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公开(公告)号：KR101443223B1
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：KR1020080031714
申请日：2008-04-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01F27/00
CPC classification number: H01F17/0006 , H01F21/005 , H01F21/02 , H01F27/34 , H01F41/045 , H03H2001/0092
Abstract: 인덕터 및 그 동작방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 본 발명의 인덕터는 인가되는 전기장에 따라 전기 저항이 달라지는 제1물질을 포함하는 인덕터용 도전선, 및 상기 도전선의 양단에 각각 전기적으로 연결된 제1 및 제2전극을 포함하는 인덕터를 제공한다.
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公开(公告)号：KR101438147B1
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：KR1020080004906
申请日：2008-01-16
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C19/0808 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675
Abstract: 본 발명은 자구벽 이동을 이용한 정보저장장치와 그의 동작 및 제조방법에 관한 것이다. 개시된 본 발명의 정보저장장치는 제1 자성층, 상기 제1 자성층의 제1 영역을 가열하기 위한 가열수단, 및 상기 제1 영역에 자기장을 인가하여 자구를 형성하기 위한 자기장 인가수단을 포함하며, 상기 자구의 벽은 상기 제1 자성층에 인가되는 전류에 의해 이동되는 정보저장장치를 제공한다.
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公开(公告)号：KR101336991B1
公开(公告)日：2013-12-16
申请号：KR1020070047833
申请日：2007-05-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C11/00
CPC classification number: H03K3/40 , G11C13/00 , G11C13/0007 , G11C2213/32 , G11C2213/77
Abstract: 본발명은교차점래치및 그의동작방법에관한것이다. 개시된본 발명의교차점래치는신호선, 상기신호선과교차하는두 개의제어선및 상기신호선과상기제어선의교차점에배치된유니폴라스위치를포함하는것을특징으로한다.
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公开(公告)号：KR101334184B1
公开(公告)日：2013-11-28
申请号：KR1020070113875
申请日：2007-11-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G11C11/1697 , G11C11/1653 , G11C11/1673 , G11C11/1675
Abstract: 필드 프로그래머블 반도체 메모리장치는 적어도 두개의 동작모드에 대하여, 각 동작모드에 대응하도록 전류구동회로의 입력값 연결상태를 변경시키고, 전류구동회로에 연결되는 마그네틱 메모리셀의 논리함수를 동작모드에 대응하여 정의하는 모드별 입력값 생성부, 및 모드별 입력값 생성부에서 정의된 각 마그네틱 메모리셀의 논리함수에 대하여 논리연산을 수행하고, 논리연산 결과값을 출력하는 논리연산부로 이루어진다.
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公开(公告)号：KR101323717B1
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：KR1020070093847
申请日：2007-09-14
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C19/0841 , G11C11/14
Abstract: 본 발명은 자구벽 이동을 이용한 정보 저장 장치 및 그 제조방법에 관한 것이다. 상기 정보 저장 장치의 자성트랙은 길이방향으로 자구 형성 영역 및 자구벽 형성 영역을 교대로 배치하여 형성된 자성층을 포함한다. 상기 자성층은 하부의 중간층 물질에 따라 다른 자기 이방성 에너지를 나타내고, 상기 중간층은 자구를 형성하기 위한 제 1물질 영역과 자구벽을 형성하기 위한 제 2물질 영역을 교대로 배치하여 형성된다.
자구, 자구벽, 자성층, 중간층, 자기 이방성 에너지-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101303579B1
公开(公告)日：2013-09-09
申请号：KR1020070072485
申请日：2007-07-19
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01H1/0094 , Y10T29/49105
Abstract: 전기기계적 스위치 및 그 제조방법을 개시한다. 본 발명의 전기기계적 스위치는 전기장에 의해 움직이는 탄성도전층을 포함하는 전기기계적 스위치에 있어서, 상기 탄성도전층은 적어도 한 층의 그래핀(graphene)을 포함하는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR101288477B1
公开(公告)日：2013-07-26
申请号：KR1020070080844
申请日：2007-08-10
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C11/14 , G11C19/0808 , Y10S977/933
Abstract: 본 발명은 자구벽 이동을 이용한 정보 저장 장치에 관한 것이다. 개시된 본 발명의 정보 저장 장치는 다수의 자구를 갖는 자성트랙, 상기 자성트랙에 연결된 전류 인가수단, 및 읽기/쓰기수단을 포함하는 정보 저장 장치에 있어서, 상기 자성트랙은, 서로 평행하고 상호 이격하여 적층 배열된 다수의 제1 자성층 및 이들을 연결하는 제2 자성층을 구비하는 지그재그 형태의 저장트랙을 포함하고, 상기 제1 자성층은 기판과 평행하고 상기 제2 자성층은 상기 기판에 수직한 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR1020120034419A
公开(公告)日：2012-04-12
申请号：KR1020100095971
申请日：2010-10-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66477 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L29/1079 , H01L29/1606 , H01L29/66045 , H01L29/66742 , H01L29/78 , H01L29/78603 , H01L29/78606 , H01L29/78684 , Y10S977/734 , Y10S977/838 , Y10S977/842 , H01L21/324
Abstract: PURPOSE: A graphene electronic device and a fabricating method thereof are provided to prevent the inherent characteristic of a graphene channel layer from being damaged by forming a passivation layer or a gate oxide on the graphene channel layer after a thermal process. CONSTITUTION: A gate oxide(112) is formed on a silicon substrate(110). A hydrophobic polymer layer(120) is formed on the gate oxide. A graphene channel layer(130) is formed on the hydrophobic polymer layer. A source electrode(142) and a drain electrode(144) are respectively formed on both ends of the graphene channel layer. A passivation layer(150) covering the graphene channel layer is formed between the source electrode and the drain electrode.
Abstract translation: 目的：提供石墨烯电子器件及其制造方法，以防止在热处理之后在石墨烯通道层上形成钝化层或栅极氧化物来损害石墨烯通道层的固有特性。 构成：在硅衬底（110）上形成栅氧化层（112）。 在栅极氧化物上形成疏水性聚合物层（120）。 在疏水聚合物层上形成石墨烯通道层（130）。 源极电极（142）和漏电极（144）分别形成在石墨烯通道层的两端。 在源电极和漏电极之间形成覆盖石墨烯沟道层的钝化层（150）。
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公开(公告)号：KR1020110107197A
公开(公告)日：2011-09-30
申请号：KR1020100026412
申请日：2010-03-24
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: C01B32/182 , B32B15/00 , H01B1/08 , H01J9/02
Abstract: 그래핀을 포함하는 도전체 및 이를 적용한 전자소자에 관해 개시되어 있다. 개시된 도전체는 그래핀층(graphene layer)과 전도성 산화물층을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다. 예컨대, 상기 도전체는 그래핀층의 하면 및 상면 중 적어도 하나에 전도성 산화물층이 구비된 구조를 갖거나, 전도성 산화물층과 그래핀층이 교대로 반복 적층된 구조를 가질 수 있다. 상기 전도성 산화물층은 투명한 전도성 산화물층(transparent conductive oxide layer)일 수 있고, 이때, 상기 도전체는 투명할 수 있다. 상기 도전체는 전극일 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020110051584A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：KR1020090108231
申请日：2009-11-10
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: C01B31/0453 , B01J23/755 , B01J37/347 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/186 , C01B2204/04 , C23C16/0281 , C23C16/26
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing graphene using catalytic alloy is provided to control the amount of carbon dissolved in a catalytic alloy layer using catalytic metal reducing the dissolving property of nickel with respect to the carbon as a catalytic layer. CONSTITUTION: A method for manufacturing grapheme using catalytic alloy includes the following: An alloy catalytic layer is formed on a substrate(100). A graphene layer(120) is formed on the alloy catalytic layer by supplying hydrocarbon gas. The alloy catalytic layer is composed of at least two metal selected from transition metal or selected from a group including nickel, copper, platinum, iron, and gold.
Abstract translation: 目的：提供使用催化合金制造石墨烯的方法，以使用催化金属来控制溶解在催化合金层中的碳的量，从而降低镍相对于作为催化剂层的碳的溶解性。 构成：使用催化合金制造字形的方法包括以下：在基板（100）上形成合金催化层。 通过供给碳氢化合物气体，在合金催化剂层上形成石墨烯层（120）。 合金催化剂层由选自过渡金属中的至少两种金属或选自镍，铜，铂，铁和金的组成。
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