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公开(公告)号：KR101486888B1
公开(公告)日：2015-01-27
申请号：KR1020130056696
申请日：2013-05-20
Applicant: 한국기계연구원
Abstract: 금속산화박막 패턴형성용 코팅제 및 나노임프린트를 이용한 금속산화박막 패턴형성방법에 관한 것으로서, 경화시간을 단축시키고 임프린트를 가능하게 하는 최적의 코팅제를 사용하는 것으로, 본 발명의 일 구현예에 따른 지르코닐 2-에틸헥사노에이트(Zirconyl 2-ethylhexanoate) 및 지르코늄 카복시 에틸 아크릴레이트 (Zirconium carboxyethyl acrylate)로 이루어진 산화지르코늄 전구체, 개시제, 및 용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 산화박막 패턴형성용 코팅제 및 이를 이용한 나노 임프린트를 이용한 금속산화박막 패턴형성 방법이 제공된다.
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公开(公告)号：KR101471089B1
公开(公告)日：2014-12-12
申请号：KR1020120137154
申请日：2012-11-29
Applicant: 한국기계연구원
Abstract: 본발명의일 실시예에따른발광소자제조방법은, 기판상에나노구조물패턴의광결정구조를갖는제1 광결정층을형성하는단계와, 상기제1 광결정층상에나노구조물패턴의광결정구조를갖는제2 광결정층을형성하는단계, 및상기제2 광결정층상에제1 전극층, 발광층, 제2 전극층을순차적으로형성하는단계를포함한다.
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93.发明公开
公开(公告)号：KR1020140115070A
公开(公告)日：2014-09-30
申请号：KR1020130029674
申请日：2013-03-20
Applicant: 한국기계연구원
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/0665 , H01L29/04 , H01L29/78696
Abstract: Provided are a method for fabricating a high crystalline nanostructure using nanoimprint lithography and a transistor and a sensor using the nanostructure fabricated thereby. The method for fabricating a high crystalline nanostructure using nanoimprint lithography comprises a preparation step of preparing a substrate; a thin film formation step of forming a thin film on the substrate; an imprinting step of forming a nanostructure by imprinting a patterned stamp on the thin film; a residues removal step of removing residues remaining on the nanostructure to improve growth of crystals in the nanostructure; and a growth step of growing the nanostructure from which the residues have been removed through a hydrothermal process. According to the present invention, since the nanostructure is grown in a non-vacuum low-temperature state, the costs can be saved. Also, the growth of the crystals in the nanostructure can be improved by removing the residues in the nanostructure.
Abstract translation: 提供了使用纳米压印光刻制造高结晶纳米结构的方法，以及使用由其制造的纳米结构的晶体管和传感器。 使用纳米压印光刻制造高结晶纳米结构的方法包括制备基底的制备步骤; 在所述基板上形成薄膜的薄膜形成步骤; 通过在薄膜上压印图案化的印模来形成纳米结构的压印步骤; 去除残留在纳米结构上的残留物以改善纳米结构晶体生长的残余物去除步骤; 以及生长步骤，其中通过水热法除去残余物的纳米结构。 根据本发明，由于纳米结构在非真空低温状态下生长，因此可以节省成本。 此外，通过去除纳米结构中的残余物，可以改善纳米结构中晶体的生长。
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公开(公告)号：KR101437639B1
公开(公告)日：2014-09-05
申请号：KR1020120136561
申请日：2012-11-28
Applicant: 한국기계연구원
IPC: H01B13/00 , H01L51/56 , H01L31/0224 , G02F1/1343
Abstract: 본 발명에 따른 미세 패턴의 제조 방법은 기판 위에 금속막을 형성하는 단계, 금속막 위에 유-무기 복합막을 형성하는 단계, 유-무기 복합막을 임프린팅하여 마스크 패턴을 형성하는 단계, 마스크 패턴을 열처리하는 단계, 마스크 패턴을 식각 마스크로 상기 금속막을 식각하여 미세 패턴을 형성하는 단계, 식각 마스크를 제거하는 단계를 포함하고, 열처리로 상기 마스크 패턴의 크기가 감소한다.
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公开(公告)号：KR101425192B1
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：KR1020120090231
申请日：2012-08-17
Applicant: 한국기계연구원
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명의 태양 전지는 기판, 기판 위에 형성되어 있는 제1 전극, 제1 전극 위에 형성되어 있으며 돌출부를 포함하는 금속산화층, 금속산화층 위에 형성되어 있는 활성층, 활성층 위에 형성되어 있는 완충층, 완충층 위에 형성되어 있는 제2 전극을 포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140065098A
公开(公告)日：2014-05-29
申请号：KR1020120132182
申请日：2012-11-21
Applicant: 한국기계연구원
CPC classification number: G03F7/0002 , B82Y40/00 , G03F7/161
Abstract: The present invention relates to a method for manufacturing a substrate with a nanopattern. The method for manufacturing a substrate with a nanopattern according to the present invention comprises: a sacrificial layer laminating step of laminating a sacrificial layer on a substrate; a pattern layer laminating step of laminating a pattern layer on the sacrificial layer; a protrusion pattern forming step of forming a protrusion pattern which is formed to protrude while neighboring on the pattern layer; a flat layer laminating step of laminating a flat layer between the protrusion pattern and protrusion pattern neighboring; an etching step of etching the sacrificial layer and protrusion pattern located on the lower side of the flat layer and protrusion pattern; a material layer laminating step of laminating a material layer on the exposed substrate and flat layer; and a nanopattern forming step of forming a nanopattern protruding from the exposed substrate and neighboring on the exposed substrate. Accordingly, the present invention provides the method for manufacturing a substrate with a nanopattern which improves the efficiency of a device since the upper side of a nanostructure finally formed is formed in order to be flat by forming a reverse slope in which the length of the upper side is longer than the length of the lower side when the pattern layer is etched.
Abstract translation: 本发明涉及一种用纳米图案制造基片的方法。 根据本发明的具有纳米图案的基板的制造方法包括：在基板上层叠牺牲层的牺牲层层压步骤; 图案层层叠步骤，在牺牲层上层叠图案层; 突起图案形成步骤，形成突起图案，所述突起图案形成为在所述图案层上相邻地突出; 平坦层层压步骤，在相邻的突起图案和突起图案之间层叠平坦层; 蚀刻步骤，蚀刻位于所述平坦层的下侧的所述牺牲层和突出图案以及突出图案; 在暴露的基板和平坦层上层叠材料层的材料层层压步骤; 以及纳米图案形成步骤，形成从暴露的基板突出并与暴露的基板相邻的纳米图案。 因此，本发明提供了一种用于制造具有纳米图案的基板的方法，其中由于形成最终形成的纳米结构的上侧以形成平坦的方式，从而提高了器件的效率，因此通过形成其中上部 当图案层被蚀刻时，该边比下侧的长度长。
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公开(公告)号：KR101393703B1
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：KR1020120038553
申请日：2012-04-13
Applicant: 한국기계연구원
Abstract: 본 발명에 따른 기판, 기판 위에 위치하는 굴절층, 굴절층 위에 위치하는 제1 전극, 제1 전극 위에 형성되어 있는 발광층, 발광층 위에 형성되어 있는 제2 전극을 포함하고, 굴절층은 기판으로부터 제1 전극으로 갈수록 굴절율이 점진적으로 증가 또는 감소한다.
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公开(公告)号：KR1020140023778A
公开(公告)日：2014-02-27
申请号：KR1020120090231
申请日：2012-08-17
Applicant: 한국기계연구원
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/42
Abstract: A solar cell according to the present invention includes a substrate, a first electrode which is formed on the substrate, a metal oxide layer which is formed on the first electrode and includes a protrusion part, an active layer which is formed on the metal oxide layer, a buffer layer which is formed on the active layer, and a second electrode which is formed on the buffer layer.
Abstract translation: 根据本发明的太阳能电池包括基板，形成在基板上的第一电极，形成在第一电极上并包括突出部分的金属氧化物层，形成在金属氧化物层上的有源层 形成在有源层上的缓冲层和形成在缓冲层上的第二电极。
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公开(公告)号：KR101358246B1
公开(公告)日：2014-02-07
申请号：KR1020120012040
申请日：2012-02-06
Applicant: 한국기계연구원
Abstract: 본 발명은 고밀도 나노패턴 형성방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 고밀도 나노패턴 형성방법은 기판으로부터 돌출되는 복수개의 볼록부를 형성하는 볼록부 형성단계; 상기 볼록부의 양측벽에 증착되어 상호 이격되는 복수개의 나노패턴을 형성하는 나노패턴 형성단계; 상기 나노패턴이 형성되는 기판을 몰드로 하여 상기 나노패턴에 대응되는 함몰패턴을 가지는 임프린팅 스탬프를 제작하는 스탬프 제작단계; 상기 임프린팅 스탬프 상에 형성되는 함몰패턴의 폭을 증가시키는 동시에 이웃하는 함몰패턴 간의 이격거리를 감소시키는 함몰패턴 제어단계;를 포함하되, 상기 함몰패턴 제어단계에서 제작되는 임프린팅 스탬프를 이용하여 상기 볼록부 형성단계 및 상기 나노패턴 형성단계를 재수행함으로써 고밀도의 나노패턴을 형성하는 것을 특징으로 한다.
이에 의하여, 미세선폭의 나노패턴을 높은 밀도로 형성할 수 있는 고밀도 나노패턴 형성방법이 제공된다.-
公开(公告)号：KR101332306B1
公开(公告)日：2013-11-22
申请号：KR1020120033163
申请日：2012-03-30
Applicant: 한국기계연구원
Abstract: 프리스탠딩 나노 박막 제조방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 프리스탠딩 나노 박막 제조방법은 제1 기재 상부에 나노 박막을 형성하는 제1 단계; 상기 나노 박막 상부에 제2 기재를 형성하고, 상기 제1 기재를 제거하여 적층체를 형성하는 제2 단계; 상기 적층체에서 상기 제2 기재를 제1 용매로 제거하는 제3 단계; 및 상기 제1 용매를 20 dyne/cm 이하의 계면장력을 갖는 제2 용매로 용매 치환하는 제4 단계를 포함한다.
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