Abstract:
플라스틱 전지소자 제조방법, 이에 따라 제조된 플라스틱 전지소자가 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 플라스틱 전지소자 제조방법은 희생기판 상에 전지층을제조하는 단계; 상기 희생기판을 제거하는 단계; 및 전사층을 이용, 상기 전지층을 플라스틱 기판으로 전사시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
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유연성 질화갈륨 발광다이오드 소자 제조방법 및 이에 따라 제조된 유연성 질화갈륨 발광다이오드 소자가 제공된다. 본 발명에 따른 유연성 질화갈륨 발광다이오드 소자 제조방법은 희생기판 상에 질화갈륨 발광다이오드 소자를 제조하는 단계; 상기 희생기판으로부터 상기 질화갈륨 발광다이오드 소자를 화학적으로 분리하는 단계를 포함하며, 여기에서 상기 화학적 분리는 상기 희생기판과 질화갈륨 발광다이오드 소자 사이의 희생층을 화학적으로 제거하는 방식으로 진행되는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따른 유연성의 GaN LED 소자는 구 형태의 두개골이나 두개골 뼈 바로 아래에 위치하는 주름진 대뇌피질(인지, 사고, 언어, 기억 등의 역할, 특히 파킨슨 병은 표면에 위치하는 신경세포에 의한 증상) 등과 같이 구불구불한 표면의 인체 내에 이식가능하다. 또한 복수 개로 구성되며, 각각이 독립적으로 온/오프되는 LED 어레이를 통해 여러 부위에 신경세포의 빛 온-오프 자극이 가능하므로 신경 회로의 규명이 용이해진다.
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플렉서블 메모리 소자 제조방법 및 이에 의하여 제조된 플렉서블 메모리 소자가 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 방법은 플렉서블 기판에 고성능 다결정 또는 단결정 실리콘 스위칭 소자를 제조하는 단계; 및 상기 제조된 스위칭 소자를 포함하는 메모리 소자를 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따르면, 고성능 실리콘 소자를 스위칭으로 활용하여, 플렉서블한 형태의 다양한 메모리 소자를 제조할 수 있다. 특히 본 발명에 따르면 하나의 스위칭 소자와 하나의 메모리 구조를 통하여 메모리 어레이를 플렉서블 기판 상에 구현시킬 수 있으며, 더 나아가 RRAM, PRAM, DRAM,의 경우, 고성능 플렉서블 실리콘 트랜지스터가 비정형 TiO 2 (α-TiO 2 ) 기반 쌍극자 저항 메모리, GST 상변화 메모리, ZrO 2 캐패시터 메모리 요소등과 집적되어, 메모리의 논리 상태를 제어할 수 있다.
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PURPOSE: A method for manufacturing a GaN LED device and a GaN LED device manufactured by the same are provided to easily verify a nerve circuit by using an LED array. CONSTITUTION: A gallium nitride light emitting diode element is formed on a sacrificial substrate(100). A gallium nitride light emitting diode element is chemically separated from the sacrificial substrate. A silicon oxide layer(200) is laminated on the sacrificial substrate. A patterning process is performed on the silicon oxide layer. A first gallium nitride film(201a) is grown up in a space between silicon oxide layers.
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PURPOSE: A manufacturing apparatus and method for graphene using a flash lamp, and a graphene semiconductor device manufactured by using the same are provided to grow graphene by transferring a flexible substrate through a roll-to-roll method without metal catalyst. CONSTITUTION: A manufacturing apparatus of graphene comprises a chamber, an inlet(20), a vacuum part(30), and a flash lamp(40). The substrate for growing graphene is mounted in the chamber. A reaction gas flows into an inlet on the one side of the substrate. The vacuum part makes the chamber into a vacuum state. The flash lamp for irradiating the substrate with light is placed in the uppar part of the chamber. The substrate is transferred by a roll to roll unit. The graphene manufacturing apparatus additionally comprises a reflection unit. The light from the flash lamp is reflected from the front side of the reflection unit, which is placed in the upper part of the flash lamp.
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플라스틱 기반 바이오 센서 및 그 제조방법이 제공된다. 본 발명에 따른 플라스틱 기반 바이오 센서는 플라스틱 기판에 구비된 홈; 및 상기 홈 내부에 안착되며, 바이오 검출 물질이 단결정 실리콘 게이트 채널에 고정된 단위 바이오 센서를 포함하며, 여기에서 상기 홈 외부 및 바이오 센서에는 소스 및 드레인 전극이 와이어 형태로 연결된 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따른 바이오센서는 플라스틱 기판상에 구현되므로, 종래의 실리콘 기판상에 구현된 바이오센서가 가지는 기판의 한계 효과적으로 극복할 수 있다.
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LCP를 이용한 플렉서블 전자소자 제조방법 및 이를 이용한 플렉서블 메모리 소자 제조방법이 제공된다. 본 발명에 따른 플렉서블 전자소자 제조방법은 희생기판 상에서 전자소자를 제조하는 단계; 상기 제조된 전자소자를 LCP 기판에 전사시키는 단계; 및 상기 전자소자 상에 LCP 코팅층을 형성시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며,본 발명에 따른 플렉서블 소자 제조방법 및 이를 이용한 플렉서블 메모리 소자 제조방법은 소자의 하부 기판 및 상부 코팅층으로 LCP를 사용한다. 따라서, 한 번의 고온 과정을 통하여 하부 기판과 상부 코팅층이 동시에 소자의 상, 하부와 접합되므로, 공정 경제적이다. 더 나아가, 코팅층으로 사용된 LCP의 우수한 방수성에 따라 본 발명에 따른 플렉서블 전자소자는 인체 내와 같은 용액 환경에서도 효과적으로 구동할 수 있다. 더 나아가 본 발명에 따라 제조된 플렉서블 소자는 높은 항복 전압 등의 우수한 전기적 특성을 나타낸다.