-
公开(公告)号:KR102061852B1
公开(公告)日:2020-01-02
申请号:KR1020170174234
申请日:2017-12-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L25/07 , H01L23/485 , H01L23/538 , H01L23/28 , H01L23/498 , H01L23/31
-
-
公开(公告)号:KR1020160142798A
公开(公告)日:2016-12-13
申请号:KR1020160159674
申请日:2016-11-28
IPC: G02B5/30
CPC classification number: G02B5/3041 , G02B5/3083
Abstract: 광학필름을제시한다. 광학필름은제1 위상지연층, 그리고제2 위상지연층을포함하며, 상기제1 위상지연층은상기편광층과상기제2 위상지연층사이에위치하고, 550 nm 파장의입사광에대한상기제1 위상지연층의면내위상차는 240 nm 내지 300 nm 범위이고, 상기기준파장의입사광에대한상기제2 위상지연층의면내위상차는 110 nm 내지 160nm 범위이고, 상기기준파장의입사광에대한상기제1 위상지연층의두께방향위상차와상기제2 위상지연층의두께방향위상차는서로반대부호이다.
-
94.
公开(公告)号:KR101672346B1
公开(公告)日:2016-11-03
申请号:KR1020100122192
申请日:2010-12-02
Applicant: 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
Abstract: 투명전도성물질인 BaSnSbO의단결정의제조방법을개시한다. Ba의소스물질, Sn의소스물질, Sb의소스물질과플럭스물질을혼합하여혼합물을형성한다. 상기혼합물을 100-300℃/hr의속도로승온하고, 6-24시간동안 600-1300℃에서온도를고정한뒤에, 0.5-3℃/hr의속도로 600-1000℃까지온도를내린뒤, 100-300℃/hr의속도로상온까지냉각하여 BaSnSbO의단결정을형성한다. 결과물을산처리하여플럭스를제거하여상기 BaSnSbO의단결정을분리한다.
Abstract translation: 目的:提供透明导电材料的设计方法,以提供用于电子设备的透明电极的透明导电材料。 构成:透明导电材料的设计方法包括:确定具有1-5eV的导带的A_aB_bO_c的步骤具有低于可见光面积的最小能量的导电电子的等离子体频率,并且具有光学 通过计算能带,带隙能量高于可见光区域的最大能量; 以及确定A_aB_(bx)C_xO_c的步骤,其中光学带隙能量和导带距离A_aB_bO_c的光学带隙能量在80-100%的范围内,并且从导带的70-100% ,其中费米能量在导带内。
-
公开(公告)号:KR1020160088131A
公开(公告)日:2016-07-25
申请号:KR1020150007461
申请日:2015-01-15
Applicant: 삼성전자주식회사 , 삼성에스디아이 주식회사
IPC: G02B5/02 , G02B5/30 , G02F1/1335
CPC classification number: G02B5/305 , B32B27/08 , B32B27/16 , B32B27/20 , B32B27/308 , B32B27/32 , B32B27/365 , B32B2250/24 , B32B2255/10 , B32B2255/26 , B32B2307/416 , B32B2307/42 , B32B2307/546 , B32B2307/718 , B32B2307/732 , B32B2457/20 , B32B2457/202 , C09J7/29 , C09J2201/606 , C09J2203/318 , C09J2433/00 , G02B1/11 , G02B5/3083 , G02F1/133305 , G02F1/133502 , G02F1/13363 , G02B5/0294 , G02B5/30 , G02F1/133528
Abstract: 편광필름, 보상필름및 이들사이에위치하는점착층을포함하고, 반사방지필름의초기위상차(R)에비하여약 3 mm이상의곡률반경(r)으로굴곡시켰을때의위상차의변화(△R)가하기수학식 1을만족하는플렉서블표시장치용반사방지필름을제공한다: [수학식 1].
Abstract translation: 提供一种抗反射膜,其包括:偏光膜; 补偿膜; 以及位于偏振膜和补偿膜之间的粘合膜。 与抗反射膜的初始相位差(R_0)相比,用半径曲率(r)为3mm以上的弯曲的相位差(ΔR)的变化满足数学式1。数学式1为 (ΔR/ R_0)×100 <= 10%。
-
公开(公告)号:KR101636705B1
公开(公告)日:2016-07-06
申请号:KR1020090072485
申请日:2009-08-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06F3/041 , G06F3/0488 , G06F3/0486 , H04B1/40
CPC classification number: G06F3/04883 , G06F3/0236 , G06F3/04886 , G06F2203/04807
Abstract: 본발명은터치스크린을구비한휴대단말에서의문자입력에관한것으로, 문자입력모드설정시상기터치스크린에, 최종적으로선택된문자가디스플레이되는문자표시영역과, 사용자에의해선택가능한복수의문자로이루어진문자배열이디스플레이되는문자안내영역과, 사용자의터치입력을감지하는문자선택영역을구분하여디스플레이하고, 상기문자선택입력영역을통해감지되는터치드래그의궤적에대응하여상기문자안내영역에디스플레이된문자들중 하나의문자를선택하고, 상기하나의문자가선택되었음을나타내는표현을상기문자안내영역을통해디스플레이하고, 터치입력이해제되면현재선택된문자를문자표시영역에디스플레이한다.
-
公开(公告)号:KR1020160065552A
公开(公告)日:2016-06-09
申请号:KR1020140169674
申请日:2014-12-01
Applicant: 삼성전자주식회사 , 삼성에스디아이 주식회사
IPC: G02B5/30 , G02F1/1335
CPC classification number: G02B5/3083 , G02F1/133634 , G02F2001/133637 , G02F2001/133638 , H01L51/5275 , H01L51/5281 , Y10T428/10 , Y10T428/1036 , G02B5/30 , G02B5/3008 , G02F1/1335
Abstract: 음의복굴절값을가지는고분자를포함하는제1 위상지연층, 및음의복굴절값을가지는고분자를포함하는제2 위상지연층을포함하고, 550nm 파장의입사광에대한상기제1 위상지연층의면내위상차(R)는 180nm 내지 300nm이고, 550nm 파장의입사광에대한상기제2 위상지연층의면내위상차(R)는 60nm 내지 170nm이고, 450nm 및 550nm 파장에대한상기제1 위상지연층과상기제2 위상지연층의전체면내위상차(R)는 R(450nm)
Abstract translation: 补偿膜,光学膜和显示装置技术领域本发明涉及补偿膜,光学膜和显示装置。 补偿膜包括:包含具有负双折射的聚合物的第一相位延迟层; 以及包含具有负双折射率的聚合物的第二相延迟层。 波长为550nm的入射光的第一相位延迟层的面内延迟(R_e1)为180〜300nm。 波长为550nm的入射光的第二相位延迟层的面内延迟(R_e2)为60〜170nm。 对于450nm和550nm波长的第一相位延迟层和第二相位延迟层的整个面内延迟(R_e0)满足R_e0(450nm)
-
98.
公开(公告)号:KR101617810B1
公开(公告)日:2016-05-03
申请号:KR1020090078195
申请日:2009-08-24
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C11/5628 , G11C16/3418 , G11C2211/5648
Abstract: 본발명은불휘발성메모리장치의프로그램방법에관한것이다. 본발명의프로그램방법에따르면, 프로그램데이터가수신되고, 그리고프로그램데이터에기반하여, 제 1 소거상태의메모리셀들이제 2 소거상태및 프로그램상태로프로그램된다.
-
公开(公告)号:KR101560271B1
公开(公告)日:2015-10-15
申请号:KR1020120087388
申请日:2012-08-09
IPC: C08J5/18 , C08F222/06 , C08F220/08 , G02B1/04
CPC classification number: G02B1/08 , C08F20/08 , C08F22/04 , C08F36/20 , G02B1/00 , G02B1/04 , G02B5/3083 , C08L33/00
Abstract: 하기화학식 1로표시되는반복단위또는화학식 2로표시되는반복단위를포함하는광학필름용고분자를제공한다: (화학식 1) (화학식 2)
-
公开(公告)号:KR1020150098097A
公开(公告)日:2015-08-27
申请号:KR1020140019226
申请日:2014-02-19
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 다양한 실시 에에 따른, 전자 장치의 생체 정보 처리 방법은, 하나의 프로세서를 통해 일반 영역 및 보안 영역으로 동작되는 전자 장치의 생체 정보 처리 방법에 있어서, 일반 영역에서 생체 센서 모듈로부터 생체 정보 입력 이벤트를 검출하는 동작; 상기 일반 영역에서 생체 정보 입력 이벤트를 보안 영역으로 전달하는 동작; 상기 보안 영역에서 생체 정보 입력 이벤트에 응답하여 생체 센서 모듈로부터 센싱 데이터를 획득하는 동작; 및 상기 보안 영역에서 획득된 센싱 데이터를 처리하여 생체 정보 등록 결과 정보 및 생체 인식 결과 정보를 일반 영역으로 전달하는 동작을 포함할 수 있다.
Abstract translation: 根据本发明的各种实施例的用于处理电子设备的生物特征信息的方法处理通过处理器在一般区域和安全区域中操作的电子设备的生物特征信息。 本发明可以包括以下步骤:从一般区域中的生物测定传感器模块检测生物体信息输入事件; 将生物特征信息输入事件从一般区域传送到安全区域; 响应于安全区域中的生物特征信息输入事件,从生物测定传感器模块获得感测数据; 以及通过处理从所述安全区域获得的感测数据,将生物特征信息登记结果和生物特征感测结果信息传送到所述一般区域。
-
-
-
-
-
-
-
-
-