-
公开(公告)号：KR100279051B1
公开(公告)日：2001-02-01
申请号：KR1019970048254
申请日：1997-09-23
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01J1/30
Abstract: 다이아몬드 증착시 기판에 균일한 다이아몬드핵을 형성시키기 위한 전처리된 Si기판상에 행하고, 후처리 공정시 다이아몬드 분말을 선택적으로 잔류시키고 식각과정에서 소멸되지 않도록 하기 위하여, 전처리된 Si기판 표면상에 SiO
2 등의 산화막을 증착하고 공정완료후 제거하는 방법을 사용하므로써, 표면처리 효과가 식각공정중 Si표면에 그대로 남아 있어, 다이아몬드의 균일한 선택 증착이 가능하게 한다. 이렇게 제조된 다이아몬드 전계방출 소자는, 팁형상의 전계방출부에서의 전계집속에 의한 전계방출을 용이하게 하고, 더욱이 팁 상단에 있는 다이아몬드가 전자의 방출효과를 배가시키므로, 전체적으로 균일한 전자방출을 기대할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020000067650A
公开(公告)日：2000-11-25
申请号：KR1019990015647
申请日：1999-04-30
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C01B31/06
CPC classification number: C23C16/272 , C23C16/27 , C30B25/105 , C30B29/04 , C01B32/25
Abstract: PURPOSE: A fabrication method of flat diamond film by chemical vapor deposition is provided which has no growth crack by controlling intrinsic stress applied to film. CONSTITUTION: The fabrication method of flat diamond film without crack is characterized in that a diamond thin film is deposited on a tungsten(W) substrate(1) having high elastic coefficient at 1250°C, followed by rising up and down(within 200°C) of the deposition temperature of a layer(2) in sequence or several steps. The resulting film thickness is 1010-1015μm(growing rate:10.1-10.5 micrometer/h, film preparing time:100hrs.), in case of dropping temperature by decreasing applied power ranged from 20-50hrs of preparing time and with 5-6°C ranged from 51-100hrs. of preparing time at 15hrs. intervals.
Abstract translation: 目的：通过化学气相沉积制备平面金刚石薄膜的方法，通过控制施加于薄膜上的固有应力，不产生生长裂纹。 构成：无裂纹的平坦金刚石薄膜的制造方法的特征在于，在1250℃下具有高弹性系数的钨（W）基板（1）上沉积金刚石薄膜，然后上下（在200°以内） C）层（2）的沉积温度顺序或几个步骤。 所得到的膜厚度为1010-1015μm（生长速度：10.1-10.5微米/小时，膜制备时间：100小时），通过降低施加功率在20-50小时的制备时间下降温度和5-6度 C从51-100小时。 在15小时准备时间。 间隔。
-
-
公开(公告)号：KR1019990026203A
公开(公告)日：1999-04-15
申请号：KR1019970048254
申请日：1997-09-23
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01J1/30
Abstract: 다이아몬드 증착시 기판에 균일한 다이아몬드핵을 형성시키기 위한 전처리를 Si기판상에 행하고, 후처리 공정시 다이아몬드 분말을 선택적으로 잔류시키고 식각과정에서 소멸되지 않도록 하기 위하여, 전처리된 Si기판 표면상에 SiO
2 등의 산화막을 증착하고 공정완료후 제거하는 방법을 사용하므로써, 표면처리 효과가 식각공정중 Si표면에 그대로 남아 있어, 다이아몬드의 균일한 선택 증착이 가능하게 한다. 이렇게 제조된 다이아몬드 전계방출 소자는, 팁형상의 전계방출부에서의 전계집속에 의한 전계방출을 용이하게 하고, 더욱이 팁 상단에 있는 다이아몬드가 전자의 방출효과를 배가시키므로, 전체적으로 균일한 전자방출을 기대할 수 있다.-
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019960031661A
公开(公告)日：1996-09-17
申请号：KR1019950003755
申请日：1995-02-25
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 Si 단결정 기판 위에 입자간 또는 입자와 기판과의 미스매치 및 표면 조도가 최소인 단결정 다이아몬드막을 합성하는 단계별 성장법에 관한 것이다. 본 발명에 방법에 따르면, 제1단계에서는 Si 기판과 동일한 격자 방향을 갖는 집합 조직을 선택적으로 성장시키고, 제2단계에서는 다이아몬드의 2차원 성장이 가능하도록 합성 조건을 단계별로 조절함으로써 표면 조도가 최소화된 단결정 다이아몬드막을 합성할 수 있다.
-
-
公开(公告)号：KR1019960010086B1
公开(公告)日：1996-07-25
申请号：KR1019930030636
申请日：1993-12-29
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C01B31/06
CPC classification number: C23C16/272 , Y10T428/30
Abstract: The diamond film is deposited on a substrate by generating the plasma between the negative electrode, made by arranging the U-shape filaments of the plural number in a line, in parallel, and the positive electrode by high density DC glow discharge from glow-to-arc transition current. The temp. of the U-shape filament negative electrode must be maintained more than 2100-2300 deg.C in order to prevent the generation of arc between electrodes in the process of synthesis.
Abstract translation: 通过在负极之间产生等离子体来沉积金刚石膜，所述等离子体通过将多个并联的多个U形细丝并排排列成与通过高密度直流辉光放电从发光到 -arc转换电流。 温度 的U形灯丝负极必须保持在2100-2300摄氏度以上，以防止合成过程中电极之间产生电弧。
-
-
公开(公告)号：KR1019960006051B1
公开(公告)日：1996-05-08
申请号：KR1019930026584
申请日：1993-12-06
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C23C16/00
Abstract: The method for coating diamond thin film comprises forming a middle layer of mixture of diamond and carbide between a diamond and a matrix. In order to control the difference of coefficient of thermal expansion, gradient middle layer by changing the ratio of diamond content from 0% to 100% is formed. And maximizing the adhesive forces between the matrix and the middle layer, and between the middle layer and the diamond film is maximized. This method is useful for increasing the adhesive strength between the diamond and the matrix, and controlling mechanical properties such as hardness, wear resistance and residual stress.
Abstract translation: 用于涂覆金刚石薄膜的方法包括在金刚石和基质之间形成金刚石和碳化物的混合物的中间层。 为了控制热膨胀系数的差异，形成了将金刚石含量从0％变化到100％的梯度中间层。 并且使基体和中间层之间以及中间层和金刚石膜之间的粘合力最大化最大化。 该方法对于增加金刚石与基体之间的粘合强度以及控制机械性能如硬度，耐磨性和残余应力是有用的。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
136
records
(took 0.023 seconds)
