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公开(公告)号：KR101658037B1
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：KR1020100111121
申请日：2010-11-09
Applicant: 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
IPC: G09G3/30
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G2300/0842 , G09G2310/0251
Abstract: 능동형디스플레이구동방법이개시된다. 개시된능동형디스플레이장치의구동방법은, 각화소를충전하기이전에상기화소에연결된스위칭트랜지스터에음의바이어스전압을인가하여상기스위칭트랜지스터의문턱전압을회복시키는단계를포함한다. 상기음의바이어스전압은상기스위칭트랜지스터의드레인전극에인가된다.
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公开(公告)号：KR1020120060602A
公开(公告)日：2012-06-12
申请号：KR1020100122192
申请日：2010-12-02
Applicant: 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A designing method of transparent conductive material is provided to provide transparent conductive material using for a transparent electrode of an electronic device. CONSTITUTION: A designing method of transparent conductive material comprises: a step of determining A_aB_bO_c, which has the conduction band gap of 1-5 eV, has plasma frequency of conduction electron which is lower than the minimum energy of visible light area, and has optical band gap energy higher than the maximum energy of visible light region, by calculation of energy band; and a step of determining A_aB_(b-x)C_xO_c of which optical band gap energy and conduction band gap is within the range of 80-100% from the optical band gap energy of the A_aB_bO_c, and the 70-100% from the conduction band gap, respectively, and of which Fermi energy is within the conduction band.
Abstract translation: 目的：提供透明导电材料的设计方法，以提供用于电子设备的透明电极的透明导电材料。 构成：透明导电材料的设计方法包括：确定具有1-5eV的导带的A_aB_bO_c的步骤具有低于可见光面积的最小能量的导电电子的等离子体频率，并且具有光学 通过计算能带，带隙能量高于可见光区域的最大能量; 以及确定A_aB_（bx）C_xO_c的步骤，其中光学带隙能量和导带距离A_aB_bO_c的光学带隙能量在80-100％的范围内，并且从导带的70-100％ ，其中费米能量在导带内。
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公开(公告)号：KR101672346B1
公开(公告)日：2016-11-03
申请号：KR1020100122192
申请日：2010-12-02
Applicant: 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
Abstract: 투명전도성물질인 BaSnSbO의단결정의제조방법을개시한다. Ba의소스물질, Sn의소스물질, Sb의소스물질과플럭스물질을혼합하여혼합물을형성한다. 상기혼합물을 100-300℃/hr의속도로승온하고, 6-24시간동안 600-1300℃에서온도를고정한뒤에, 0.5-3℃/hr의속도로 600-1000℃까지온도를내린뒤, 100-300℃/hr의속도로상온까지냉각하여 BaSnSbO의단결정을형성한다. 결과물을산처리하여플럭스를제거하여상기 BaSnSbO의단결정을분리한다.
Abstract translation: 目的：提供透明导电材料的设计方法，以提供用于电子设备的透明电极的透明导电材料。 构成：透明导电材料的设计方法包括：确定具有1-5eV的导带的A_aB_bO_c的步骤具有低于可见光面积的最小能量的导电电子的等离子体频率，并且具有光学 通过计算能带，带隙能量高于可见光区域的最大能量; 以及确定A_aB_（bx）C_xO_c的步骤，其中光学带隙能量和导带距离A_aB_bO_c的光学带隙能量在80-100％的范围内，并且从导带的70-100％ ，其中费米能量在导带内。
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公开(公告)号：KR1020120049720A
公开(公告)日：2012-05-17
申请号：KR1020100111121
申请日：2010-11-09
Applicant: 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
IPC: G09G3/30
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G2300/0842 , G09G2310/0251 , G09G3/30 , G09G3/32
Abstract: PURPOSE: A driving method of an active type display device is provided to recover threshold voltage of a thin film transistor by applying negative bias voltage to a drain electrode of a switching transistor. CONSTITUTION: A switching transistor is connected to a pixel. Negative bias voltage is applied to the switching transistor. The negative bias voltage is applied before charging each pixel. Threshold voltage of the switching transistor is recovered. The negative bias voltage is applied to a drain electrode of the switching transistor.
Abstract translation: 目的：提供一种有源型显示装置的驱动方法，通过向开关晶体管的漏极施加负偏置电压来恢复薄膜晶体管的阈值电压。 构成：开关晶体管连接到像素。 负偏置电压施加到开关晶体管。 在对每个像素充电之前施加负偏压。 恢复开关晶体管的阈值电压。 负偏压施加到开关晶体管的漏电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101929941B1
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：KR1020120087993
申请日：2012-08-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: 저항 변화 물질 소자 및 이를 적용한 디바이스가 개시된다. 개시된 저항 변화 물질 소자는, 제1및 제2전극 사이에 위치되는 저항 변화 물질층을 구비한다. 제1및 제2전극 중 어느 한 전극과 저항 변화 물질층 사이에는 자가 정류층이 마련된다.
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公开(公告)号：KR101906974B1
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：KR1020110038442
申请日：2011-04-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/14
CPC classification number: H01L27/14632 , H01L27/1446 , H01L27/14603 , H01L27/14623
Abstract: 광센싱화소내의광센서트랜지스터와스위치트랜지스터가각각동일한구조의산화물반도체트랜지스터로이루어지는광센싱장치및 상기광센싱장치의동작신뢰성을향상시킬수 있는구동방법이개시된다. 개시된광센싱장치에따르면, 광센싱화소내의광센서트랜지스터와스위치트랜지스터는하나의기판위에서동일한구조로인접하여형성되며, 스위치트랜지스터에광이입사하는것을방지하기위하여스위치트랜지스터의광입사면에는광차폐막이더 배치된다. 또한, 개시된광센싱장치의구동방법에따르면, 시간의흐름에따른스위치트랜지스터의문턱전압시프트를방지하기위하여, 광차폐막에는음(-)의바이어스전압이인가된다.
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公开(公告)号：KR101814603B1
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：KR1020110058639
申请日：2011-06-16
Applicant: 삼성전자주식회사 , 삼성디스플레이 주식회사
IPC: A61B6/03 , G01T1/161 , H01L31/101
CPC classification number: H01L27/14609 , A61B6/037 , G01T1/2006 , G01T1/2018 , G01T1/208 , H01L27/14618 , H01L27/14663 , H01L2924/0002 , H04N5/3698 , H01L2924/00
Abstract: 에너지해상도가개선된픽셀소자가제공된다. 이를위해본 발명은, 적어도하나의포토다이오드, 및포토다이오드에전압을공급하며, 전압저장유닛및 전압조절유닛을포함하는, 적어도하나의전압공급유닛을포함하고, 프리차지모드에서, 전압저장유닛은포토다이오드의애노드와연결되어제1 애노드전압을저장하고, 센싱모드에서, 전압조절유닛은포토다이오드의애노드의제2 애노드전압을전압저장유닛에저장된제1 애노드전압과동일하게조절하는것을특징으로하는픽셀소자를개시한다.
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公开(公告)号：KR101761817B1
公开(公告)日：2017-07-26
申请号：KR1020110019646
申请日：2011-03-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L31/08 , G01T1/24 , H01L27/146 , G01N23/04
CPC classification number: H01L27/14676 , H01L27/14618 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 대면적엑스선검출기개시된다. 개시된대면적엑스선검출기는, 인쇄회로기판에배치된복수의칩과, 상기각 칩에대응되게그 위에배치된복수의픽셀전극과, 상기복수의픽셀전극과상기복수의픽셀패드를전기적으로연결하는재분배층을구비한다. 상기재분배층상에서상기칩의핀패드가형성된이면상에형성된복수의제1전극패드와, 상기제1전극패드및 상기제2전극핀패드를전기적으로연결하는와이어를포함한다. . 상기와이어는칩들사이의갭에배치된다.
Abstract translation: 大面积X射线探测器启动。 它公开了一种大面积的X射线检测器，设置在印刷电路板上的芯片，所述多个和所述对应于每个芯片中的多个设置在其上的像素电极，并且所述多个像素电极和电连接所述多个像素垫的 重新分配层。 以及用于电连接的第一多个电极焊盘，所述第一电极焊盘和在销侧形成形成在再分布层上的芯片的销垫的第二电极焊盘的线。 。 导线布置在芯片之间的间隙中。
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公开(公告)号：KR101678671B1
公开(公告)日：2016-11-22
申请号：KR1020100029982
申请日：2010-04-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L31/115
CPC classification number: G01T1/242 , H01L31/085
Abstract: 이중포토컨덕터를구비한엑스선검출기가개시된다. 개시된이중포토컨덕터를구비한엑스선검출기는, 엑스선이입사되는제1 포토컨덕터층과, 제1 포토컨덕터층을통과한엑스선이입사되는제2 포토컨덕터층을포함한다. 제1 포토컨덕터층과제2 포토컨덕트층은탠덤구조로이루어져있다. 제1 포토컨덕터층은저 에너지대역의엑스선을흡수하는실리콘으로이루어지며, 제2 포토컨덕터층은실리콘보다높은에너지대역의엑스선을흡수하는물질로형성된다.
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