公开(公告)号：KR1020030095417A

公开(公告)日：2003-12-24

申请号：KR1020020032309

申请日：2002-06-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최범락 ,  정창오 ,  노경헌 ,  주홍렬

IPC: H01B5/14

Abstract: PURPOSE: A transparent conductive layer and a fabricating method thereof are provided to improve an etching characteristic, lower the growth temperature, and enhance the chemical stability by using a chemical compound including metal elements without d-orbit electrons as raw materials. CONSTITUTION: A transparent conductive layer includes a chemical compound expressed as In2-xMxO3-δ where M is selected from a group including Li, Na, Mg, K, Ca, Sc, Ti, Sr, Y, Zr, Ba, La, Cd, B, Ga, Tl, Si, Pb, Sb, Bi, Pr, and Nd, x is 0

Abstract translation: 目的：提供透明导电层及其制造方法，以通过使用包含没有d轨道电子的金属元素的化合物作为原料来提高蚀刻特性，降低生长温度和提高化学稳定性。 构成：透明导电层包括以In2-xMxO3-δ表示的化合物，其中M选自包括Li，Na，Mg，K，Ca，Sc，Ti，Sr，Y，Zr，Ba，La，Cd ，B，Ga，Tl，Si，Pb，Sb，Bi，Pr和Nd，x为0

公开(公告)号：KR1020030090210A

公开(公告)日：2003-11-28

申请号：KR1020020028224

申请日：2002-05-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정창오

IPC: G02F1/136

CPC classification number: G02F1/136 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/13458 ,  G02F2001/136295 ,  G02F2201/123 ,  H01L27/1214

Abstract: PURPOSE: A thin film transistor substrate and a method for fabricating the same are provided to form gate or data wires through a plating method instead of sputtering method, thereby simplifying the fabricating procedure and reducing the fabricating time. CONSTITUTION: A thin film transistor substrate includes a transparent insulating substrate(110), and gate wires(121,123,125) formed in a dual layer structure of first seed layers(211,231,251) and first plated layers(212,232,252). The first seed layers are to reinforce the joining between the first plated layers and the insulating film. Data wires(173,175,177,179) are formed of a plurality of layers of second seed layers and second plated layers except drain electrodes formed of the second seed layers. The second seed layers of the data wires reinforce the joining between the second plated layers and resistant contact layers(161,163,165). The resistant contact layers are formed on a gate insulating film(140) corresponding to gate electrodes by doping n type impurities at a high concentration to a semiconductor material such as amorphous silicon.

Abstract translation: 目的：提供薄膜晶体管基板及其制造方法，以通过镀覆方式代替溅射法形成栅极或数据布线，从而简化制造步骤并缩短制造时间。 构成：薄膜晶体管基板包括透明绝缘基板（110）和以第一种子层（211,231,251）和第一镀层（212,232,252）的双层结构形成的栅极线（121,123,125）。 第一籽晶层用于加强第一镀层和绝缘膜之间的接合。 数据线（173,175,177,179）由除了由第二籽晶层形成的漏电极以外的多层第二种子层和第二镀层形成。 数据线的第二种子层加强了第二镀层和耐电接触层之间的接合（161,163,165）。 通过以高浓度掺杂n型杂质至诸如非晶硅的半导体材料，在与栅电极相对应的栅极绝缘膜（140）上形成电阻接触层。

公开(公告)号：KR1020020010213A

公开(公告)日：2002-02-04

申请号：KR1020000043506

申请日：2000-07-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정창오

IPC: G02F1/1343

Abstract: PURPOSE: A transparent conductive film used for a pixel electrode, a thin film transistor substrate including the film, and a method of fabricating the substrate are provided, the conductive film being capable of securing uniform transmissivity, the thin film transistor substrate preventing wires having low resistance from corroding. CONSTITUTION: A horizontal gate line including a gate electrode and a gate pad is formed on a substrate. A gate insulating layer, a semiconductor layer, and a resistance contact layer are sequentially formed on the substrate. A metal is deposited and patterned to form a data line including source and drain electrodes and a data pad. A protection layer is formed and patterned to form contact holes that expose the drain electrode, gate pad and a reaction layer on the data pad. Amorphous ITO and IZO are deposited on the substrate and patterned to form a pixel electrode, an auxiliary gate pad and an auxiliary data pad that are respectively connected to the drain electrode, gate pad and data pad.

Abstract translation: 目的：提供一种用于像素电极的透明导电膜，包括该薄膜的薄膜晶体管基板和制造该基板的方法，该导电膜能够确保均匀的透射率，该薄膜晶体管基板防止布线具有低 抵抗腐蚀。 构成：在基板上形成包括栅电极和栅极焊盘的水平栅极线。 栅极绝缘层，半导体层和电阻接触层依次形成在基板上。 金属被沉积并图案化以形成包括源电极和漏电极以及数据焊盘的数据线。 形成保护层并图案化以形成暴露漏电极，栅极焊盘和数据焊盘上的反应层的接触孔。 无定形ITO和IZO沉积在衬底上并图案化以形成分别连接到漏电极，栅极焊盘和数据焊盘的像素电极，辅助栅极焊盘和辅助数据焊盘。

公开(公告)号：KR1020010047795A

公开(公告)日：2001-06-15

申请号：KR1019990052171

申请日：1999-11-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정창오

IPC: G02F1/136

Abstract: PURPOSE: A thin film transistor substrate for a liquid crystal display device and a method for fabricating the same are to reduce the number of masks. CONSTITUTION: A pixel electrode(220) is formed on an insulating substrate(100). A gate pad(270) isolated from the pixel electrode is formed on the insulating layer. A gate buffer layer(210) is connected with the gate pad. A gate interconnection includes a plurality of gate lines(230) and a gate electrode(240) connected to the gate lines. A gate insulating layer(300) covers the pixel electrode, the gate pad and the gate interconnection. An ohmic contact layer(530) is formed on a semiconductor layer. The first to four contact holes(540-570) exposes the pixel electrode. A data interconnections formed on the ohmic contact layer includes a plurality of data lines(610), a source electrode(620), a drain electrode(630), a data pad(640) and a charge storage conductive pattern(650). A passivation layer(700) formed on the data interconnection and the semiconductor layer includes the fifth contact hole(720) for exposing the data pad, the sixth contact hole(710) for exposing the gate insulating layer and the gate pad and an opening(730) for exposing the pixel electrode.

Abstract translation: 目的：用于液晶显示装置的薄膜晶体管基板及其制造方法是减少掩模的数量。 构成：在绝缘基板（100）上形成像素电极（220）。 在绝缘层上形成与像素电极隔离的栅极焊盘（270）。 栅极缓冲层（210）与栅极焊盘连接。 栅极互连包括连接到栅极线的多个栅极线（230）和栅电极（240）。 栅极绝缘层（300）覆盖像素电极，栅极焊盘和栅极互连。 在半导体层上形成欧姆接触层（530）。 第一至四个接触孔（540-570）暴露像素电极。 形成在欧姆接触层上的数据互连包括多个数据线（610），源电极（620），漏电极（630），数据焊盘（640）和电荷存储导电图案（650）。 形成在数据互连和半导体层上的钝化层（700）包括用于暴露数据焊盘的第五接触孔（720），用于暴露栅极绝缘层和栅极焊盘的第六接触孔（710）和开口 730），用于曝光像素电极。

公开(公告)号：KR1020000008480A

公开(公告)日：2000-02-07

申请号：KR1019980028310

申请日：1998-07-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정창오

IPC: G02F1/136

Abstract: PURPOSE: A TFT substrate for a LCD and manufacturing method thereof are provided, which does not deposit an amorphous silicon layer and forms a channel layer on an n+ doped amorphous silicon layer. CONSTITUTION: A TFT substrate for a LCD comprises: a gate electrode(20) to be formed on a transparent insulating substrate(10); a gate insulating film(30) for covering the gate electrode(20); an amorphous silicon layer to be formed on the gate insulating film(30), including a channel region (41) having an n+ impurity and a p+ impurity and resistance contact region(40) having an n+ impurity; a source/drain electrode(51,52) to be formed on the resistance contact region(40); a protecting film(70) to be formed on the source/drain electrode(51,52), having a contact hole(C) for exposing a part of the drain electrode(52); and a pixel electrode(80) to be formed on the protecting film(70) and be coupled to the drain electrode (52) through the contact hole(C). Thereby, an increase of off current and simplify the progress are prevented.

Abstract translation: 目的：提供一种用于LCD的TFT基板及其制造方法，其不沉积非晶硅层并在n +掺杂的非晶硅层上形成沟道层。 构成：用于LCD的TFT基板包括：形成在透明绝缘基板（10）上的栅电极（20）; 用于覆盖所述栅电极的栅极绝缘膜（30）; 要形成在栅绝缘膜上的非晶硅层，包括具有n +杂质的沟道区（41）和具有n +杂质的p +杂质和电阻接触区（40）; 要形成在电阻接触区域（40）上的源/漏电极（51,52）; 待形成在源极/漏极（51,52）上的保护膜（70），具有用于使一部分漏电极（52）露出的接触孔（C）; 和形成在保护膜（70）上并通过接触孔（C）与漏电极（52）耦合的像素电极（80）。 从而防止了关闭电流的增加并简化了进展。

公开(公告)号：KR100188124B1

公开(公告)日：1999-06-01

申请号：KR1019960017710

申请日：1996-05-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정창오 ,  심정욱

IPC: G02F1/136

Abstract: 본 발명은 광시야각을 위한 박막 액정 표시 장치에 관한 것으로서, 간격을 두고 반복적으로 형성되어 있는 다수의 화소 전극과 이 화소 전극을 스위칭하는 트랜지스터가 형성되어 있는 박막 트랜지스터 기판, 화소 전극에 대응하는 위치와 화소 전극의 중앙에 대응하는 위치에 공통 전극이 형성되어 있는 제2 기판을 포함한다. 이러한 박막 트랜지스터 액정 표시 장치에서는 전극 역할을 하는 블랙 매트릭스를 이분할 또는 사분할하여 분산시킴으로써 박막 트랜지스터 기판의 화소 전극과 컬러 필터 기판의 블랙 매트릭스 전극이 수직 또는 비스듬하게 배치된다. 따라서, 액정 분자 장축이 다양한 방향으로 배열되므로 한 방향에서의 시야각이 향상된다.

公开(公告)号：KR1019980036499A

公开(公告)日：1998-08-05

申请号：KR1019960055069

申请日：1996-11-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정창오

IPC: H01L29/786

Abstract: 본 발명은 이중 게이트를 갖는 TFT 기판에 관한 것으로, 알루미늄 합금＼몰리브덴의 이중 금속 구조의 이중 게이트는 몰리브덴의 내화학성이 취약한 관계로 인해 에칭시 이중 게이트의 표면이 깍이거나, 패이는 등의 패턴 불량이 발생하는 문제점을 제거하는 것을 목적으로 한다.
이를 위해 본 발명에서는 이중 게이트의 상,하부층을 각각 몰리브덴 합금 및 알루미늄 합금으로 구성함으로써 내화학성을 향상시켜 에칭 공정시 이중 게이트의 패턴 불량을 방지할 수 있도록 한다.

公开(公告)号：KR1019970076038A

公开(公告)日：1997-12-10

申请号：KR1019960017710

申请日：1996-05-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정창오 ,  심정욱

IPC: G02F1/136

Abstract: 본 발명은 광시야각을 위한 박막 액정 표시 장치에 관한 것으로서, 간격을 두고 반복적으로 형성되어 있는 다수의 화소 전극과 이 화소전극을 스위칭하는 트랜지스터가 형성되어 있는 박막 트랜지스터 기판, 화소 전극에 대응하는 위치와 화소 전극이 중앙에 대응하는 위치에 공통전극이 형성되어 있는 제2기판을 포함한다. 이러한 박막 트랜지스터 액정 표시 장치에서는 전극 역할을 하는 블랙 매트릭스를 이분할 또는 사분할하여 분산시킴으로써 박막 트랜지스터 기판의 화소 전극과 컬러 필터 기판의 블랙 매트릭스 전극이 수직 또는 비스듬하게 배치된다. 따라서, 액정 분자 장축이 다양한 방향으로 배열되므로 한 방향에서의 시야각이 향상된다.

公开(公告)号：KR1019970054461A

公开(公告)日：1997-07-31

申请号：KR1019950051050

申请日：1995-12-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정창오 ,  정철수 ,  서도원 ,  이정길

IPC: H01L29/786

Abstract: 신규한 박막트랜지스터-액정표시소자의 제조방법이 개시되어 있다. 탭 집적회로가 본딩되는 패드 부위까지 알루미늄 합금으로 이루어진 게이트를 형성한다. 결과물 상에 액티브 패턴, 소옷/드레인 및 화소패턴을 차례로 형성한다. 결과물 상에 패시베이션층을 형성한 후, 이를 식각하여 게이트 패드, 소오스/드레인 패드 및 화소패턴 부위를 동시에 개구시킨다. 소오스/드레인 형성전의 HF 세정공정 및 화소 ITO 증착공정시 알루미늄 합금이 노출되지 않는다.

公开(公告)号：KR1020110126998A

公开(公告)日：2011-11-24

申请号：KR1020100046591

申请日：2010-05-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 윤선미 ,  닝홍롱 ,  정창오 ,  최재영 ,  최원묵 ,  신현진

IPC: B82B3/00 ,  C01B31/02

CPC classification number: G02F1/13439 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C08L33/02 ,  Y10T428/1064 ,  C01B32/158 ,  B82B3/0009 ,  C01B32/174 ,  C01B2202/02 ,  C01B2202/06 ,  C01B2202/28

Abstract: PURPOSE: A carbon nanotube composition, a carbon nanotube film structure, a liquid crystal display device, a method for manufacturing the carbon nanotube film structure, and a method for manufacturing the liquid crystal display device are provided to generate a chemical reaction between reactive functional groups and between a reactive functional group and a substrate by supplying external energy. CONSTITUTION: A carbon nanotube composition includes a dispersing agent with a reactive functional group and a dispersing medium. The reactive functional group includes polarity and includes at least one element selected from a group including C, H, O, N, S, and P. The dispersing medium includes first liquid and second liquid. The first liquid is hydrophilic property. The second liquid is mixed with the first liquid. A carbon nanotube film structure(120) includes a substrate and a carbon nanotube film stacked on the substrate.

Abstract translation: 目的：提供碳纳米管组合物，碳纳米管膜结构，液晶显示装置，碳纳米管膜结构体的制造方法以及液晶显示装置的制造方法，以产生反应性官能团 并且通过提供外部能量在反应性官能团和基底之间。 构成：碳纳米管组合物包括具有反应性官能团的分散剂和分散介质。 反应性官能团包括极性，并且包括选自C，H，O，N，S和P中的至少一种元素。分散介质包括第一液体和第二液体。 第一液体具有亲水性。 第二液体与第一液体混合。 碳纳米管膜结构（120）包括基板和层叠在基板上的碳纳米管膜。