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公开(公告)号：WO2018221753A1
公开(公告)日：2018-12-06
申请号：PCT/KR2017/005569
申请日：2017-05-29
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 비정질탄소막을 희생층으로 이용한 멤스 디바이스 및 그 제조 방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 하부 구조체; 상기 하부 구조체의 상부로 이격되어 배치된 멤스 구조체; 상기 하부 구조체와 상기 멤스 구조체를 전기적으로 연결하는 전기적 연결 구조체; 및 상기 멤스 구조체의 상부로 이격되어 배치되는 플레이트부와 상기 플레이트부로부터 상기 멤스 구조체로 연장되는 비어 연결부를 구비하는 광흡수 구조체;를 포함하는, 멤스 디바이스를 제공한다.
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公开(公告)号：WO2023058929A1
公开(公告)日：2023-04-13
申请号：PCT/KR2022/013889
申请日：2022-09-16
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본 발명의 일 실시예에 따른 라인 및 스페이스 패턴 형성 방법은, 기판에 제1 방향과 제2 방향으로 마스크을 노광하여 스티칭 공정을 진행한다. 상기 라인 및 스페이스 패턴 형성 방법은, 상기 제1 방향으로 상기 마스크의 제1 샷들(shots)이 서로 접촉하도록 상기 기판에 제1 노광 공정을 수행하는 단계; 및, 상기 2 방향으로 이격하여 상기 제1 샷들(shots)과 상기 제1 방향의 오프셋을 가지도록 상기 마스크의 제2 샷들(shots)이 서로 접촉하도록 상기 기판에 제2 노광 공정을 수행하는 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：WO2014119810A1
公开(公告)日：2014-08-07
申请号：PCT/KR2013/000832
申请日：2013-02-01
Applicant: 한국과학기술원
IPC: B81B1/00
CPC classification number: B81C1/00595 , B81B2203/0109 , B81C2201/0109 , B81C2201/0133
Abstract: 비정질 탄소막을 희생층으로 이용한 MEMS 디바이스 제조 방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 하부 구조물을 형성한다. 상기 하부 구조물 상에 희생층으로서 비정질 탄소막을 형성한다. 상기 비정질 탄소막 상에 센서 구조를 포함하는 상부 구조물을 형성한다. 상기 하부 구조물과 상기 상부 구조물이 서로 이격되어 배치되도록 상기 비정질 탄소막을 제거한다.
Abstract translation: 提供了使用非晶碳膜作为牺牲层的MEMS器件制造方法。 根据本发明的实施例，形成下部结构。 在下部结构上形成无定形碳膜作为牺牲层。 在非晶碳膜上形成包括传感器结构的上部结构。 去除非晶碳膜，使得下部结构和上部结构彼此间隔开。
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公开(公告)号：WO2022250260A1
公开(公告)日：2022-12-01
申请号：PCT/KR2022/003599
申请日：2022-03-15
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본 발명의 일 실시예에 따른 MEMS 소자의 제조 방법은, 실리콘 기판 상에 복수의 MEMS 소자들을 형성하는 단계; 스텔스 다이싱 정렬키를 포함하고 상기 스텔스 다이싱 정렬키와 연속적으로 연결되고 상기 MEMS 소자들을 서로 분리하고 상기 실리콘 기판 상에 모든 박막을 제거하는 스텔스 다이싱 패턴을 형성하는 단계; 상기 실리콘 기판의 하부면에서 상기 스텔스 다이싱 정렬키에 정렬된 백사이드 정렬키와 MEMS 소자와 정렬된 백사이드 식각 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 스텔스 다이싱 패턴을 따라 레이저 빔을 조사하여 상기 실리콘 기판을 다이싱하는 단계;를 포함한다.
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公开(公告)号：WO2021182813A2
公开(公告)日：2021-09-16
申请号：PCT/KR2021/002799
申请日：2021-03-08
Applicant: 한국과학기술원
IPC: G01J5/20 , B81C1/00 , B81B7/00 , B81B7/0032 , B81C1/00039 , B81C1/00063 , B81C1/00087 , B81C2203/03
Abstract: 본 발명의 일 실시예에 따른 멤스 소자는, 하부 기판; 및 상기 하부 기판에 형성된 적외선 센서를 포함한다. 상기 적외선 센서는, 상기 하부 기판의 상부면에 형성되어 검출회로와 전기적으로 연결되는 금속 패드; 상기 금속 패드와 동일한 평면에 배치되고 상기 하부 기판의 상부면에 형성되고 적외선 대역을 반사하는 반사층; 상기 반사층을 덮도록 배치되고 광경로 거리를 변경하는 투과층; 상기 투과층의 상부에 이격되어 형성되고 적외선을 흡수하여 저항을 변화시키는 흡수판; 및 상기 금속 패드의 상부에 형성되어 상기 흡수판을 지지하고 상기 금속 패드와 상기 흡수판을 전기적으로 연결하는 앵커를 포함한다. 상기 반사층의 상부면과 상기 흡수판의 하부면 사이의 거리는 특정 적외선 파장에서 파장/4 보다 작다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2020060066A1
公开(公告)日：2020-03-26
申请号：PCT/KR2019/011105
申请日：2019-08-30
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본 발명의 일 실시에에 따른 멤스 소자는, 적외선 센서를 구비한 센서 기판; 및 상기 하부 기판과 접합되어 케비티를 구성하는 캡 기판을 포함한다. 상기 캡 기판은, 상부 기판; 상기 상부 기판의 상부면에 형성된 나방눈(Moth-eye) 구조의 상부 패턴; 상기 상부 패턴을 마주보도록 배치되고 상기 상부 기판의 하부면에서 함몰된 케비티 영역에 형성된 나방눈(Moth-eye) 구조의 하부 패턴; 상기 하부 패턴의 주위에 배치되고 상기 케비티 영역 내에 배치된 게터; 상기 상부 기판의 하부면에서 상기 케비티 영역보다 돌출되고 상기 상부 기판과 동일한 구조와 재질을 가지고 상기 케비티 영역을 감싸도록 배치된 격벽; 상기 상부 기판의 하부면에서 상기 케비티 영역의 배치평면보다 더 함몰되고 상기 격벽을 감싸도록 배치된 절단 부위; 및 상기 격벽의 하부면에 배치된 상부 본딩 패드;를 포함한다.
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公开(公告)号：WO2017200199A1
公开(公告)日：2017-11-23
申请号：PCT/KR2017/003406
申请日：2017-03-29
Applicant: 한국과학기술원
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00
Abstract: 본 발명은 멤스 디바이스 제조 방법 및 이에 의해 제조되는 멤스 디바이스에 관한 것으로, 보다 상세하게는 구조물 절연막을 이용한 보이드 패턴의 형성 후, 희생층을 증착함으로써, CMOS 호환성 있는 공정에 의해 종래와 같은 하부 전극의 박리 현상이 전혀 발생되지 않으며, 스핀 온 절연막(SOD) 또는 스핀 온 글래스(SOG)를 통한 스핀 증착에 따라 하부 패턴에 영향을 받지 않으면서 평탄화가 가능하며, 비아홀의 형성시, 클리닝(cleaning) 공정을 더 수행하여 후속 증착 공정에서의 오염을 원천적으로 방지할 수 있는 멤스 디바이스 제조 방법 및 이에 의해 제조되는 멤스 디바이스에 관한 것이다.
Abstract translation:
本发明的MEMS器件的制造方法，并且，这涉及到由制造的MEMS装置，更具体地后，使用该绝缘膜的结构的空隙图案的形成中，通过沉积牺牲层，CMOS兼容工艺，其 根据通过旋涂绝缘膜（SOD）或旋涂玻璃（SOG）的旋涂沉积，下电极可以被平面化而不受下层图案的影响， 本发明涉及一种制造MEMS器件的方法和通过该方法制造的MEMS器件，其可以通过进一步执行清洁工艺来防止后续沉积工艺中的污染。
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公开(公告)号：KR1020180061890A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：KR1020160161575
申请日：2016-11-30
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: G01J5/48 , G01J5/0853 , G01J5/20 , H04N5/33
Abstract: 본발명은비냉각형적외선센서픽셀의 3차원구조에관한것으로, 비냉각형적외선센서를구성하는픽셀의구조에있어서, 기판; 상기기판상에설치된지지기둥; 상기지지기둥에일단이연결된연결레그; 및상기연결레그의타단이연결되어상기기판으로부터공중으로이격되어위치하는적외선감지부를포함하여구성되며, 상기연결레그는상기적외선감지부의양쪽에 2개가연결되고, 상기 2개의연결레그는각각다른지지기둥에연결되며, 상기연결레그가연결된 2개의지지기둥중에적어도하나는인접한다른픽셀의적외선감지부에일단이연결된연결레그의타단이함께연결된것을특징으로한다. 본발명은, 지지기둥을인접한픽셀에서공유하여사용함으로써, 지지기둥의면적을좁히지않아서지지기둥의기계적안정성은유지하는상태로각 픽셀에서지지기둥이차지하는면적을줄일수 있는효과가있다. 또한, 각픽셀에서지지기둥이차지하는면적을줄여적외선감지부의면적을넓힘으로써, 적외선센서의분해능과성능이향상되고, 나아가웨이퍼당 칩의개수를더 많이획득하게되어제품의가격경쟁력을높일수 있는효과가있다.
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公开(公告)号：KR1020170129402A
公开(公告)日：2017-11-27
申请号：KR1020160060050
申请日：2016-05-17
Applicant: 한국과학기술원
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00 , B81C1/00015 , B81B2201/02 , B81C1/00349 , B81C1/00388 , B81C1/00436 , B81C2201/01
Abstract: 본발명은멤스디바이스제조방법및 이에의해제조되는멤스디바이스에관한것으로, 보다상세하게는구조물절연막을이용한보이드패턴의형성후, 희생층을증착함으로써, CMOS 호환성있는공정에의해종래와같은하부전극의박리현상이전혀발생되지않으며, 스핀온 절연막(SOD) 또는스핀온 글래스(SOG)를통한스핀증착에따라하부패턴에영향을받지않으면서평탄화가가능하며, 비아홀의형성시, 클리닝(cleaning) 공정을더 수행하여후속증착공정에서의오염을원천적으로방지할수 있는멤스디바이스제조방법및 이에의해제조되는멤스디바이스에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种制造MEMS器件的方法和由此制造的MEMS器件，并且更具体地涉及一种通过使用结构绝缘膜在形成空隙图案之后沉积牺牲层来制造MEMS器件的方法， 根据通过旋涂绝缘膜（SOD）或旋涂玻璃（SOG）的旋转沉积，可以在不受下层图案影响的情况下进行平坦碳化，在形成通孔时， 本发明涉及一种制造MEMS器件的方法和由此制造的MEMS器件。
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公开(公告)号：KR101262476B1
公开(公告)日：2013-05-09
申请号：KR1020100131806
申请日：2010-12-21
Applicant: 한국과학기술원
IPC: G01N27/327 , G01N27/403
Abstract: 플라스틱바이오센서및 그제조방법이제공된다. 본발명에따른플라스틱바이오센서는소정깊이의홈이구비되며, 상기홈의양 측면에각각금속라인이연결된플라스틱기판; 상기홈 내부로안착되며, 소스, 드레인전극및 상기소스및 드레인전극사이에노출된실리콘기판을포함하는바이오센서단위소자; 및상기바이오센서의상부에구비되며, 상기단위소자의실리콘기판및 플라스틱기판을지나며, 하부의실리콘기판및 플라스틱기판과수직으로유체연통하는미세채널이구비된상부기판을포함하는것을특징으로하며, 본발명에따른바이오센서는플렉서블한플라스틱기판상에구현되므로, 종래의실리콘기판상에구현된바이오센서가가지는기판의한계를효과적으로극복할수 있다. 또한, 본발명에따른바이오센서소자는고성능마이크로구조반도체를이용하여플라스틱기판에서바이오물질을검출하기때문에, 기존바이오센서보다우수한감응도를갖는다.
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