公开(公告)号：KR100772508B1

公开(公告)日：2007-11-01

申请号：KR1020060018506

申请日：2006-02-25

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  강광용 ,  윤선진 ,  김봉준 ,  이용욱 ,  채병규

IPC: G01R31/12 ,  H02J7/02

Abstract: 주위의 잡음신호에 영향을 받지 않고, 간단한 구조로 부분방전을 직접 확인할 수 있는 부분방전 측정장치 및 이를 포함하는 측정시스템을 제공한다. 그 장치 및 시스템은 급격한 금속-절연체 전이를 하는 절연체의 부분방전에 의해 도전되는 피뢰부와, 피뢰부에 전기적으로 연결되고 제1 저항값 R
1 을 가지며 부분방전을 감지하는 제1 전극 및 제1 전극과 병렬로 연결되고 R
1 보다 작은 저항값 R
2 를 가지는 적어도 하나의 제2 전극을 포함한다.
급격한 금속-절연체 전이, 부분방전, 피뢰부

公开(公告)号：KR1020070023477A

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：KR1020050117265

申请日：2005-12-03

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 윤선진 ,  임정욱 ,  김현탁 ,  채병규 ,  김봉준 ,  강광용

IPC: C23C16/40 ,  H01L21/205

Abstract: 균일한 표면과 안정된 조성을 가진 대면적의 바나듐산화물 박막의 제조방법을 제공한다. 그 방법은 바나듐-유기금속화합물 가스를 챔버에 주입하여, 바나듐-유기금속화합물 분자가 기판의 표면에 포화흡착된 흡착물을 형성한다. 그후, 챔버에 산소-전구체를 주입하여, 상기 흡착물과 표면포화반응(surface saturation reaction)시켜 바나듐산화물 박막을 제조한다.
바나듐산화물, 박막, 대면적, 표면포화반응

公开(公告)号：KR1020070014928A

公开(公告)日：2007-02-01

申请号：KR1020050124045

申请日：2005-12-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  강광용 ,  김봉준 ,  이용욱 ,  윤선진 ,  채병규 ,  김경옥

IPC: H02H7/22 ,  H02H1/00

Abstract: An abrupt MIT device, a high-voltage noise removing circuit using the same, and an electrical and electronic system with the circuit are provided to remove a high-voltage noise higher than a limit voltage of each of the abrupt MIT devices by using serially-connected abrupt MIT devices. An abrupt MIT(Metal-Insulator Transition) device includes a substrate(100) and first and second abrupt MIT structures(600,600a) respectively formed on an upper surface and a lower surface of the substrate. Each of the first and second abrupt MIT structures has a characteristic of an insulator below a predetermined limit voltage and has a characteristic of a metal above the limit voltage. Each of the first and second abrupt metal-insulator transition structures has an abrupt MIT thin film and at least two electrode thin films contacting the abrupt MIT thin film.

Abstract translation: 提供突发MIT装置，使用该装置的高压噪声消除电路以及具有该电路的电气和电子系统，以通过使用串联方式来消除高于每个突发MIT装置的极限电压的高电压噪声， 连接的突发MIT设备。 突变MIT（金属绝缘体转移）器件包括分别形成在衬底的上表面和下表面上的衬底（100）和第一和第二突变MIT结构（600,600a）。 第一和第二突变MIT结构中的每一个具有低于预定极限电压的绝缘体的特性，并且具有高于极限电压的金属的特性。 第一和第二突变金属 - 绝缘体转变结构中的每一个具有突变的MIT薄膜和与突变的MIT薄膜接触的至少两个电极薄膜。

公开(公告)号：KR100640001B1

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：KR1020050111882

申请日：2005-11-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  강광용 ,  채병규 ,  김봉준 ,  윤선진 ,  이용욱 ,  김경옥 ,  윤두협 ,  임정욱

IPC: H01L29/772

CPC classification number: H01L49/003 ,  H01L27/0248

Abstract: 정격표준전압 이상의 고주파수 잡음이 전기전자시스템의 전원 라인 혹은 신호라인을 타고 들어올 때 상기 잡음을 효과적으로 제거할 수 있는 급격한 MIT 소자를 이용한 전기전자시스템 보호회로 및 그 보호회로를 포함한 전기전자시스템을 개시한다. 그 전기전자시스템 보호회로는 잡음으로부터 보호받고자 하는 전기전자시스템에 병렬 연결되는 급격한 MIT(Metal-Insulator Transition:MIT) 소자를 포함한다. 전기전자시스템 보호회로는 정격표준전압 이상의 전압이 인가될 때 발생하는 잡음전류의 대부분을 급격한 MIT 소자 쪽으로 바이패스(bypass) 시킴으로써, 전기전자시스템을 보호한다.
금속-절연체 전이, 급격한 MIT 소자, 보호회로

公开(公告)号：KR100510821B1

公开(公告)日：2005-08-30

申请号：KR1020030036796

申请日：2003-06-09

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 윤선진 ,  임정욱 ,  이진호

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/6835 ,  B81C1/00896 ,  H01L21/4803 ,  H01L21/4814 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68345

Abstract: 본 발명은 기판 제조방법에 관한 것으로, 하나의 기판에 에어 갭(air-gap)이 형성된 또 다른 기판을 부착하여 반도체 소자 또는 디스플레이 패널 제조 공정시 기판에 가해지는 스트레스를 이완시키고, 공정이 종료된 후에는 하나의 기판(상부 기판)에 부착된 또 다른 기판(하부 기판)을 용이하게 분리해 낼 수 있도록 하는 것이다.
본 발명은 반도체 소자 제조 공정 시 반도체 소자가 형성되는 상부 기판을 지지하고 반도체 소자 제조 공정 완료 후에 상부 기판으로부터 제거되는 하부 기판과, 상기 하부 기판의 상면에 서로간에 일정한 간격의 에어 갭을 형성하는 복수의 형상층을 갖도록 패터닝 되어있는 완충층 및 상기 완충층 상면에 형성되어 상부 기판을 상기 완충층에 접착 고정시키는 접착층으로 구성된다. 본 발명에 의하면 반도체 소자 제조 공정시 스트레스를 이완시키는 상기 에어 갭(air-gap)으로 인하여 공정시 온도에 따라 늘어나고 줄어드는 기판의 스트레스를 최소화함으로써 공정을 수월하게 진행할 수 있어 소자의 불량정도를 줄일 수 있다.

公开(公告)号：KR100507463B1

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：KR1020020060108

申请日：2002-10-02

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박상희 ,  윤선진 ,  이용의 ,  김용신

IPC: H05B33/04

Abstract: 본 발명은 보호막의 구성원소를 포함하는 전구체들간의 표면화학반응을 통하여 원자층증착법으로 보호막을 형성하는 평판 디스플레이 소자 및 평판 디스플레이 소자의 보호막 형성 방법에 관한 것이다.
본 발명은 평판 디스플레이 소자를 기판 상에 제조하는 단계, 보호막을 형성하기 위해 기판 상에 제조된 평판 디스플레이 소자를 챔버내에 배치하는 단계, 보호막을 구성하는 원소를 포함하는 전구체들을 상기 챔버에 주입하는 단계 및 전구체들간의 표면화학반응을 통하여 원자층증착법으로 20 내지 220℃ 의 온도에서 보호막을 형성하는 단계를 포함하는 평판 디스플레이 소자의 보호막 형성방법 및 그 평판 디스플레이 소자를 제공한다.
이러한 구성을 통하여, 저온에서 양질의 보호막을 비교적 간단한 공정으로 제조할 수 있어, 유기발광소자 또는 디지털페이퍼 등 수분 및 산소에 민감한 소자의 보호막으로 이용하면 소자의 수명을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR100464007B1

公开(公告)日：2005-01-03

申请号：KR1020020025366

申请日：2002-05-08

Applicant: 엘지전자 주식회사 ,  한국전자통신연구원

Inventor： 박상희 ,  윤선진 ,  이용의 ,  김용신 ,  강남석

IPC: H01J1/30

Abstract: PURPOSE: A metal-insulator-metal emitter and a method for manufacturing the same are provided to reduce procedures and shorten the process time, while achieving improved characteristics. CONSTITUTION: A method for manufacturing a metal-insulator-metal emitter comprises the steps of forming a first electrode on a substrate; forming an insulating film on the first electrode through an atomic layer deposition; and forming a second electrode on the insulating film. The step of forming the insulating film includes a first step(S101) of disposing the substrate with the first electrode in a chamber; a second step(S103) of injecting a carrier gas and trimethyl aluminum in the chamber; a third step(S105) of removing the residual particles by injecting nitrogen or inert gas; a fourth step(S107) of forming an aluminum oxide thin film by injecting water or ozone for surface chemical reaction between the water and the trimethyl aluminum; and a fifth step(S109) of removing the residual particles by injecting nitrogen or inert gas.

Abstract translation: 目的：提供一种金属 - 绝缘体 - 金属发射体及其制造方法，以减少程序并缩短处理时间，同时实现改进的特性。 构成：用于制造金属 - 绝缘体 - 金属发射体的方法包括以下步骤：在衬底上形成第一电极; 通过原子层沉积在第一电极上形成绝缘膜; 以及在绝缘膜上形成第二电极。 形成绝缘膜的步骤包括：第一步骤（S101），将具有第一电极的基板布置在腔室中; 第二步骤（S103），在腔室中注入载气和三甲基铝; 通过注入氮气或惰性气体除去残留颗粒的第三步骤（S105） 第四步骤（S107），通过注入水或臭氧以形成氧化铝薄膜，用于水和三甲基铝之间的表面化学反应; 和通过注入氮气或惰性气体除去残留颗粒的第五步骤（S109）。

公开(公告)号：KR100455070B1

公开(公告)日：2004-11-06

申请号：KR1020020010166

申请日：2002-02-26

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박상희 ,  이용의 ,  윤선진 ,  강영일 ,  김용신

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/16

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a c-axis oriented ZnO thin film using an atomic layer deposition(ALD) method is provided to form a thin film oriented to a c-axis by using a glass substrate of low price and large area at a temperature of 300 deg.C or lower. CONSTITUTION: The substrate is positioned inside a chamber(S101). A zinc precursor is injected to the chamber together with carrier gas so that a zink precursor reactant is absorbed to the substrate(S102). Nitrogen gas or inert gas is injected to remove non-absorbed particles(S103). Oxygen gas is injected(S104). Oxygen precursors are injected to form a zink oxide thin film through a surface chemical reaction(S105). Nitrogen gas or inert gas is injected to eliminate non-absorbed particles and surface chemical byproducts(S106).

Abstract translation: 目的：提供一种使用原子层沉积（ALD）法制造c轴取向的ZnO薄膜的方法，以通过使用价格低且大面积的玻璃基板在温度下形成取向为c轴的薄膜 300℃或更低。 构成：衬底位于室内（S101）。 将锌前体与载气一起注入腔室，从而将锌前体反应物吸收到基板上（S102）。 注入氮气或惰性气体以去除未吸收的颗粒（S103）。 注入氧气（S104）。 通过表面化学反应注入氧前体以形成氧化锌薄膜（S105）。 注入氮气或惰性气体以消除未吸收的颗粒和表面化学副产物（S106）。

公开(公告)号：KR1020030070675A

公开(公告)日：2003-09-02

申请号：KR1020020010166

申请日：2002-02-26

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박상희 ,  이용의 ,  윤선진 ,  강영일 ,  김용신

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/16

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a c-axis oriented ZnO thin film using an atomic layer deposition(ALD) method is provided to form a thin film oriented to a c-axis by using a glass substrate of low price and large area at a temperature of 300 deg.C or lower. CONSTITUTION: The substrate is positioned inside a chamber(S101). A zinc precursor is injected to the chamber together with carrier gas so that a zink precursor reactant is absorbed to the substrate(S102). Nitrogen gas or inert gas is injected to remove non-absorbed particles(S103). Oxygen gas is injected(S104). Oxygen precursors are injected to form a zink oxide thin film through a surface chemical reaction(S105). Nitrogen gas or inert gas is injected to eliminate non-absorbed particles and surface chemical byproducts(S106).

Abstract translation: 目的：提供使用原子层沉积（ALD）方法制造c轴取向的ZnO薄膜的方法，以通过使用低价格和大面积的玻璃基板在温度下形成取向为c轴的薄膜 为300℃以下。 构成：衬底位于腔室内（S101）。 将锌前体与载气一起注入到腔室中，使得锌镉前体反应物被吸收到基底上（S102）。 注入氮气或惰性气体以除去未吸收的颗粒（S103）。 注入氧气（S104）。 注入氧前体以通过表面化学反应形成锌氧化物薄膜（S105）。 注入氮气或惰性气体以消除未吸收的颗粒和表面化学副产物（S106）。

公开(公告)号：KR1020030064028A

公开(公告)日：2003-07-31

申请号：KR1020020004433

申请日：2002-01-25

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이용의 ,  박상희 ,  윤선진 ,  김용신

IPC: H05B33/26

CPC classification number: H05B33/145 ,  H05B33/10 ,  H05B33/12 ,  H05B33/26

Abstract: PURPOSE: An electro-luminescence display is provided to reduce a loss of light to a side portion and improve the luminance by forming a phosphor layer or a transparent conductive layer having a projection-shaped surface. CONSTITUTION: An electro-luminescence display includes a substrate(21), the first electrode(22), a phosphor layer(24), and the second electrode(26). The first electrode is formed on an upper portion of the substrate. The phosphor layer is formed on an upper portion of the first electrode. The second electrode is formed on an upper portion of the phosphor layer. One of the first electrode, the phosphor layer, and the second electrode has a projection-shaped surface. The first insulating layer(23) is formed between the first electrode and the phosphor layer. The second insulating layer(25) is formed between the phosphor layer and the second electrode.

Abstract translation: 目的：提供电致发光显示器，以减少对侧面部分的光损失，并且通过形成具有突出形状的表面的荧光体层或透明导电层来提高亮度。 构成：电致发光显示器包括基板（21），第一电极（22），荧光体层（24）和第二电极（26）。 第一电极形成在基板的上部。 荧光体层形成在第一电极的上部。 第二电极形成在荧光体层的上部。 第一电极，荧光体层和第二电极中的一个具有突出形状的表面。 第一绝缘层（23）形成在第一电极和荧光体层之间。 第二绝缘层（25）形成在荧光体层和第二电极之间。