公开(公告)号：JP2018074427A

公开(公告)日：2018-05-10

申请号：JP2016213152

申请日：2016-10-31

Applicant: 新日本無線株式会社

Inventor： 荒木 新一 ,  臼井 孝英

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H04R31/00 ,  H01L29/84 ,  H04R19/04

Abstract: 【課題】ASICを大きくすることなく、MEMS素子においてもサイズが大きくなったり、コストが増大したりすることなく、感度調整を良好に行う。 【解決手段】固定電極3と、この固定電極3にエアーギャップGを介して略平行に配置された可動電極2とを備えるMEMS素子で、固定電極3の外周に3つ(1つでもよい)のトリミング用の固定電極リング10A〜10Cを配置する。この固定電極リング10A〜10Cは、例えば連結ライン9の両端に設けられたヒューズ部12を介してこの連結ライン9に接続されており、電極パッド15A〜15Cのそれぞれからヒューズ部12に切断電流を流し、選択された固定電極リング10A〜10Cを固定電極3から切り離すことにより、プルイン電圧を所望の一定値とし感度を調整する。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6314295B1

公开(公告)日：2018-04-18

申请号：JP2018502267

申请日：2017-08-23

Applicant: 株式会社村田製作所 ,  新日本無線株式会社

Inventor： 中磯 俊幸 ,  松枝 斉 ,  鈴木 隆信 ,  梶原 健二 ,  松本 英顯

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/76 ,  H01L21/329 ,  H01L29/868 ,  H01L29/861 ,  H01L29/866 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L29/866 ,  H01L21/76 ,  H01L21/822 ,  H01L23/12 ,  H01L27/04 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 第1主面(10A)、第2主面(20B)、及び側面を有する基板20と、基板20において第1主面(10A)側に設けられ、半導体素子が形成された素子領域(40)と、第1主面(10A)上に設けられ、半導体素子に電気的に接続された複数の端子電極(80A,80B)を含む配線層(90)とを備え、基板(10)は、第1主面(10A)の平面視において、基板(10)の周縁に形成される複数の周縁領域(30A,30B)を有し、第1主面(10A)の平面視において、複数の端子電極(80A,80B)のそれぞれは、複数の周縁領域(30A,30B)のそれぞれに隣接し、第1主面(10A)の平面視において、複数の端子電極(80A,80B)及び素子領域(40)は、複数の周縁領域(30A,30B)よりも内側に位置し、複数の周縁領域(20A,30B)は互いに絶縁されており、素子領域(40)及び複数の端子電極(80A,80B)は複数の周縁領域(30A,30B)と絶縁されている、半導体デバイス(100)を提供する。

公开(公告)号：JP2018058150A

公开(公告)日：2018-04-12

申请号：JP2016196806

申请日：2016-10-04

Applicant: 新日本無線株式会社

Inventor： 荒木 新一 ,  臼井 孝英

IPC: B81C1/00 ,  H04R19/04 ,  H04R31/00 ,  H01L29/84 ,  B81B3/00

Abstract: 【課題】強度の低下がなく、可動電極の大きな変位により感度を向上させ、しかも面積効率よく感度を高めることが可能となるようにする。 【解決手段】バックチャンバー10を有する基板1上に固定電極5を配置し、この固定電極5にエアーギャップGを介して略平行に、変位可能な可動電極3を配置したMEMS素子において、絶縁膜6から固定電極5に形成された孔hを貫通し、可動電極3まで到達する支持柱7を、可動電極面においてマトリクス状に配置する。これにより、薄い可動電極3と狭いエアーキャップGを実現し、感度を高めることができる。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6305751B2

公开(公告)日：2018-04-04

申请号：JP2013259098

申请日：2013-12-16

Applicant: 新日本無線株式会社

Inventor： 新井 学

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L21/28

公开(公告)号：JP2018046046A

公开(公告)日：2018-03-22

申请号：JP2016177498

申请日：2016-09-12

Applicant: 新日本無線株式会社

Inventor： 緒方 敏洋 ,  高崎 真吾 ,  平 知晃

IPC: H01L23/02

Abstract: 【課題】中空構造内にSAWフィルタ素子やMEMS素子を有するパッケージ構造を有する半導体装置において、生産性が高く、低コストで製造することができる中空パッケージ及びその製造方法を提供する。 【解決手段】中空構造を有する中空パッケージにおいて、チップ搭載部1を取り囲む壁部3の上面に段差部4を形成しておき、減圧雰囲気下でリッド7と貼り合わせてから常圧に戻したときの圧力差により全体を貼り合わせることにより、一括で中空パッケージを形成する。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2018033083A

公开(公告)日：2018-03-01

申请号：JP2016165697

申请日：2016-08-26

Applicant: 新日本無線株式会社

Inventor： 杉本 芳嗣

IPC: H04R1/00

Abstract: 【課題】インシュレータに使用される材料の成分や配合のバラツキによる音質変化を低減して音質の高品質化を実現できる音響機器用インシュレータを提供すること。 【解決手段】脚本体20の底面22に、脚本体20の中心部側から外周部側に向かう断面V字形を呈する複数の放音溝24を形成した。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2018032896A

公开(公告)日：2018-03-01

申请号：JP2016161883

申请日：2016-08-22

Applicant: 新日本無線株式会社

Inventor： 荒木 新一

IPC: H04R19/04

Abstract: 【課題】フリップチップ接続による音漏れ防止が可能となるトランスデューサ装置およびその製造方法を提供する。 【解決手段】トランスデューサ装置において、第1の基板11は、通常の半導体装置の製造に使用されるシリコン基板を使用し、この第1の基板11の表面に絶縁膜を形成し、変換部23および信号処理回路24を搭載する。アコースティックポート19を取り囲むように例えばリング状の接合端子も同時に形成する。さらに、蓋部となる第2の基板31を用意し、変換部23と第1の基板11または第2の基板31との間に音漏れ防止用接合部28を備える。 【選択図】図4

公开(公告)号：JP2018026649A

公开(公告)日：2018-02-15

申请号：JP2016156123

申请日：2016-08-09

Applicant: 新日本無線株式会社

Inventor： 荒木 新一 ,  臼井 孝英 ,  福留 隆雄

IPC: H03B5/32

Abstract: 【課題】制御回路等を搭載したシリコン基板へ与える機械的、化学的なストレスや損傷、或いは材質の違いにより加えられる応力を低減し、装置として高品質、高性能の維持、低背化を図る。 【解決手段】制御回路2が形成され、水晶振動子4が搭載されたシリコン基板1と、スルービア11と外面の外部端子12を設けたシリコン蓋9とを備え、シリコン基板1に、接続部分6a,13aを介してスルービア11を接続しながら金属接合材6b,13bによりシリコン蓋9を接合することで、水晶振動子4を密封空間に配置すると共に、外部端子12をシリコン蓋9側に設ける。また、シリコン基板1とシリコン蓋9の接合の後、シリコン基板1の底面を研磨することで、低背化を図る。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6276567B2

公开(公告)日：2018-02-07

申请号：JP2013241475

申请日：2013-11-22

Applicant: 新日本無線株式会社

Inventor： 岸澤 靖典

IPC: H01P5/103 ,  H01P5/107

公开(公告)号：JP6266386B2

公开(公告)日：2018-01-24

申请号：JP2014045923

申请日：2014-03-10

Applicant: 新日本無線株式会社

Inventor： 鷲澤 博則 ,  北川 英男

IPC: G01R31/28 ,  H03H3/08 ,  H01L21/66 ,  G01R31/26