公开(公告)号：KR1020060035377A

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：KR1020040084845

申请日：2004-10-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김현수

IPC: G06F1/16

CPC classification number: G06F1/181 ,  G06F1/182 ,  H05K5/0065 ,  H05K5/0217

Abstract: 본 발명은, 퍼스널 컴퓨터에 관한 것으로서, 서버모듈과; 상기 서버모듈을 착탈가능하게 수용하며, 소정의 설치면에 안착되어 상기 서버모듈을 상기 설치면에 대해 지지하는 커버케이싱을 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여, 서버모듈을 커버케이싱에 수용시켜 서버모듈을 테스크탑 형태의 퍼스널 컴퓨터로 활용할 수 있다. 또한, 서버모듈이 커버케이싱에 대해 슬라이딩 가능하게 결합되도록 마련되면, 서버모듈을 커버케이싱으로부터 용이하게 분리 및 결합시킬 수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种个人计算机，包括：服务器模块; 以及可拆卸地容纳服务器模块并且安装在预定安装表面上以相对于安装表面支撑服务器模块的盖壳。 因此，服务器模块可以容纳在盖壳中，并且服务器模块可以用作台式个人计算机。 此外，当服务器模块被提供为可滑动地与盖壳体接合时，服务器模块可以容易地从盖壳体分离并联接到盖壳体。

公开(公告)号：KR1020060027958A

公开(公告)日：2006-03-29

申请号：KR1020040076894

申请日：2004-09-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김현수 ,  신현성

IPC: G03G21/00

CPC classification number: G03G21/1647 ,  G03G21/1638 ,  G03G21/1685 ,  G03G2215/1661 ,  G03G2215/20

Abstract: A driving apparatus with a power disconnecting part for disconnecting power transmitted to an image fixing unit while an image formed on an image transfer belt is cleaned when a paper jam occurs, and an image forming apparatus and method for performing the same. The image forming apparatus includes a driving motor, a belt unit driving part having a belt driving gear connected to the driving motor to drive an image belt, an image fixing unit driving part having an image fixing gear for driving an image fixing roller for fixing a toner image onto a recording medium, a power disconnecting part for transmitting the power of the driving motor of the belt unit driving part to the image fixing unit driving part or for disconnecting the power transmission of the driving motor from the image fixing unit driving part, and a power disconnection actuating part for actuating the power disconnecting part.

公开(公告)号：KR100566212B1

公开(公告)日：2006-03-29

申请号：KR1020030081038

申请日：2003-11-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 방영철 ,  이은화 ,  김현수 ,  이중기 ,  김준연

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C30B29/40 ,  C30B25/04 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639

Abstract: 본 발명은 유기금속화학기상증착법에 의한 선택영역 성장방법에 관한 것이다.
본 발명은 (001) 결정면을 갖는 반도체 기판 위에 예정된 상기 선택영역의 폭보다 넓은 폭의 제1 윈도우를 갖는 제1 마스크 패턴과, 상기 제1 윈도우 가장자리에서의 상기 Ⅲ족 반도체 원료가스의 표면이동을 차단하는 차단영역을 형성하기 위한 제2 윈도우를 갖도록 상기 제1 마스크 패턴과 이격 배치되며 예정된 상기 선택영역의 폭과 동일한 폭의 제3 윈도우를 갖는 제2 마스크 패턴을 형성하는 과정과; 상기 제2 윈도우 및 제3 윈도우에 의해 노출된 상기 반도체 기판 위에 유기금속화학기상증착법에 의한 반도체 성장층을 성장하는 과정을 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.
선택영역 성장, 유기금속화학기상증착법, 표면 이동

公开(公告)号：KR100564617B1

公开(公告)日：2006-03-28

申请号：KR1020040014958

申请日：2004-03-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 윤종호 ,  최길현 ,  정성희 ,  정석우 ,  김현수 ,  손웅희

IPC: H01L21/24

CPC classification number: H01L21/28518 ,  H01L21/28052 ,  H01L29/665

Abstract: 반도체 장치의 금속 샐리사이드막 특히 코발트 샐리사이드막 형성방법에 대하여 개시한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 코발트 샐리사이드막 형성방법은 먼저 실리콘 표면이 노출되어 있는 반도체 장치 상에 물리기상증착법으로 증착된 PVD 코발트막과 화학기상증착법으로 증착된 CVD 코발트막으로 구성된 이중 코발트막을 형성한다. PVD 코발트막과 CVD 코발트막은 인-시츄로 형성하는 것이 바람직하다. 그리고, CVD 코발트막 상에 캡핑막을 형성한다. 계속해서, 실리콘 표면에서 이중 코발트막이 반응을 일으켜서 CoSi막을 형성하도록 1차로 열처리한 다음, 반응하지 않은 이중 코발트막과 캡핑막을 금속 식각액을 사용하여 제거한다. 그리고, CoSi막이 CoSi
2 막으로 전이되도록 2차 열처리 공정을 실시하면, 이중 코발트 샐리사이드막이 형성된다.
반도체, 샐리사이드, 코발트, 덩어리화(agglomeration), 접합누설전류

公开(公告)号：KR1020060017423A

公开(公告)日：2006-02-23

申请号：KR1020040066089

申请日：2004-08-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김현수 ,  정대광 ,  이정석 ,  김성기

IPC: H04L12/28

CPC classification number: H04J14/0282 ,  H04J14/0226 ,  H04J14/0246 ,  H04J14/025

Abstract: A passive optical network using downstream and upstream optical signals for achieving a two-way communication is provided, wherein the downstream and upstream optical signals have different polarization components and an equal wavelength band.

Abstract translation: 提供了使用下游和上游光学信号来实现双向通信的无源光学网络，其中下游和上游光学信号具有不同的偏振分量和相等的波长带。

公开(公告)号：KR1020060012789A

公开(公告)日：2006-02-09

申请号：KR1020040061429

申请日：2004-08-04

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  광주과학기술원

Inventor： 곽준섭 ,  김현수 ,  성태연 ,  송준오

IPC: H01L33/36

Abstract: 본 발명은 화합물 반도체 발광소자의 저저항 전극 및 이를 이용한 화합물 반도체 발광소자를 개시한다. n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 구비하는 화합물 반도체 발광소자의 p형 반도체층 위에 적층되는 본 발명에 따른 p형 전극은, 상기 p형 반도체층 위에 적층되어 상기 활성층에서 방출되는 빛을 반사하는 반사전극층; 열처리시 상기 반사전극층의 뭉침 현상을 방지하기 위하여 상기 반사전극층 위에 적층되는 뭉침방지 전극층; 및 상기 뭉침방지 전극층의 산화를 방지하기 위하여 상기 뭉침방지 전극층 위에 적층되는 산화방지 전극층;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
화합물 반도체, 발광소자, 전극, GaN, 질화물 반도체

公开(公告)号：KR100550345B1

公开(公告)日：2006-02-08

申请号：KR1020040080805

申请日：2004-10-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정석우 ,  최길현 ,  윤종호 ,  김현수 ,  정은지

IPC: H01L21/24

Abstract: 반도체 장치의 실리사이드막 제조 방법에 관한 것으로서. 먼저 제1 실리사이드막을 형성한다. 그리고 상기 제1 실리사이드막 중에서 단락된 부분이 있을 경우, 상기 단락된 부분에 금속물질을 선택적 증착하여 상기 금속물질에 의해 전기적으로 연결된 제2 실리사이드막을 형성하는데 있다. 상술한 방법은 80nm이하의 디자인 룰을 갖는 반도체 게이트 전극 상에 단락된 부분을 포함하지 않는 실리사이드막을 형성할 수 있을 뿐만 아니라, 단락된 부분을 연결하는 공정에서 추가 열처리 공정을 수행하지 않아도 되기 때문에 트랜지스터의 특성열화를 방지할 수 있다.

Abstract translation: 涉及一种制造半导体器件的硅化物膜的方法。 首先，形成第一硅化物膜。 当在第一硅化物膜中存在短路部分时，通过在短路部分上选择性地沉积金属材料来形成由金属材料电连接的第二硅化物膜。 晶体管中，由于无需在可实现能够形成硅化物膜不含有局部短路到半导体栅电极具有小于80nm的设计规则的过程中附加的热处理步骤中的上述方法，连接短路部 可以防止半导体器件的特性劣化。

公开(公告)号：KR100546326B1

公开(公告)日：2006-01-26

申请号：KR1020030035306

申请日：2003-06-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김현수

IPC: G11B19/20

Abstract: 본 발명은 광디스크 드라이브에 관하여 개시한다. 개시된 광디스크 드라이브는, 광디스크를 회전시키는 스핀들모터 및 상기 광디스크의 반경방향으로 슬라이딩되는 광픽업이 탑재되는 광픽업 베이스가 설치되는 메인베이스와, 상기 메인베이스에 상기 스핀들 모터를 장착하도록 일측에 상기 스핀들 모터가 탑재되고 타측이 상기 메인베이스에 연결되는 스핀들 브라케트와, 상기 메인베이스 및 상기 스핀들 브라케트 사이에 배치되어서 그들을 연결 및 고정하는 스핀들 홀더와, 상기 스핀들 브라케트로부터 상기 메인베이스방향으로 인입되어서 상기 스핀들 홀더를 고정하는 스크류와, 상기 스핀들 브라케트 및 스크류 사이에 배치된 링을 구비한다. 상기 스핀들 홀더는, 상기 스핀들 브라케트와 연결되는 방향으로 연장되게 복수의 보스가 형성되어 있으며, 상기 보스는 상기 스핀들 브라케트와의 접촉부에 단차가 형성된 것을 특징으로 한다. 이에 따르면, 회전 구동체인 스핀들 모터와, 직선 왕복운동체인 픽업 베이스 간의 전기적 단절로 이들 사이의 RF 노이즈가 현저히 줄어들어 에러율이 현저히 감소되는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1020050101669A

公开(公告)日：2005-10-25

申请号：KR1020040026748

申请日：2004-04-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정성희 ,  최길현 ,  윤종호 ,  정석우 ,  김현수

IPC: H01L21/24

CPC classification number: H01L21/28518 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/823418

Abstract: 금속 실리사이드층을 포함하는 반도체 소자 및 금속 실리사이드 형성 방법을 제공한다. 이 소자는 반도체 기판의 소정영역에 형성된 실리사이드층을 포함하되, 상기 실리사이드층은 제 1 금속, 제 2 금속 및 제 3 금속 화합물 실리사이드층이다. 상기 실리사이드층은 실리콘 기판 상에 제 1 금속 합금층을 증착하고, 상기 제 1 금속 합금층 상에 제 2 금속층을 증착하는 것을 포함한다. 상기 제 2 금속층 상에 캐핑층을 형성한다. 상기 기판에 실리사이드화 어닐링을 적용하고 상기 캐핑을 제거한다. 잔류 제 1 금속 합금층 및 잔류 제 2 금속층을 제거하여 실리사이드층을 형성할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050098537A

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：KR1020040023802

申请日：2004-04-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 윤종호 ,  정성희 ,  최길현 ,  정석우 ,  김현수

IPC: H01L21/24

CPC classification number: H01L21/28518 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/324 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823437

Abstract: 코발트 샐리사이드막을 포함하는 반도체 장치의 제조방법에 대하여 개시한다. 본 발명에 의한 반도체 장치의 제조방법은 게이트 라인에는 CVD 코발트 샐리사이드막을 형성하며, 소오스/드레인 영역에는 PVD 코발트 샐리사이드막을 형성한다. 그리고, CVD 코발트 샐리사이드막과 PVD 코발트 샐리사이드막을 형성하는 순서는 서로 바뀔 수 있다.