페로브스카이트와 염료를 이용한 태양전지 및 그 제조 방법
    91.
    发明授权
    페로브스카이트와 염료를 이용한 태양전지 및 그 제조 방법 有权
    使用钙钛矿和染料的制造方法和薄膜太阳能电池

    公开(公告)号:KR101623653B1

    公开(公告)日:2016-05-23

    申请号:KR1020140148571

    申请日:2014-10-29

    CPC classification number: Y02E10/50

    Abstract: 본발명은광 흡수층에서흡수되는광의파장영역및 광흡수량이향상되도록구조가개선된태양전지및 이의제조방법에관한것이다. 본발명에따른태양전지는전도성투명기판을포함하는제1전극과, 상기제1전극상에형성되는블로킹층과, 상기블로킹층상에형성된광 흡수층과, 상기광 흡수층이형성된제1전극에대향하며배치되는제2전극과, 상기제2전극과상기광 흡수층사이에형성되는정공전달층을포함하며, 상기광 흡수층은, 유기염료및 무기염료중 적어도어느하나를포함하는제1염료와, 페로브스카이트염료를포함한다.

    결정질 실리콘 태양 전지 및 이의 제조방법
    92.
    发明公开
    결정질 실리콘 태양 전지 및 이의 제조방법 有权
    晶体硅太阳能电池和制造晶体硅太阳能电池的方法

    公开(公告)号:KR1020130104776A

    公开(公告)日:2013-09-25

    申请号:KR1020120026615

    申请日:2012-03-15

    Abstract: PURPOSE: A crystalline silicon solar cell and a manufacturing method thereof are provided to reduce a photocurrent loss due to the recombination of electrons and holes by forming a bottom electrode structure using the mixed paste of Al and Ag. CONSTITUTION: A crystalline silicon substrate (110) is divided into first regions (101) and a second region (106) which is formed between the first regions. A crystalline silicon layer (120) is arranged on the crystalline silicon substrate. A top electrode structure (150) is electrically connected to the crystalline silicon layer. A rear field effect layer (140) is formed on the first and second regions. A bottom electrode structure (130) is electrically connected to the rear field effect layer.

    Abstract translation: 目的:提供一种晶体硅太阳能电池及其制造方法,以通过使用Al和Ag的混合浆料形成底部电极结构来减少由于电子和空穴的复合导致的光电流损失。 结构:晶体硅衬底(110)被分成形成在第一区域之间的第一区域(101)和第二区域(106)。 在晶体硅衬底上设置结晶硅层(120)。 顶部电极结构(150)电连接到晶体硅层。 在第一和第二区域上形成后场效应层(140)。 底部电极结构(130)电连接到后场效应层。

    고상성장을 이용한 태양전지 도핑층 형성방법
    93.
    发明授权
    고상성장을 이용한 태양전지 도핑층 형성방법 有权
    使用固相外延的掺杂层制造方法的太阳能电池

    公开(公告)号:KR101300803B1

    公开(公告)日:2013-08-29

    申请号:KR1020130050291

    申请日:2013-05-03

    CPC classification number: Y02E10/50 Y02P70/521

    Abstract: 본 발명은 태양전지 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 전극 소성 공정시 에미터 또는 전면전계 및 후면전계를 동시 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따라 제조된 태양전지는 pn 접합 면적이 확대되어 태양광 수광 능력이 향상되고, 높은 표면 재결합 방지 효과를 나타내어 광전기 변환 효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

    고상성장을 이용한 태양전지 도핑층 형성방법
    94.
    发明公开
    고상성장을 이용한 태양전지 도핑층 형성방법 无效
    使用固相外延片的掺杂层制备方法的太阳能电池

    公开(公告)号:KR1020130008913A

    公开(公告)日:2013-01-23

    申请号:KR1020110069601

    申请日:2011-07-13

    CPC classification number: Y02E10/50 Y02P70/521 H01L31/04 H01L31/18

    Abstract: PURPOSE: A method for forming a solar cell doped layer using a solid phase epitaxy is provided to increase p-n junction area by omitting an edge isolation process. CONSTITUTION: An amorphous layer is deposited on a crystal silicon substrate. Impurities are doped in the amorphous layer. A reflection barrier layer(3) is deposited on the impurity doped amorphous layer(2). A metal paste(4) is printed on the reflection barrier layer and the rear surface of the silicon substrate. A thermal process is performed on the resultant.

    Abstract translation: 目的:提供一种使用固相外延形成太阳能电池掺杂层的方法,以通过省略边缘隔离工艺来增加p-n结面积。 构成:在晶体硅衬底上沉积非晶层。 杂质掺杂在非晶层中。 反射阻挡层(3)沉积在杂质掺杂非晶层(2)上。 在反射阻挡层和硅衬底的后表面上印刷金属膏(4)。 对所得物进行热处理。

    태양전지 그리드 전극 제조 장치 및 이를 사용한 그리드 전극 제조 방법
    95.
    发明授权
    태양전지 그리드 전극 제조 장치 및 이를 사용한 그리드 전극 제조 방법 有权
    用于在太阳能电池上制作网状电极的装置

    公开(公告)号:KR101202826B1

    公开(公告)日:2012-11-20

    申请号:KR1020110016727

    申请日:2011-02-24

    CPC classification number: Y02E10/50 Y02P70/521

    Abstract: 본 발명은, 태양전지 기판이 배치되는 기판 스테이지; 상기 기판 스테이지로 금속 파우더를 포함하는 금속 파우더 용액의 금속 파우더 액적을 상기 태양전지 기판으로 토출하여 상기 태양전지 기판 상에 그리드 전극을 형성하는 노즐과, 상기 노즐에 상기 금속 파우더 용액을 공급하는 금속 파우더 공급부를 구비하는 금속 파우더 공급 유니트; 상기 노즐과 상기 기판 스테이지 사이에 전압을 인가하는 전압 공급부; 및 상기 금속 파우더 공급부에 용액 공급 제어 신호를 그리고 상기 전압 공급부에 전압 공급 제어 신호를 인가하는 제어부를 구비하는 태양전지 그리드 전극 제조 장치 및 태양전지 그리드 전극 제조 방법을 제공한다.

    후면전계층을 포함하는 카드뮴텔룰라이드 태양전지 및 이의 제조방법
    96.
    发明公开
    후면전계층을 포함하는 카드뮴텔룰라이드 태양전지 및 이의 제조방법 无效
    包含背面的CDTE太阳能电池及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020120119045A

    公开(公告)日:2012-10-30

    申请号:KR1020110036778

    申请日:2011-04-20

    CPC classification number: Y02E10/543 Y02P70/521

    Abstract: PURPOSE: A cadmium telluride solar cell including a rear side electric field layer and a manufacturing method thereof are provided to arrange a CdS thin film on which a metal is doped in a rear side electric field layer and to block flow of an electronic charge. CONSTITUTION: A transparent conductive oxide film(12) is formed on a glass substrate(11). A light transmitting layer(13) is formed on the transparent conductive oxide film. A light absorbing layer(14) is formed on the light transmitting layer. A CdS(Cadmium Sulfide) layer is formed on the light transmitting layer. A metal is doped on the CdS layer.

    Abstract translation: 目的:提供一种包括背面电场层的碲化镉太阳能电池及其制造方法,以配置在背面电场层中掺杂金属的CdS薄膜,阻止电子电荷的流动。 构成:在玻璃基板(11)上形成透明导电氧化膜(12)。 在透明导电氧化膜上形成透光层(13)。 在透光层上形成光吸收层(14)。 在透光层上形成CdS(硫化镉)层。 在CdS层上掺杂金属。

    실리콘 이종접합 태양전지용 투명전도 산화막 및 이를 포함하는 실리콘 이종접합 태양전지
    97.
    发明公开
    실리콘 이종접합 태양전지용 투명전도 산화막 및 이를 포함하는 실리콘 이종접합 태양전지 无效
    透明导电硅膜,用于硅异质型太阳能电池和含硅绝缘的太阳能电池

    公开(公告)号:KR1020120090624A

    公开(公告)日:2012-08-17

    申请号:KR1020110011153

    申请日:2011-02-08

    CPC classification number: Y02E10/50 H01L31/022475 H01L31/028

    Abstract: PURPOSE: A transparent conductive oxide layer for a silicon hetero-junction solar cell and the silicon hetero-junction solar cell including the same are provided to improve photoelectric conversion efficiency by increasing an open voltage and a filling rate. CONSTITUTION: An amorphous silicon layer(12) is formed on a crystalline silicon substrate(11). An emitter(13) is formed on the amorphous silicon layer. A transparent conductive oxide layer(14) is formed on the emitter. A top electrode(15) is formed on the transparent conductive oxide layer. A bottom electrode(19) is formed on the lower side of the silicon substrate.

    Abstract translation: 目的:提供一种用于硅异质结太阳能电池的透明导电氧化物层和包括其的硅异质结太阳能电池,以通过增加开路电压和充电速率来提高光电转换效率。 构成:在晶体硅衬底(11)上形成非晶硅层(12)。 在非晶硅层上形成发射极(13)。 在发射极上形成透明导电氧化物层(14)。 顶部电极(15)形成在透明导电氧化物层上。 底部电极(19)形成在硅衬底的下侧。

    탄소가 코팅된 실리콘 나노입자 및 그 제조방법
    98.
    发明授权
    탄소가 코팅된 실리콘 나노입자 및 그 제조방법 有权
    涂覆碳的纳米颗粒和制备它的方法

    公开(公告)号:KR101171954B1

    公开(公告)日:2012-08-08

    申请号:KR1020100054576

    申请日:2010-06-09

    Abstract: 본 발명은 불산(HF) 용액 침지, 클로로포름 용액 침지, 및 초음파 처리를 거쳐 합성된 탄소가 코팅된 실리콘 나노입자, 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 초음파 처리를 통하여 간단한 공정으로 탄소가 코팅된 실리콘 나노입자를 제조할 수 있다. 본 발명에 따른 탄소가 코팅된 실리콘 나노입자는 기존의 리튬이온전지의 충전 및 방전에 따른 실리콘 나노입자의 큰 부피변화를 완충시켜줄 뿐만 아니라, 상기 실리콘 나노입자의 응집 현상 또한 막아주는 역할을 하며, 리튬이온전지 전극 표면의 비저항을 감소시켜 전지의 충전 및 방전 시 효과적인 전기화학반응을 유도할 수 있는 장점이 있다. 따라서, 본 발명에 따른 탄소가 코팅된 실리콘 나노입자를 사용하여 제조된 리튬이온전지는 긴 수명과, 높은 충전 및 방전 용량, 및 우수한 부피 안정성을 기대할 수 있다.

    태양전지 모듈 및 이의 제조방법
    99.
    发明授权
    태양전지 모듈 및 이의 제조방법 有权
    太阳能电池模块及其制造方法

    公开(公告)号:KR101144254B1

    公开(公告)日:2012-05-15

    申请号:KR1020100114338

    申请日:2010-11-17

    CPC classification number: Y02E10/50 H01L31/05

    Abstract: PURPOSE: A solar cell module and a manufacturing method thereof are provided to execute a tabbing process in the low temperature and low pressure condition by forming a hole on an interconnection ribbon interlinking an interval of solar cells. CONSTITUTION: A hole is formed on an interconnection ribbon by using mechanical drilling, laser drilling, or lithography. Diameter of the hole is 0.1 to 1mm. The interconnection ribbon is composed of a copper electrode coated by alloy including lead. The interconnection ribbon is in which the hole is formed is tabbed to a bus bar which is formed on a solar cell. The solar cells are connected by using the interconnection ribbon attached to the bus bar. Tempered glass, an EVA film, the solar cell, the EVA film, and a back sheet are successively laminated.

    Abstract translation: 目的:提供一种太阳能电池组件及其制造方法,通过在连接太阳能电池间隔的互连带上形成孔,在低温低压状态下进行拉片加工。 构成:通过使用机械钻孔,激光钻孔或光刻,在互连带上形成孔。 孔直径为0.1〜1mm。 互连带由由包括铅的合金涂覆的铜电极组成。 其中形成有孔的互连带被标记到形成在太阳能电池上的汇流条上。 太阳能电池通过使用连接到母线的互连带来连接。 依次层叠钢化玻璃,EVA膜,太阳能电池,EVA膜和背板。

    탄소가 코팅된 실리콘 나노입자 및 그 제조방법
    100.
    发明公开
    탄소가 코팅된 실리콘 나노입자 및 그 제조방법 有权
    涂有碳的硅纳米颗粒及其制备方法

    公开(公告)号:KR1020110134793A

    公开(公告)日:2011-12-15

    申请号:KR1020100054576

    申请日:2010-06-09

    CPC classification number: C01B33/149 B01J19/10 B82Y30/00 B82Y40/00

    Abstract: PURPOSE: Silicon nano-particles coated with carbon and a method for manufacturing the same are provided to facilitate manufacturing processes through a hydrofluoric acid solution-based immersing process, a chloroform solution-based immersing process, and an ultrasound wave treating process. CONSTITUTION: A method for manufacturing silicon nano-particles coated with carbon includes the following: Silicon nano-particles are immersed in a hydrofluoric acid solution. A silicon oxide layer is eliminated from the surface of the silicon nano-particles. The silicon nano-particles are immersed in a chloroform solution. An ultrasound wave treating process is implemented to obtain silicon nano-particles coated with carbon. Remaining chloroform solution is eliminated using inert gas. The inert gas is argon. The silicon nano-particles coated with carbon function as the cathode material for a lithium ion battery.

    Abstract translation: 目的:提供涂覆有碳的硅纳米颗粒及其制造方法,以通过基于氢氟酸溶液的浸渍方法,基于氯仿溶液的浸渍方法和超声波处理方法来促进制造工艺。 构成:涂覆有碳的硅纳米颗粒的制造方法包括:将硅纳米颗粒浸入氢氟酸溶液中。 从硅纳米颗粒的表面除去氧化硅层。 将硅纳米颗粒浸入氯仿溶液中。 实施超声波处理工艺以获得涂覆有碳的硅纳米颗粒。 使用惰性气体除去剩余的氯仿溶液。 惰性气体是氩气。 涂覆有碳的硅纳米颗粒用作锂离子电池的阴极材料。

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