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公开(公告)号：KR1020150128337A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：KR1020140055581
申请日：2014-05-09
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04W4/70 , H04W24/10 , H04W56/001 , H04W72/085
Abstract: 본발명의일 실시예가제공하는통신시스템의신호송신방법은, 제1 신호와제2 신호를수신하는과정과, 상기제1 신호에는수신신호품질에대한제1 기준값을적용하여상기제1 신호의송신을결정하는과정과, 상기제2 신호에는수신신호품질에대한제2 기준값을적용하여상기제2 신호의송신을결정하는과정을포함한다. 여기서상기제1 신호는동기신호이고, 상기제2 신호는상기동기신호에관련된방송신호가될 수있다. 상기실시예외에도추가적인변형실시예가가능하다.
Abstract translation: 本发明实施例提供了一种通信系统的信号发送方法，包括以下步骤：接收第一信号和第二信号; 对第一信号应用接收信号的质量的第一参考值以确定第一信号的传输; 以及将接收到的信号的质量的第二参考值应用于所述第二信号以确定所述第二信号的传输。 第一信号可以是同步信号，第二信号可以是与同步信号相关的广播信号。 除了实施例之外，附加的修改实施例是可能的。
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公开(公告)号：KR1020150006381A
公开(公告)日：2015-01-16
申请号：KR1020140085162
申请日：2014-07-08
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04L5/0053 , H04B7/0408 , H04B7/0617 , H04B7/2656 , H04W16/28
Abstract: 빔포밍 통신 시스템의 데이터 송수신 방법 및 장치를 개시한다. 본 발명에 따른 방법은, 서브프레임 내 제어 채널 영역을 통해 제어 채널의 신호를 기지국의 제1 송신 빔을 사용하여 전송하는 과정과, 상기 서브프레임 내 상기 제어 채널 영역 이후의 데이터 영역 중 미리 정해지는 시간 구간 동안 상기 제1 송신 빔에 따라 정해지는 제2 송신 빔을 사용하여 데이터 신호를 전송하는 과정과, 상기 미리 정해지는 시간 구간 이후의 나머지 데이터 영역에서, 스케줄된 송신 빔을 사용하여 데이터 신호를 전송하는 과정을 포함한다. 단말은 제어 채널 영역 이후의 데이터 영역 중 미리 정해지는 시간 구간 동안 제어 채널 영역에서 사용된 것과 동일한 수신 빔을 사용하여 데이터 신호를 수신한다.
Abstract translation: 公开了一种用于在波束成形通信系统中发送和接收数据的方法和装置。 根据本发明，在波束形成通信系统中发送和接收数据的方法包括以下步骤：通过使用基站的第一传输波束，通过子帧内的控制信道区域发送控制信道信号; 在子帧内的控制信道区域之后的数据区域中的预定时间段内，使用根据第一发送波束的第二发送波束发送数据信号; 以及在所述预定时间段之后的剩余数据区域中使用所调度的发送波束来发送所述数据信号。 在控制信道区域之后的数据区域中的预定时间段内，终端使用与控制信道区域中的使用波束相同的接收波束来接收数据信号。
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公开(公告)号：KR1020150000304A
公开(公告)日：2015-01-02
申请号：KR1020130072590
申请日：2013-06-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04B7/02
CPC classification number: H04W74/0833 , H04B7/0404 , H04B7/0691 , H04B7/0695
Abstract: 본 발명은 랜덤 무선 통신 시스템에서 액세스를 위한 적응적 송신 빔 패턴을 결정하기 위한 것으로서, 단말의 동작 방법은, 다수의 빔(beam) 패턴(pattern)들 중 미리 정의된 조건을 만족하는 적어도 하나의 빔 패턴을 선택하는 과정과, 상기 적어도 하나의 빔 패턴에 속한 송신 빔들을 이용하여 랜덤 액세스 프리앰블(random access preamble)들을 송신하는 과정을 포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及确定用于随机无线通信系统中的接入的自适应传输波束模式以及终端的操作方法。 操作终端的方法包括以下步骤：从多个波束图案中选择满足预定条件的至少一个波束图案，以及使用属于波束图案的发射波束来发送随机接入前导码。
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公开(公告)号：KR1020140081754A
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：KR1020130161469
申请日：2013-12-23
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04W72/042 , H04B7/0617 , H04B7/0682 , H04L5/0023 , H04L5/0048 , H04L5/0091 , H04W72/046
Abstract: Disclosed are a method and an apparatus for transmitting and receiving a control channel by beamforming in a wireless communication system. According to the present invention, the method comprises a step of determining a plurality of pieces of control information to be transmitted through control channels and determining transmission beams for usage in beamforming transmission of the control information; a step of mapping at least one piece of beam region information indicating at least one beam region in a control channel region and the control information into the one beam regions within the control channel region; and a step of arranging at least one piece of control information corresponding to a same transmission beam from among the control information in one beam region within the control channel region and transmitting the mapped beam region information and the mapped control information by using the transmission beam corresponding to each of the beam region in the control channel region.
Abstract translation: 公开了一种用于在无线通信系统中通过波束成形发送和接收控制信道的方法和装置。 根据本发明，该方法包括确定要通过控制信道发送的多条控制信息并确定用于控制信息的波束成形传输中的传输波束的步骤; 将指示控制信道区域中的至少一个波束区域的至少一个波束区域信息和控制信息映射到控制信道区域内的一个波束区域中的步骤; 以及从控制信道区域内的一个波束区域中的控制信息中排列对应于相同发送波束的至少一条控制信息的步骤，并且通过使用对应的发送波束来发送所映射的波束区域信息和映射控制信息 到控制信道区域中的每个光束区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140049712A
公开(公告)日：2014-04-28
申请号：KR1020120115849
申请日：2012-10-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04B7/02
CPC classification number: H04L5/0035 , H04B7/024 , H04B7/0617 , H04W24/02
Abstract: Disclosed are a method and an apparatus for performing a base station (BS) cooperative communication in a wireless communication system. The BS cooperative communication method includes the processes of measuring signal quality of one or more neighboring BSs, determining the reliability of communication of a terminal, evaluating the signal measurement values of at least one neighboring BS for determining members of a cloud cell for the BS cooperative communication by using one among the different thresholds as a result of the determination, and requesting the change of the cloud cell to a serving base station depending on the evaluation result. [Reference numerals] (310) Operate in a single cell mode; (312) Measure a signal by BS; (314) Beam composition number of a serving BS >= R; (316) Signal measurement value of a neighboring BS > TH_1; (318) Signal measurement value of a neighboring BS > TH_2; (320) Request the addition of a cloud cell to the serving BS; (322) Receive a response and perform BS cooperative communication; (AA) Start; (BB,DD,FF) No; (CC,EE,GG) Yes; (HH) End
Abstract translation: 公开了一种用于在无线通信系统中执行基站（BS）协作通信的方法和装置。 BS协作通信方法包括测量一个或多个相邻BS的信号质量的过程，确定终端的通信的可靠性，评估至少一个相邻BS的信号测量值，以确定用于BS协作的云单元的成员 作为决定的结果，通过使用不同阈值中的一个进行通信，并且根据评估结果请求将云单元更改为服务基站。 （附图标记）（310）以单电池模式工作; （312）BS测量信号; （314）服务BS的波束组成号> = R; （316）相邻BS> TH_1的信号测量值; （318）相邻BS> TH_2的信号测量值; （320）请求向服务BS添加云小区; （322）接收响应并执行BS协作通信; （AA）开始; （BB，DD，FF）否; （CC，EE，GG）是; （HH）结束
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公开(公告)号：KR1020000066732A
公开(公告)日：2000-11-15
申请号：KR1019990014035
申请日：1999-04-20
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 정철
IPC: H01L21/768
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device is provided to eliminate a bridge between interconnections, by having metal slurry become a polycide layer, and by eliminating the polycide layer in a subsequent process for forming an interconnection, the metal slurry existing in a stepped boundary between a cell array region and a peripheral circuit region. CONSTITUTION: After a contact plug is formed in a peripheral circuit region having a step difference with a cell array region by using a metal material, a silicon layer is formed in the cell array region and peripheral circuit region. The silicon layer reacts with a lower layer and is transformed to a silicide layer. The silicide layer is eliminated when an etching process is performed regarding a conductive layer for forming an interconnection. The slurry of the metal material remaining in the stepped boundary between the cell array region and the peripheral circuit region is eliminated by eliminating the silicide layer in a process for etching a conductive layer to form an interconnection.
Abstract translation: 目的：提供一种制造半导体器件的方法，通过使金属浆料成为多晶硅化合物层，并通过在随后的形成互连的工艺中消除多晶硅化合物层来消除互连之间的桥梁，金属浆料存在于阶梯状界面 在单元阵列区域和外围电路区域之间。 构成：在通过使用金属材料在与电池阵列区域具有阶梯差的外围电路区域中形成接触插塞之后，在电池阵列区域和外围电路区域中形成硅层。 硅层与下层反应并转变成硅化物层。 当对用于形成互连的导电层进行蚀刻处理时，硅化物层被去除。 通过在用于蚀刻导电层的工艺中消除硅化物层以形成互连来消除残留在电池阵列区域和外围电路区域之间的阶梯状界限中的金属材料的浆料。
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公开(公告)号：KR1020000003880A
公开(公告)日：2000-01-25
申请号：KR1019980025180
申请日：1998-06-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/76
Abstract: PURPOSE: A trench isolation method is provided to prevent a dent phenomenon generated at edge portion of the trench isolation by using difference of etching rate between a trench etching mask of PR and an SiN liner. CONSTITUTION: The trench isolation method comprises the steps of: forming a trench etching mask(102) to define a trench forming region on a semiconductor substrate9100); forming a trench(103) by etching the semiconductor substrate(100) using the trench etching mask; removing the trench etching mask(102); forming a thermal oxide(104) at bottom and both sidewalls of the trench; forming an SiN liner(106) on the resultant structure; forming a trench isolation layer(108) to fill the trench; flattening the trench isolation layer(108) to expose the surface of the SiN liner(106); and removing the SiN liner(106) formed at both sides of the trench.
Abstract translation: 目的：提供沟槽隔离方法，以通过使用PR沟槽蚀刻掩模与SiN衬垫之间的蚀刻速率差来防止在沟槽隔离的边缘部分产生的凹陷现象。 构成：沟槽隔离方法包括以下步骤：形成沟槽蚀刻掩模（102）以在半导体衬底上确定沟槽形成区域9100）; 通过使用沟槽蚀刻掩模蚀刻半导体衬底（100）来形成沟槽（103）; 去除沟槽蚀刻掩模（102）; 在沟槽的底部和两个侧壁处形成热氧化物（104）; 在所得结构上形成SiN衬垫（106）; 形成沟槽隔离层（108）以填充所述沟槽; 使沟槽隔离层（108）平坦化以暴露SiN衬垫（106）的表面; 以及去除形成在沟槽两侧的SiN衬垫（106）。
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公开(公告)号：KR100234379B1
公开(公告)日：1999-12-15
申请号：KR1019970023917
申请日：1997-06-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L27/10852 , H01L27/10855 , H01L27/10885
Abstract: 스토리지 전극 패터닝시 발생된 미스얼라인에 의해 비트라인이 산화되는 것을 방지할 수 있는 반도체 메모리장치의 제조방법에 대해 기재되어 있다. 이 방법은, 반도체기판의 활성영역에 게이트, 소오스 및 드레인을 구비하는 트랜지스터를 형성하는 단계와, 소오스와 접속된 패드를 형성하는 단계와, 패드가 형성된 결과물상에 제1 층간절연막을 형성하는 단계와, 제1 층간절연막상에 드레인과 접속된 비트라인을 형성하는 단계와, 비트라인이 형성된 결과물상에 산화방지막을 형성하는 단계와, 산화방지막상에 제2 층간절연막을 형성하는 단계와, 패드를 노출시키는 콘택홀을 형성하는 단계와, 콘택홀의 내측벽에 스페이서를 형성하는 단계와,콘택홀을 통해 상기 패드와 접속된 스토리지 전극을 형성하는 단계, 및 스토리지 전극이 형성된 결과물상에 유전체막 및 플레이트 전극을 차례로 형성하는 단계로 이루어진다.
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公开(公告)号：KR1019980073946A
公开(公告)日：1998-11-05
申请号：KR1019970009547
申请日：1997-03-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108
Abstract: 본 발명은 반도체 메모리 장치의 커패시터 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은 (a) 반도체기판상에 층간절연막과 식각저지막을 차례로 형성하는 단계, (b) 상기 층간절연막 및 식각저지막을 식각하여, 반도체기판의 소정 영역을 노출시키며 하부보다 상부가 넓은 콘택홀을 형성하는 단계, (c) 상기 결과물상에 도전막을 적층하는 단계, (d) 상기 도전막상에 패터닝된 마스크층을 형성하는 단계; (e) 상기 마스크층의 측벽에 스페이서를 형성하는 단계; (f) 상기 스페이서 및 마스크층을 마스크로하여 상기 도전막을 소정 두께 식각하는 단계; (g) 상기 마스크층을 제거한 후, 상기 도전막을 식각하여 상기 식각저지막을 노출시키는 단계; 및 (h) 상기 스페이서를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이때, 상기 (b) 단계에서 상기 콘택홀은, 경사식각(slope etch)에 의하여 형성하며, 상기 (g) 단계에서 상기 도전막을, 상기 스페이서 안쪽의 식각저지막의 높이까지 식각한다. 한편, 상기 (g) 단계에서 상기 도전막을, 상기 식각저지막 또는 층간절연막이 노출되지 않는 범위내에서 상기 식각저지막의 높이 아래까지 식각할 수도 있다.
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