公开(公告)号：KR1020150065067A

公开(公告)日：2015-06-12

申请号：KR1020130150162

申请日：2013-12-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 심동식 ,  홍석우 ,  정석환 ,  김창정

IPC: H04R19/00 ,  H01L29/84

CPC classification number: H04R1/00 ,  B06B1/0292 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/3043 ,  H01L21/768 ,  H01L23/481 ,  H01L2924/0002 ,  H04R19/005 ,  H01L2924/00

Abstract: 정전용량미세가공초음파변환기및 그제조방법이개시된다. 개시된초음파변환기는복수의엘리먼트에대응되며서로절연된복수의제1 부분을한정하는제1 트렌치와, 상기복수의제1 부분과이격된제2 부분을한정하는제2 트렌치를포함하는디바이스기판; 과, 상기디바이스기판상에서상기각 엘리먼트에대응되는복수의캐버티를한정하는지지대와, 상기지지대상에서상기복수의캐버티를덮는멤브레인과, 상기멤브레인상에서상기멤브레인및 상기지지대를관통하는비아홀을통해서상기제2 트렌치내의상기제2 부분과전기적으로연결된상부전극을포함한다.

Abstract translation: 公开了一种电容微加工超声换能器及其制造方法。 所公开的超声波换能器包括：器件衬底，其包括第一沟槽，其限定彼此绝缘并对应于多个元件的多个第一部分;以及第二沟槽，其限制与第一部分分离的第二部分， 限制对应于器件基板上的每个元件的多个空腔的支撑台，覆盖支撑台上的空腔的膜，以及通过通孔电连接到第二沟槽中的第二部分的顶部电极， 通过膜和支撑架在膜上。

公开(公告)号：KR101519480B1

公开(公告)日：2015-05-12

申请号：KR1020080050994

申请日：2008-05-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김창정 ,  김상욱 ,  김선일

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/316

Abstract: 본 발명은 산화물 반도체 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터에 관한 것이다. Zn 원자 및 Ta 또는 Y 중 적어도 어느 하나의 원자를 포함하는 산화물 반도체 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터를 제공한다.

公开(公告)号：KR101510212B1

公开(公告)日：2015-04-10

申请号：KR1020080053128

申请日：2008-06-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정지심 ,  박영수 ,  이상윤 ,  김창정 ,  김태상 ,  권장연 ,  손경석

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/66969

Abstract: 투명한산화물반도체를채널물질로사용하는산화물반도체박막트랜지스터의제조방법이개시된다. 개시되는산화물반도체박막트랜지스터의제조방법은, 채널층상에보호막을형성한다음, 100℃이상의온도에서 1시간이상열처리공정을수행하는단계를포함한다.

公开(公告)号：KR1020150026362A

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：KR1020130105095

申请日：2013-09-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이승협 ,  김선일 ,  김영 ,  김창정

IPC: G01T1/16 ,  H01L27/14 ,  A61B6/00 ,  H04N5/32

CPC classification number: G01T1/24 ,  G01N23/04 ,  G01T1/2023 ,  H01L27/14676 ,  H01L27/14683 ,  H01L31/0272 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/02966 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0324 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/03845 ,  H01L31/085 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1828 ,  H01L31/1832 ,  H01L31/202

Abstract: 방사선 검출기, 상기 방사선 검출기의 제조 방법, 및 상기 방사선 검출기를 포함하는 방사선 영상 시스템을 개시한다. 개시된 방사선 검출기는, 다수의 미세한 감광성 입자들을 포함하는 제 1 광전도층; 및 상기 제 1 광전도층 위에 배치된 것으로, 결정 성장된 감광성 재료들의 다수의 결정을 포함하는 제 2 광전도층;을 포함하며, 상기 제 1 광전도층의 감광성 입자들은 상기 제 2 광전도층의 다수의 결정들 사이에 채워질 수 있다.

Abstract translation: 公开了一种辐射检测器及其制造方法以及具有辐射检测器的辐射成像系统。 所公开的辐射检测器包括：包含多个感光细颗粒的第一光电导层; 以及布置在第一光电导层上并包括通过晶体生长形成的多个感光材料晶体的第二光电导层。 第一光电导层的光敏颗粒可以填充在第二光电导层的多个晶体之间。

公开(公告)号：KR101482702B1

公开(公告)日：2015-01-15

申请号：KR1020080069300

申请日：2008-07-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김창정 ,  박영수

IPC: G06F3/041 ,  G06F1/00 ,  B82Y30/00

CPC classification number: G06F3/0436

Abstract: 나노와이어를 이용한 비접촉식 터치 패널에 관하여 개시된다. 개시된 터치 패널은, 스트립 형상의 서로 직교하는 제1투명전극과 제2투명전극 사이에 형성된 압전성 나노와이어와, 상기 나노와이어에 펄스전압을 인가하는 초음파 발생기와, 상기 초음파 발생기로부터 발생된 초음파가 상기 나노와이어로 접근하는 물체에 부딪혀서 상기 나노와이어로 되돌아오는 초음파를 감지하는 초음파 에코센서를 구비한다.

公开(公告)号：KR1020140109564A

公开(公告)日：2014-09-16

申请号：KR1020130022967

申请日：2013-03-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김영배 ,  김경민 ,  김성호 ,  이승렬 ,  장만 ,  조은주 ,  김세진 ,  김창정

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/2481 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/249 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L27/11582 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/823487 ,  H01L27/11578 ,  H01L29/7926

Abstract: A memory device and an apparatus including the same are disclosed. The disclosed memory device can be equipped with a barrier layer between a memory element and a switching element. The barrier layer includes insulating materials. The memory element can be equipped with the memory element, the barrier layer, and the switching element between a first electrode and a second electrode. Either the first electrode or the second electrode can be a vertical electrode, the other can be a horizontal electrode. Or, the first electrode can be a first horizontal electrode extended in the first direction, and the second electrode can be a second horizontal electrode extended in the second direction.

Abstract translation: 公开了一种存储装置及其装置。 所公开的存储器件可以配备有存储元件和开关元件之间的阻挡层。 阻挡层包括绝缘材料。 存储元件可以配备有第一电极和第二电极之间的存储元件，阻挡层和开关元件。 第一电极或第二电极可以是垂直电极，另一个可以是水平电极。 或者，第一电极可以是在第一方向上延伸的第一水平电极，并且第二电极可以是在第二方向上延伸的第二水平电极。

公开(公告)号：KR101400287B1

公开(公告)日：2014-05-30

申请号：KR1020080057018

申请日：2008-06-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김상욱 ,  박영수 ,  김창정

IPC: G06F3/047 ,  G06F3/041 ,  B82Y30/00

CPC classification number: G06F3/0414

Abstract: 본 발명은 ZnO 나노 와이어를 이용한 터치 패널에 관한 것이다. 본 발명의 양호한 유형에 따른 터치 패널은, 제 1 투명 기판; 상기 제 1 투명 기판 위에 배치된 제 1 투명 전극층; 상기 제 1 투명 전극 위에 수직으로 배치된 다수의 압전성 나노 와이어들로 이루어진 광투과성 나노 와이어층; 상기 나노 와이어층 위에 배치된 제 2 투명 전극층; 및 상기 제 2 투명 전극 위에 배치된 제 2 투명 기판;을 포함하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1020140021795A

公开(公告)日：2014-02-20

申请号：KR1020120087993

申请日：2012-08-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김경민 ,  김영배 ,  김창정 ,  김성호 ,  김세진 ,  이승렬 ,  장만 ,  조은주

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L45/08 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/145 ,  H01L45/04 ,  H01L27/24 ,  H01L45/00

Abstract: The present invention relates to a resistance switching material element and a device applying the same. According to one embodiment of the present invention, the resistance switching material element includes a resistance switching material located between a first electrode and a second electrode. A self-rectification layer is formed between the resistance switching material and the first electrode or the second electrode.

Abstract translation: 本发明涉及一种电阻切换材料元件及其应用的装置。 根据本发明的一个实施例，电阻切换材料元件包括位于第一电极和第二电极之间的电阻切换材料。 在电阻切换材料与第一电​​极或第二电极之间形成自整流层。

公开(公告)号：KR101345377B1

公开(公告)日：2013-12-24

申请号：KR1020070051080

申请日：2007-05-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김창정 ,  송이헌 ,  강동훈 ,  박영수

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: 본발명은비정질아연산화물계복합반도체를활성층으로포함하는박막트랜지스터에대한것으로, 아연산화물에복합화되는갈륨산화물및 인듐산화물의함량을조절함으로써광민감도특성을개선하여디스플레이의스위칭및 구동트랜지스트의요구특성을만족시키는것이가능하다.

公开(公告)号：KR101344483B1

公开(公告)日：2013-12-24

申请号：KR1020070063826

申请日：2007-06-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김선일 ,  송이헌 ,  박영수 ,  강동훈 ,  김창정 ,  박재철

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: 박막트랜지스터에관해개시되어있다. 개시된본 발명의박막트랜지스터는게이트절연층을사이에두고형성된게이트전극및 채널층, 및상기채널층의양단과각각접촉된소오스전극및 드레인전극을포함하되, 상기채널층은전이금속이도핑된 IZO(Indium Zinc Oxide)를포함하는것을특징으로한다.