第二接地电极之间;以及至少一个驱动电极,其位于所述介电质的外表面上,并与所述第一接地电极和所述第二接地电板相互隔开设置,且与交流电源单元连接,以接收驱动电压。
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公开(公告)号:CN1795530B
公开(公告)日:2010-12-01
申请号:CN200480014061.8
申请日:2004-05-21
Applicant: 艾克塞利斯技术公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32357 , H01J37/3244 , H01J37/32844 , Y02C20/30
Abstract: 一种等离子体装置、等离子体装置的各种构件以及无氧且无氮的方法,用于自含有碳及/或氢的低k介电层的基板有效移除光致抗蚀剂材料以及蚀刻后的残留物。
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公开(公告)号:CN101400821A
公开(公告)日:2009-04-01
申请号:CN200780008754.X
申请日:2007-02-22
Applicant: 爱德华兹有限公司
CPC classification number: C23C16/20 , C23C16/4412 , F04B37/14 , F04D19/042 , F05C2203/0804 , F05C2253/12 , F05D2260/607 , H01J37/32834 , H01J37/32844 , Y02C20/30
Abstract: 一种在从工艺反应室中泵抽出含有有机铝前体的气流时,防止铝在真空泵内沉积的方法,所述方法包括向真空泵上游的气流供应氯,使其与前体反应形成在气相状态下可以无害的通过泵的氯化铝。
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公开(公告)号:CN106575602A
公开(公告)日:2017-04-19
申请号:CN201580042294.7
申请日:2015-06-30
Applicant: 应用材料公司
Inventor: 王荣平
IPC: H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: C23C16/4412 , C23C16/4405 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01J37/32449 , H01J37/32834 , H01J37/32844 , Y02C20/30
Abstract: 本公开内容的实施方式关于用于清洁排气管的远程等离子体源。在一个实施方式中,设备包含基板处理腔室;被定位用以抽空基板处理腔室的泵;以及减排系统。减排系统包括定位在基板处理腔室和泵之间的等离子体气体传送系统,该气体传送系统具有与基板处理腔室耦接的第一端和与泵耦接的第二端;反应器本体,通过传送构件与该气体传送系统连接;清洁气体源,与该反应器本体连接;以及功率源,被定位用以在反应器本体内使来自清洁气体源的清洁气体离子化。清洁气体的自由基和物种(species)与来自基板处理腔室的后处理气体反应,从而在该后处理气体进入泵之前将后处理气体转化成对环境和处理设备友好的成分。
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公开(公告)号:CN103021779B
公开(公告)日:2016-08-10
申请号:CN201210392266.6
申请日:2008-07-14
Applicant: 爱德华兹有限公司
CPC classification number: H01J37/32844 , H05H2245/1215 , Y02C20/30
Abstract: 等离子体反应器包括反应室和连接到反应室的入口头。入口头包括连接到反应室的开口端,位于与开口端相对的等离子体入口,从开口端向等离子体入口逐渐变小的内表面,和各自位于等离子体入口和开口端之间的第一和第二气体入口。等离子炬通过等离子体入口将等离子体物流注入到反应室中,所述等离子体入口被成形为使得等离子体物流朝着第一和第二气体入口向外散布。入口头和等离子体入口的这种成形能够使得等离子体物流可以撞击到气体物流上,当它们从气体入口离开时,并且由此引起相当大比例的气体物流的至少一种组分在气体物流开始在室内混合前进行反应。
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公开(公告)号:CN104247575A
公开(公告)日:2014-12-24
申请号:CN201380021125.6
申请日:2013-04-15
Applicant: 应用材料公司
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H05B6/36 , F01N3/0275 , F01N2240/28 , H01J37/32834 , H01J37/32844 , H05H1/46 , H05H2001/4667 , H05H2245/1215 , Y02C20/30
Abstract: 在一些实施方式中,一种用于处理在基板处理系统的前级真空管线中的废气的设备,所述设备可包括介电管,所述介电管经配置以耦接至基板处理系统的前级真空管线,以允许废气从前级真空管线流动通过介电管;射频线圈,所述射频线圈围绕介电管的外表面卷绕,所述射频线圈具有第一端以提供射频输入至射频线圈,射频线圈的第一端靠近介电管的第一端,且射频线圈的第二端靠近介电管的第二端;分接头,所述分接头耦接至射频线圈以提供射频回程路径,所述分接头位于介电管的第一端与介电管的中央部分之间。
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