公开(公告)号：KR1019990042070A

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR1019970062773

申请日：1997-11-25

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 노정래 ,  이일항 ,  김성복

IPC: H01L21/20

Abstract: 별도의 리소그래피 공정을 이용하지 않으므로써 식각 공정에서 야기되는 결함(defect) 및 격자 불일치 물질의 응력을 이용함에 따른 물질의 구조 결함의 생성을 근본적으로 방지할 수 있는 고품위 GaAs 양자점을 CBE(Chemical Beam Epitaxy) 성장장치를 이용하여 성장하는 방법이 개시된다. 본 발명은 화합물반도체 기판상에 CBE 성장법을 이용하여 Ga의 원료물질을 과잉으로 공급하여 초미세 크기의 액상 Ga 상태인 Ga droplet을 형성하고, As의 원료물질인 AsH
3 (arsine)을 공급하여 상기 Ga droplet과 사전에 열 분해되어 공급된 상기 AsH
3 과의 화학반응을 통하여 화합물반도체 기판 상에 초 미세 단결정인 GaAs 양자점을 제작한다. 본 발명은 양자효과를 이용하는 반도체 레이저, 광 검출기, 고속소자 등의 제작에 매우 유용하게 사용할 수 있다.

公开(公告)号：KR100205052B1

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR1019960028168

申请日：1996-07-12

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 전민용 ,  이학규 ,  김경헌 ,  이일항

IPC: H01S3/098

CPC classification number: H01S3/067 ,  H01S3/06791 ,  H01S3/1068 ,  H01S3/1109

Abstract: 본 발명은 파장 가변 수동형 모드록킹 광섬유 레이저에 관한 것으로서, 광펌핑 레이저다이오드와, 이득매질 첨가 광섬유와, 파장 분할 광섬유 결합기 그리고 비선형성을 주기 위한 분산 천이 광섬유 및 제1편광조절기가 루프형으로 결합된 비선형 증폭 루프 거울과; 제2편광조절기와, 진행되는 광파의 편광판을 회전시키는 선형 거울 부분의 패러데이 회전거울로 구성되는 선형 거울 부분과 음향광학 가변필터/주파수 변환기로 구성된 광섬유 레이저에서 비선형 증폭 루프 거울과선형 거울 부분의 패러데이 회전거울에 음향광학 가변필터/주파수 변환기를 삽입함으로써 넓은 범위의 파장을 가변할 수 있으며, 짧은 펄스폭을 지니면서 매우 안정된 제한 변환된 펄스를 발생할 수 있는 효과를 가진다.

公开(公告)号：KR100199858B1

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR1019960069280

申请日：1996-12-20

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이학규 ,  김경헌 ,  전민용 ,  안준태 ,  이일항

IPC: H04B10/25 ,  H04B10/2581

Abstract: 1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
공진기 덤핑을 이용한 완전 광신호 파장 변환기
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
공진하고 있는 광 루프 거울에 신호광을 입사시키고, 입사된 신호광에 의해 유도되는 광 루프 거울내의 위상변화에 기인한 공진기 덤핑(cavity dumping)을 파장 변환 원리로 사용하여 파장 변환을 수행하는 완전 광신호 파장 변환기를 제공하고자 함.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명은 선형 공진기를 이용하여 원하는 파장의 광신호를 선택하여 증폭하고, 공진하고 있는 광 루프 거울내로 입사된 신호광에 의해 유도되는 루프거울내의 위상변화에 따른 공진기 덤핑(cavity dumping)을 파장 변환 원리로 사용하여 신호광을 원하는 광신호의 파장으로 변환하여 출력하므로써, 입력 신호의 시간 대역폭에 대한 제한이 거의 없는 초고속 변환이 가능하고, 출력되는 공진기광의 파장을 원하는 파장으로 조절할 수 있다.
4. 발명의 중요한 용도
초고속 파장 분할 다중화(WDM) 광통신 시스템에 이용됨.

公开(公告)号：KR100199004B1

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR1019950052656

申请日：1995-12-20

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김광준 ,  현경숙 ,  권오균 ,  이일항

IPC: H01L33/00

Abstract: 본 발명은 광 투과 이차원 광논리 기판을 이용한 구조에서의 각 기판의 소자 배치에 관한 것으로서, 그 특징은 적층구조에서의 각 기판의 소자배치방법에 있어서, 소정 번째의 기판에서 하나 혹은 그 이상의 출력용 시드들을 필요에 따라 혼 곳에 집척 배치하는 데에 있으므로, 본 발명은 광 논리 소자 공간 밀도를 높이기 위한 적층 형태의 병렬형 광 논리 연산 구조에서 다른 구성요소보다 단위 면적이 큰 광 관통구가 전체 집적도를 제약하는 정도를 현저히 완화하며, 자연스럽게 다음 단계에서 서로 연관지어 논리계산을 수행할 결과를 내어놓는 출력 시드들을 한 곳에 몰아 설계하여 기판 자체의 설계 및 해석이 쉬어진다는 데에 그 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019990027361A

公开(公告)日：1999-04-15

申请号：KR1019970049802

申请日：1997-09-29

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 현경숙 ,  이일항 ,  유병수

IPC: G02B5/28

Abstract: 본 발명은 다중 모드 간섭계 및 회절격자를 이용한 파장 검출기에 관한 것으로, 특히 폭이 좁은 파장을 추출하여 파장에 민감한 광 교환 소자 및 광 논리 소자들의 제어를 확실하게 할 수 있는 파장 검출기에 관한 것이다.
파장 분할 전송에서 많이 이용되고 있는 다중/역다중 방식은 광 도파로 격자를 사용하고, 아울러 매우 극소수로써 다중 모드 간섭계를 이용한 phasar(phased array)를 사용하고 있는 실정이다. 그러나 광도파로 격자를 사용하는 경우, 다중 파장에서 단일 파장을 검출하는데 입력된 빛의 세기가 매우 약하게 감쇄되는 단점과 그 구조의 복잡함으로 인하여 제조가 용이하지 않은 단점이 있다.
본 발명에서는 다중 모드 간섭계로 균등 분할된 광을 다중 회절격자를 사용하여 여러 파장 중에서 단일 파장을 검출한 후, 광들이 서로 위상차를 갖도록 함으로써 특정 포트로 출력된 파장을 민감한 광 교환 소자 및 광 논리 소자에 입력 시킬 수 있는 파장 검출기를 제시한다.

公开(公告)号：KR100170191B1

公开(公告)日：1999-03-20

申请号：KR1019950053669

申请日：1995-12-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 권오균 ,  김광준 ,  현경숙 ,  이일항

IPC: G02F3/02

Abstract: 본 발명은 광 쌍안정 논리소자에 관한 것으로 특히, 반 절연 반도체 기판 위에 화합물 반도체 다층 거울층을 성장시키는 제1 과정과; 상기 제1 과정에서 형성된 하부 거울층 위에 제1 도전층을 형성하는 제2 과정과; 상기 제2 과정에서 형성된 제1 도전층 위에 광학적 활성중간층 다중 양자 우물층을 형성하는 제3 과정과; 상기 제3 과정에서 형성된 층위에 상기 제1 도전층의 형성을 위해 사용되었던 도핑물질과 극성이 다른 도핑물질을 사용하여 제2 도전층을 형성하는 제4 과정과; 상기 제4 과정에서 형성된 제2 도전층위에 광학적 활성중간층 다중 양자 우물층을 형성하는 제5 과정과; 이 우물층 위에 상기 제2 과정의 제1 도전층을 형성하는 제6 과정과; 상기 제3, 제4 과정(혹은 제5, 제6 과정)을 순차적으로 반복 수행하여서 상기 제1 과정의 하부 거울층으로부터 소정의 두께(L)의 위치에 상부 거울층을 형성하는 제7 과정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 무전압 광쌍안정소자의 제조방법 및 그에 따른 공명구조와 적층 다이오드구조가 결합된 수직구조형 광변조기를 외부인가 전압없이 자체의 다이오드 바이어스에 의해 동작하도록 외부전원 없이 자체적으로 구동되는 것을 특징으로 하는 무전압 광쌍안정 논리소자의 구조를 제공하여 자체의 바이어스를 이용하며, 적층 구조에 비대칭 공명구조를 결합함으로써 적층된 각 다이오드의 중간층의 두께를 줄여 자체 바이어스에 의해서도 충분히 큰 구동전계를 얻을 수 있도록 하는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019990015326A

公开(公告)日：1999-03-05

申请号：KR1019970037363

申请日：1997-08-05

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 노정래 ,  김성복 ,  이일항

IPC: H01L21/30

Abstract: 본 발명은 양자세선이나 양자점 등의 초미세 저차원 구조를 이용하는 반도체 소자 제작공정시 균일한 크기의 양자세선과 양자점을 형성하는 초미세 구조 제작 방법에 관한 것으로서, 간단한 장비와 공정을 이용하여 우수한 특성을 가진 양자세선과 양자점을 제작하여 양자세선과 양자점과 같은 초미세 저차원 구조를 이용하는 소자 제작시 경제적 장점이 있는 소자제작공정을 확립하고, 포토리소그래피와 습식식각 등의 간단한 장비와 효율적인 방법으로 공정 시간이 짧고, 공정 수행이 용이하며, 제작된 소자의 특성과 수율이 우수한 양자소자 제작공정을 확보함으로써, 전자 빔 리소그래피 공정과 건식식각 공정 없이 기판의 원하는 부위에 양자세선이나 양자점 같은 초미세 구조를 간단한 방법으로 형성할 수 있으므로 공정을 단순화 할 수 있고, 건� ��식각을 사용함에 따라 공정 수행시 유발되는 결함의 형성을 원칙적으로 제거하여 제작된 소자의 특성을 향상시킬 수가 있으며, 실리콘 산화물 마스크 위에는 박막이 성장되지 않아 상부의 양자우믈 구조가 형성되지 않으므로 이를 제거하기 위한 별도의 공정이 요구되지 않고, 전자 빔 리소그래피 및 건식식각 공정을 이용하지 않으므로 공정시간을 대폭 단축할 수 있을 뿐 아니라 저가의 장비를 사용하기 때문에 소자 제작공정의 경제적 경쟁력을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR100155535B1

公开(公告)日：1998-12-01

申请号：KR1019950028613

申请日：1995-09-01

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김성복 ,  박성주 ,  노정래 ,  이일항

IPC: H01L21/20

Abstract: 본 발명은 화합물 반도체의 결정 성장방법에 관한 것으로서, (100)면의 GaAs반도체기판에 습식 식각에 의해 경사면이 (100)면과 55˚이 경사각을 이루는 (111)면을 갖는 V자 홈(15)을 형성하고, 재차, 상기반도체기판을 염산용액과 H
2 SO
4 : H
2 O
2 : H
2 O =20:1:1용액에 의해 경사면을 55˚보다 낮은 경사각, 예를들면, 48~53˚의 경사각을 갖는 비(非)-(111)면이 되도록 식각한후 빈도체기판의 상부에너지의 대역폭이 큰 장벽층과 작은 활성층으로 이루어진 쌍이 다수 개로 이루어지는 양자구조를 형성하도록 결정 성장한다.
이때, 장벽층과 활성층은 에너지가 낮은 가장 안정한 면을 이루면서 성장하므로 V자 홈 비-(111)면을 이루는 경사면에서 장벽층과 활성층은 (111)면을 이루는 방향으로 성장되고, 경사면을 이루는 비-(111)면과 성장면인 (111)면의 경계에서 장벽층과 활성층이 성장되지 않거나 성장 속도가 늦어 상기활성층은 V자 홈의 바닥에 형성되는 것과 경사면에 형성되는 것이 서로 분리된다. 따라서, V자 홈의 바닥에 형성되는 할성층의 폭을 한정하여 양자 세선 또는 양자점의 구조를 용이하게 이룰 수 있다.

公开(公告)号：KR1019980050460A

公开(公告)日：1998-09-15

申请号：KR1019960069283

申请日：1996-12-20

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 현경숙 ,  권오균 ,  김광준 ,  이일항

IPC: H01L31/00

Abstract: 다중 전송 통신 시스템에 있어서 전송되어온 빛을 어떻게 분리하여 다시 여러개의 단말기에 분배를 하는가 하는 것이 해결해야할 중요한 문제로 대두되어 왔는데, 광검출기 구조에서 흡수층을 동작파장에 해당하는 다중양자우물 또는 필터를 이용하여 구성하면, 각 파장에 대하여 흡수율이 1:2:4:8의 비율을 갖는 파장을 선택할 수 있고, 이러한 4중 빛을 사용할 경우 검출기에 흐르는 전류의 총합으로 4개의 빛 중 어떤 빛이 들어 왔는지를 결정 할 수 있어, 본 발명은 이러한 방식의 광검출기를 구현하였다.

公开(公告)号：KR100133473B1

公开(公告)日：1998-04-23

申请号：KR1019940007777

申请日：1994-04-13

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이학규 ,  김경헌 ,  박서연 ,  이일항

IPC: G02B26/08

CPC classification number: H04Q11/0001

Abstract: 본 발명은 고속 시간 분할 광통신에서 역다중화기 등으로 사용될 수 있는 초고속 완전 광 스위치에 관한 것으로, 광섬유의 비선형 효과와 사냑 간섭계의 특성을 이용하여 조절광에 의해서 신호광을 스위칭하는 비선형 루프 거울을 기본 구조로 갖는 것으로, 종래의 비선형 광섬유 루프 거울이 갖고 있는 조절광과 신호광 간의 워크-오프에 의한 스위치 대역 폭의 제한을 보상하기 위해 기존의 조절광에 대해 적당한 시간지연을 갖는 다른 하나의 조절광을 도입한 완전 광스위치이다. 본 발명의 광 스위치는 조절광의 파장에 관계없이 스위칭 창문의 크기를 조절할 수 있을 뿐만 아니라 전송된 신호광이 갖고 있는 시간 요동(timming jitter)과 비트 속도에 따라서 스위칭 창문의 크기를 임의로 조절할 수 있고, 한 방향의 조절광을 사용하는 기존의 광섬유 스위칭에서 발생하는 DC 잡음을 제거할 수 있다.