반도체 소자 및 그 제조 방법
    91.
    发明公开
    반도체 소자 및 그 제조 방법 无效
    半导体器件及制造半导体器件的方法

    公开(公告)号:KR1020090116129A

    公开(公告)日:2009-11-11

    申请号:KR1020080041859

    申请日:2008-05-06

    Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to maintain an electrical characteristic between cells of the semiconductor device uniformly by forming the superposition width of a charge trapping layer and a blocking layer uniformly. CONSTITUTION: A preliminary tunnel insulation layer, a preliminary charge trapping layer, and a preliminary sacrificial layer are formed on a substrate(100). A charge trapping layer(112) and a sacrificial layer are formed by etching the preliminary charge trapping layer and the preliminary sacrificial layer. A sacrificial layer pattern(118) is formed on the charge trapping layer to expose a part of the charge trapping layer by etching the sacrificial layer partially. A blocking layer(104) is formed on the charge trapping layer and the substrate. At least one first gate(120) extended from the upper side of the substrate to the upper side of the charge trapping layer is formed on the blocking layer. The sacrificial layer and the charge trapping layer are removed partially.

    Abstract translation: 目的:提供一种半导体器件及其制造方法,通过均匀地形成电荷俘获层和阻挡层的叠加宽度,以均匀地保持半导体器件的电池之间的电气特性。 构成:在基板(100)上形成预备的隧道绝缘层,预备电荷捕获层和预牺牲层。 通过蚀刻预电荷俘获层和预牺牲层形成电荷俘获层(112)和牺牲层。 在电荷俘获层上形成牺牲层图案(118),以通过部分地蚀刻牺牲层来暴露电荷俘获层的一部分。 在电荷俘获层和基底上形成阻挡层(104)。 在阻挡层上形成从基板的上侧向电荷捕获层的上侧延伸的至少一个第一栅极(120)。 牺牲层和电荷捕获层被部分去除。

    비휘발성 메모리 소자 및 그 형성방법
    92.
    发明公开
    비휘발성 메모리 소자 및 그 형성방법 有权
    非易失性存储器装置和方法

    公开(公告)号:KR1020090047770A

    公开(公告)日:2009-05-13

    申请号:KR1020070113790

    申请日:2007-11-08

    Abstract: 비휘발성 메모리 소자 및 그 형성방법이 제공된다. 상기 비휘발성 메모리 소자는 반도체 기판, 상기 반도체 기판에 활성 영역을 정의하며 상기 활성 영역의 상부 측면을 노출하도록 상기 반도체 기판의 상부면보다 낮은 상부면을 가지는 소자분리막, 상기 활성 영역 및 상기 소자분리막을 가로지르는 센스 라인, 및 상기 센스 라인과 이격되며, 상기 활성 영역 및 상기 소자분리막을 가로지르는 워드 라인을 포함한다.
    EEPROM, 셀 전류, 워드 라인

    Abstract translation: 被设置在非易失性存储器装置和一种方法。 非易失性存储器元件越过隔离膜,有源区域且具有比所述半导体衬底限定在半导体衬底的有源区中,半导体衬底的棉下顶表面的上和以暴露有源区域的上侧的器件隔离膜 并且字线与感测线间隔开并穿过有源区和器件隔离膜。

    잉크젯 프린터 헤드의 제조 방법 및 상기 방법에 의하여제조된 잉크젯 프린터 헤드
    93.
    发明公开
    잉크젯 프린터 헤드의 제조 방법 및 상기 방법에 의하여제조된 잉크젯 프린터 헤드 无效
    制造喷墨打印头和喷墨打印机的方法

    公开(公告)号:KR1020090030111A

    公开(公告)日:2009-03-24

    申请号:KR1020070095448

    申请日:2007-09-19

    Abstract: An inkjet printer head and a manufactured method thereof are provided to manufacture an inkjet printer head by using a first negative photoresist composite and a second negative photoresist composite. A manufacturing method of an inkjet printer head comprises: a step of forming a flow path forming layer(120) by patterning a first negative photoresist composite coated on a substrate(110) in which a heater(141) and an electrode(142) are formed; a step of forming a sacrificial layer which covers the flow path forming layer; a step of planarizing the upper side of the sacrificial layer and the flow path forming layer by polishing; a step of forming a nozzle layer having a nozzle by patterning a second negative photoresist composite after coating the second negative photoresist composite on the flow path forming layer and the sacrificial layer; a step of forming an ink supply hole in the substrate; and a step of removing the sacrificial layer.

    Abstract translation: 提供喷墨打印机头及其制造方法以通过使用第一负光致抗蚀剂复合材料和第二负光致抗蚀剂复合材料来制造喷墨打印头。 喷墨打印头的制造方法包括:通过图案化涂布在其上加热器(141)和电极(142)的基板(110)上的第一负性光致抗蚀剂复合物形成流路形成层(120)的步骤 形成; 形成覆盖流路形成层的牺牲层的工序; 通过抛光来平坦化牺牲层的上侧和流路形成层的步骤; 在所述流路形成层和所述牺牲层上涂布所述第二负性光致抗蚀剂复合物之后,通过图案化第二负性光致抗蚀剂复合体来形成具有喷嘴的喷嘴层的步骤; 在基板中形成供墨孔的步骤; 以及去除牺牲层的步骤。

    마스크 롬 및 그 제조 방법
    94.
    发明授权
    마스크 롬 및 그 제조 방법 有权
    마스크롬및그제조방법

    公开(公告)号:KR100874942B1

    公开(公告)日:2008-12-19

    申请号:KR1020070053995

    申请日:2007-06-01

    CPC classification number: H01L27/1021

    Abstract: A mask read-only memory (ROM) includes a dielectric layer formed on a substrate and a plurality of first conductive lines formed on the dielectric layer. A plurality of diodes are formed in the first conductive lines, and a plurality of final vias are formed for a first set of the diodes each representing a first type of memory cell, with no final via being formed for a second set of diodes each representing a second type of memory cell. Each of a plurality of second conductive lines is formed over a column of the diodes.

    Abstract translation: 掩模只读存储器(ROM)包括形成在衬底上的介电层和形成在介电层上的多条第一导线。 在第一导线中形成多个二极管,并且为第一组二极管形成多个最终通孔,每个二极管代表第一类型的存储器单元,而不为第二组二极管形成最终通孔,每个二极管代表 第二种类型的存储器单元。 多个第二导线中的每一个形成在一列二极管上方。

    이이피롬 장치 및 그 제조 방법
    95.
    发明授权
    이이피롬 장치 및 그 제조 방법 失效
    EEPROM装置及其制造方法

    公开(公告)号:KR100852236B1

    公开(公告)日:2008-08-13

    申请号:KR1020060085025

    申请日:2006-09-05

    Abstract: 단순화된 구조의 구현을 통해 향상된 집적도 및 신뢰성을 갖는 이이피롬 장치 및 그 제조 방법이 개시된다. 기판 상에 터널 절연막을 형성한 후, 터널 절연막 상에 서로 이격되며, 실질적으로 서로 동일한 구조를 갖는 제1 및 제2 게이트 구조물을 형성한다. 제1 및 제2 게이트 구조물 사이의 기판에 공통 소스 영역을 형성한 다음, 제1 및 제2 게이트 구조물에 각기 인접하는 기판의 제1 및 제2 부분에 각기 제1 및 제2 드레인 영역을 형성한다. 신호의 인가에 따라 메모리 트랜지스터와 선택 트랜지스터의 기능을 상호 교대로 수행하며, 서로 동일한 구조를 가지는 제1 트랜지스터 및 제2 트랜지스터를 갖는 이이피롬 장치가 구현된다. 복잡한 제조 공정들을 요구하지 않으면서 단순화된 구조를 갖는 이이피롬 장치를 제조할 수 있으며, 이이피롬 장치의 제조비용과 시간을 절감할 수 있고, 그 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 또한, 이이피롬 장치의 메모리 셀이 서로 동일한 구조를 갖는 한 쌍의 트랜지스터들을 구비하기 때문에 이이피롬 장치의 단위 메모리 셀이 점유하는 면적을 크게 감소시킬 수 있다.

    잉크젯 프린트헤드 및 그 제조방법
    96.
    发明公开
    잉크젯 프린트헤드 및 그 제조방법 无效
    喷墨打印头及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020080068237A

    公开(公告)日:2008-07-23

    申请号:KR1020070005707

    申请日:2007-01-18

    Abstract: An inkjet print head and a manufacturing method thereof are provided to prevent electric short between a lead wire of a FPC cable and a board and to prevent a print head from being contaminated from particles that are generated when the print head is cut off in a unit of wafer. An inkjet print head including an ink discharge unit(101) discharging ink and a pad region(102) for allowing a connection pad(110) applying an electrical signal to the ink discharge unit to be arranged comprises as follows. A partition wall(140) is formed at an outer edge of the pad region, which prevents particles generated when an inkjet print head is cut off from being flowed into the pad region.

    Abstract translation: 提供一种喷墨打印头及其制造方法,以防止FPC电缆的引线与基板之间的电短路,并且防止打印头被单元中的打印头切断时产生的颗粒污染 的晶片。 包括排出墨的排墨单元(101)和用于允许向排墨单元施加电信号的连接垫(110)的排列区域(102)的喷墨打印头包括如下。 分隔壁(140)形成在焊盘区域的外边缘处,防止喷墨打印头被切断时产生的颗粒流入焊盘区域。

    비휘발성 메모리 소자 및 그 형성방법
    97.
    发明授权
    비휘발성 메모리 소자 및 그 형성방법 失效
    非易失性存储器件及其形成方法

    公开(公告)号:KR100823165B1

    公开(公告)日:2008-04-18

    申请号:KR1020060119193

    申请日:2006-11-29

    Abstract: A non-volatile memory device and a manufacturing method thereof are provided to decrease a cell by forming a conductive pattern having a first protrusion of tip shape, thereby improving a programming and erasing efficiency. A conductive pattern(140) is formed on a semiconductor substrate(100), and a tunnel insulating layer(152) is formed on the conductive pattern. A memory gate structure(MG) is formed on the substrate to cover one end of the conductive pattern. A selection gate structure(SG) is formed on the substrate to cover the other end of the conductive pattern. The conductive pattern has a base portion(144) contacting the substrate, and a first protrusion(142) formed on one end of the base portion, in which the protrusion has a width which is gradually decreased in an upward direction.

    Abstract translation: 提供一种非易失性存储器件及其制造方法,通过形成具有尖端形状的第一突起的导电图案来减小电池,从而提高编程和擦除效率。 导电图案(140)形成在半导体衬底(100)上,并且在导电图案上形成隧道绝缘层(152)。 存储栅结构(MG)形成在衬底上以覆盖导电图案的一端。 在基板上形成选择栅极结构(SG)以覆盖导电图案的另一端。 导电图案具有与基板接触的基部(144)和形成在基部的一端的第一突起(142),突起的宽度在向上方向上逐渐减小。

    잉크젯 프린트 헤드 및 그 제조 방법
    98.
    发明公开
    잉크젯 프린트 헤드 및 그 제조 방법 无效
    喷墨打印头及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020080012627A

    公开(公告)日:2008-02-12

    申请号:KR1020060073762

    申请日:2006-08-04

    CPC classification number: B41J2/14 B41J2/1621

    Abstract: An inkjet print head and a manufacturing method thereof are provided to improve printing efficiency by preventing foreign materials generated in a dicing process from entering an inkjet print head or adhering to a pad unit. An inkjet print head includes a substrate(111), a nozzle unit formed on the substrate and spraying ink droplets, a pad unit(271) formed on the substrate so as to couple the nozzle unit electrically, a cut-off unit(279) formed between a dicing line and the pad unit, and a protection member(400) covering the nozzle unit, the pad unit and a cut-off unit.

    Abstract translation: 提供一种喷墨打印头及其制造方法,以通过防止在切割过程中产生的异物进入喷墨打印头或粘附到垫单元来提高打印效率。 一种喷墨打印头,包括基板(111),形成在基板上并喷射墨滴的喷嘴单元,形成在基板上以便电连接喷嘴单元的焊盘单元(271),切断单元(279) 形成在切割线和衬垫单元之间,以及覆盖喷嘴单元,衬垫单元和截止单元的保护构件(400)。

    수직 채널을 갖는 비휘발성 메모리 집적 회로 장치 및 그제조 방법
    99.
    发明授权
    수직 채널을 갖는 비휘발성 메모리 집적 회로 장치 및 그제조 방법 有权
    具有垂直沟道的非易失性存储器集成电路及其制造方法

    公开(公告)号:KR100801078B1

    公开(公告)日:2008-02-11

    申请号:KR1020060059608

    申请日:2006-06-29

    Abstract: 수직 채널을 갖는 비휘발성 메모리 집적 회로 장치가 제공된다. 비휘발성 메모리 집적 회로 장치는 반도체 기판 상에 행렬 형태로 배열된 다수의 반도체 필러(pillar), 각 반도체 필러의 외주면에 서로 마주보도록 형성된 제1 및 제2 전하 저장 구조로, 각 전하 저장 구조는 터널링막 패턴, 전하 저장막 패턴 및 차폐막 패턴을 포함하는 제1 및 제2 전하 저장 구조, 제1 방향으로 배열된 다수의 반도체 필러의 제1 전하 저장 구조 상에 형성되도록 제1 방향으로 연장된 제1 도전 라인과, 제1 방향으로 배열된 다수의 반도체 필러의 제2 전하 저장 구조 상에 형성되도록 제1 방향으로 연장된 제2 도전 라인, 제2 방향으로 이웃하는 반도체 필러 사이의 반도체 기판 내에 형성된 제1 정션 영역, 및 각 반도체 필러의 상면에 형성된 제2 정션 영역을 포함한다.
    고밀도, 비휘발성 메모리 집적 회로 장치, 수직 채널, 분리 트렌치

    잉크젯 기록헤드 및 이의 제조방법
    100.
    发明公开
    잉크젯 기록헤드 및 이의 제조방법 无效
    喷墨记录头及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020080008816A

    公开(公告)日:2008-01-24

    申请号:KR1020060068569

    申请日:2006-07-21

    Abstract: An ink-jet recording head and a method for fabricating the same are provided to protect a nozzle plate from external impact by preventing stress concentration of the nozzle plate in an arbitrary position. An ink-jet recording head comprises a nozzle plate and a stress dispersion member. The nozzle plate is provided with outlets. The stress dispersion member is protruded on the nozzle plate and is provided with one or a plurality of bent surfaces.

    Abstract translation: 提供一种喷墨记录头及其制造方法,用于通过防止喷嘴板在任意位置的应力集中来保护喷嘴板免受外部冲击。 喷墨记录头包括喷嘴板和应力分散部件。 喷嘴板设有出口。 应力分散构件在喷嘴板上突出并设置有一个或多个弯曲表面。

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