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公开(公告)号：KR1020120124548A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：KR1020110042251
申请日：2011-05-04
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01S5/1028 , H01S5/0265 , H01S5/0425 , H01S5/1003 , H01S5/101 , H01S5/1014 , H01S5/2222 , H01S2301/16 , G02B6/12016 , G02B6/12033
Abstract: PURPOSE: A semiconductor optical device and a manufacturing method thereof are provided to minimize the leakage of a forward current for light amplification with a current breaking unit by forming the current breaking unit in a PNP structure. CONSTITUTION: A first mode converting core(MCC1), a light amplification core(LAC), a second mode converting core(MCC2), and a light modulating core(LMC) are placed on a first mode converting region(10), a light amplification region(20), a second mode converting region(30), and a light modulating region(40) of a semiconductor substrate respectively. A current breaking unit covers a side wall and an upper surface of the light amplification core. The first mode converting core, the light amplification core, the second mode converting core, and the light modulating core are sequentially arranged in a direction to be butt joint with each other. The current breaking unit includes cladding patterns laminated in order.
Abstract translation: 目的：提供一种半导体光学器件及其制造方法，其通过在PNP结构中形成电流分断单元，以最大限度地减少用于断电单元进行光放大的正向电流的泄漏。 构成：在第一模式转换区域（10）上放置第一模式转换核心（MCC1），光放大核心（LAC），第二模式转换核心（MCC2）和光调制核心（LMC） 放大区域（20），第二模式转换区域（30）和半导体衬底的光调制区域（40）。 电流断路单元覆盖光放大芯的侧壁和上表面。 第一模式转换核心，光放大核心，第二模式转换核心和光调制核心依次布置在彼此对接的方向上。 电流断路单元包括层叠的覆层图案。
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公开(公告)号：KR1020110064148A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：KR1020090120617
申请日：2009-12-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L51/05
CPC classification number: H01S5/0265 , G02B6/1228 , G02B6/125 , G02B6/2813 , H01S5/1014 , H01S5/1085 , H01S5/50
Abstract: PURPOSE: An optical device module is provided to realize high integration and miniaturization using an embedded multi mode interference coupler integrated with a light modulator which has a ridge structure. CONSTITUTION: A semiconductor light amplifier(10) comprises a first active layer(12) and a second active layer(22) which are different. A light modulator(20) modulates a light signal transferred to the second active layer. The second active layer is formed between the light modulator and the semiconductor light amplifier. A multi-mode interference coupler(30) is integrated with the light modulator. The semiconductor light amplifier and the multi-mode interference coupler are connected to a bonding surface(50).
Abstract translation: 目的：提供一种光器件模块，以实现与具有脊结构的光调制器集成的嵌入式多模干涉耦合器的高集成度和小型化。 构成：半导体光放大器（10）包括不同的第一有源层（12）和第二有源层（22）。 光调制器（20）调制转移到第二有源层的光信号。 第二有源层形成在光调制器和半导体光放大器之间。 多模干涉耦合器（30）与光调制器集成。 半导体光放大器和多模干涉耦合器连接到接合表面（50）。
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公开(公告)号：KR1020100135081A
公开(公告)日：2010-12-24
申请号：KR1020090053536
申请日：2009-06-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04B10/2581 , H04J14/02
CPC classification number: H04J14/0282
Abstract: PURPOSE: A wavelength division multiplexed passive optical network apparatus is provided to adopt a wavelength independent light source and a chirped brag grating as the light source of a subscriber interface unit and a center BS(Base Station). CONSTITUTION: A multiplexer(118a) multiplexes the light signal of a light source unit(112a), and a chirped brag grating(124a) is connected to the other end of the multiplexer. The chirped brag grid reflects the light passing through the multiplexer. The brag grating inputs the certain portion of the light as the multiplexer and the light sources again. The multiplexer performs spectrum slicing of re-inputted light, and operates the light source by considering a channel wavelength as a main oscillation wavelength.
Abstract translation: 目的：提供一种波分复用无源光网络设备，采用波长独立光源和啁啾布拉格光栅作为用户接口单元和中心BS（基站）的光源。 构成：多路复用器（118a）复用光源单元（112a）的光信号，并且啁啾的布拉格光栅（124a）连接到多路复用器的另一端。 啁啾的布拉格格栅反射通过多路复用器的光。 布拉格光栅作为多路复用器和光源再次输入光的一部分。 多路复用器对再输入的光进行频谱分割，并且通过考虑通道波长作为主振荡波长来操作光源。
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公开(公告)号：KR100876786B1
公开(公告)日：2009-01-09
申请号：KR1020070044981
申请日：2007-05-09
CPC classification number: G06K9/00275 , G06K9/00288 , G06K9/6255 , G06K9/6277
Abstract: 본 발명은 조명 마스크(Light Masks)를 이용한 사용자 얼굴 검증 시스템 및 방법에 관한 것으로서, 얼굴 영상으로부터 얼굴특징 벡터를 추출하는 얼굴특징 추출부와, 일반인 DB(Database)의 얼굴 영상으로부터 일반인 GMM(Gaussian Mixture Model)을 생성하는 일반인 GMM 구성부 및 사용자 DB(Database)의 얼굴 영상에 조명 마스크를 적용하여 사용자 GMM(Gaussian Mixture Model)을 생성하는 사용자 GMM 구성부와, 상기 일반인 GMM과 상기 사용자 GMM에 상기 얼굴특징 벡터를 입력하여 로그우도값(Log-likelihood)을 계산하는 로그우도값 계산부와, 상기 계산된 로그우도값을 소정 임계치와 비교하여 상기 얼굴 영상이 사용자의 얼굴 영상인지 여부를 검증하는 사용자 검증부를 포함하는 조명 마스크를 이용하는 사용자 얼굴 검증 시스템을 제공한다.
본 발명에 의하여 얼굴 영역 전체에 대하여 특징 추출을 함으로써 얼굴 전체에 대한 특징을 제대로 반영하여 검증할 수 있으며, 얼굴 영상에 대해 조명 마스크를 적용함으로써 얼굴 특징에 관한 데이터 양을 늘여 검증시 조명에 취약한 단점을 보완하는 효과가 있다.
로봇, GMM(Gaussian Mixture Model), 조명 마스크, 사용자 검증-
公开(公告)号：KR1020080099443A
公开(公告)日：2008-11-13
申请号：KR1020070044981
申请日：2007-05-09
CPC classification number: G06K9/00275 , G06K9/00288 , G06K9/6255 , G06K9/6277
Abstract: A system for verifying the user's face by using light masks and a method therefor are provided to extract features of the whole face instead of extracting the features after dividing the whole face into blocks. A system(300) for verifying the user's face by using light masks comprises the followings: a facial feature extraction part(320) which extracts a face characteristic vector from an image of the user's face; an ordinary person GMM(Gaussian Mixture Model) configuration part(400) which generates an ordinary person GMM from face images of an ordinary person DB(Database); a user GMM configuration part(500) which applies the light mask to face images of the user database to generate a user GMM; a log-likelihood value calculating part(330) which inputs the face characteristic vector to the ordinary person GMM and user GMM to calculate a log-likelihood value; and a user verification part(340) which compares the calculated log-likelihood value with a predetermined critical value to verifies whether the face image is identical to the face of the user or not.
Abstract translation: 提供一种通过使用光掩模验证用户面部的系统及其方法，以提取整个脸部的特征，而不是将整个脸部分割成块后提取特征。 一种用于通过使用光掩模来验证用户脸部的系统（300）包括：面部特征提取部分，其从用户脸部的图像中提取面部特征向量; 普通人GMM（高斯混合模型）配置部分（400），其从普通人DB（数据库）的脸部图像生成普通人GMM; 用户GMM配置部分（500），其将所述光掩模应用于面对所述用户数据库的图像以生成用户GMM; 将面部特征矢量输入到普通人GMM和用户GMM的对数似然度计算部（330），计算对数似然值; 以及将计算的对数似然值与预定临界值进行比较的用户验证部（340），以验证面部图像是否与用户的脸部相同。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020080097798A
公开(公告)日：2008-11-06
申请号：KR1020070043108
申请日：2007-05-03
CPC classification number: G06K9/00295
Abstract: A system for recognizing a user's face based on adaptive learning, and a method thereof are provided to recognize a user's face by learning the user's face gradually, thereby recognizing a user's face even in the user is in action. A specific person detecting and tracking unit(120) detects the specific person on the moving picture and traces it. A facial feature extraction part(130) extracts a plurality of face characteristic vectors from the detected and the traced specific features of the person. A face recognition part(140) compares the extracted face characteristic vector with the registered model stored in the user registration model database, and searches the corresponding registered model in the database. A learning subject selection part(160) selects the face characteristic vector to be added to the corresponding registered model record among the extracted face characteristic vectors. A registered model studying part(170) adds the selected face characteristic vector to the record of the registered model and renews it.
Abstract translation: 基于自适应学习识别用户面部的系统及其方法被提供以通过逐渐学习用户的脸部来识别用户的脸部，从而即使在用户中也能识别用户的脸部。 具体的人检测跟踪单元（120）检测运动图像上的特定人物并追踪它。 面部特征提取部分（130）从人的检测和跟踪的特定特征提取多个面部特征向量。 面部识别部（140）将所提取的面部特征矢量与存储在用户登记模型数据库中的登记模型进行比较，并在数据库中搜索对应的注册模型。 学习对象选择部（160）在所提取的面部特征向量中选择要添加到对应的登记模型记录的面部特征向量。 注册模型学习部分（170）将所选择的面部特征向量添加到注册模型的记录并更新。
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公开(公告)号：KR100833498B1
公开(公告)日：2008-05-29
申请号：KR1020060102036
申请日：2006-10-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/336
CPC classification number: G02F1/025 , G02F1/2257 , H01L33/0037
Abstract: 스트레인드 베리드 채널 (strained buried channel) 영역을 구비하는 광소자에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 광소자는 제1 도전형의 반도체 기판과, 게이트 절연막과, 제2 도전형의 게이트와, 게이트의 아래에 형성되고 반도체 기판보다 더 높은 농도의 제1 도전형 불순물로 도핑된 고농도 불순물 확산 영역을 포함한다. 게이트 절연막과 반도체 기판과의 사이에는 고농도 불순물 확산 영역에 접촉되는 스트레인드 베리드 채널 영역이 연장되어 있다. 스트레인드 베리드 채널 영역은 반도체 기판 구성 물질과는 다른 격자 상수를 가지는 반도체 재료로 구성된다. 게이트 절연막과 상기 스트레인드 베리드 채널 영역과의 사이에는 반도체 캡층이 형성되어 있다.
스트레인드 베리드 채널, 광소자, MOS 커패시터형, 전하, 이동도, 광 변조-
公开(公告)号：KR100825733B1
公开(公告)日：2008-04-29
申请号：KR1020060096455
申请日：2006-09-29
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G02F1/025 , G02F1/3133 , G02F2001/0152 , G02F2203/15
Abstract: 본 발명은 링 광변조기의 PIN 구조의 변조속도제한 문제를 해결하고 광 구속률을 향상시켜 작은 전류 인가를 통해서도 고속으로 광변조 할 수 있는 실리콘 반도체 기반의 고속 링 광변조기를 제공한다. 그 고속 링 광변조기는 굴절률 변화부분이 형성되어 있는 링 광도파로, 및 굴절률의 변화가 없는 광도파로를 포함하고, 굴절률 변화부분은 바이폴라 트랜지스터를 이용하여 형성된다. 본 발명에 의한 실리콘 반도체 기반의 고속 링 광변조기는 굴절률 변화부분에 바이폴라 트랜지스터 구조가 이용됨으로써, 빛이 통과되는 영역으로의 캐리어의 공급과 배출을 고속으로 수행할 수 있고 그에 따라 광변조 속도를 향상시킬 수 있다. 또한, 광 구속률을 향상시켜 작은 전류 인가를 통해서도 고속으로 광변조 수행할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100825723B1
公开(公告)日：2008-04-29
申请号：KR1020060071657
申请日：2006-07-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/00
CPC classification number: G02F1/025 , G02F2203/50 , G11C13/04
Abstract: 광소자의 동적특성을 저하시키지 않고 위상변화와 전파손실을 증대시킬 수 있는 에지 효과를 용이하게 구현하는 광소자를 제공한다. 그 광소자는 제1의 도전형의 불순물로 도핑되고 상부에 리세스된 홈이 형성된 제1 반도체층 상의 일부를 덮는 게이트절연막 및 게이트절연막의 상부면을 덮고 제1 도전형과 반대되는 제2 도전형으로 도핑된 제2 반도체층을 구비한다
광소자, 위상변화, 전파손실, 에지효과-
公开(公告)号：KR1020080035386A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：KR1020060102036
申请日：2006-10-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/336
CPC classification number: G02F1/025 , G02F1/2257 , H01L33/0037
Abstract: An optical device with a strained buried channel is provided to guarantee a desired switching speed and an improved operation speed by increasing modulation efficiency while avoiding a light attenuation phenomenon. A gate insulation layer(120) is formed on a semiconductor substrate of a first conductivity type. A gate(122) of a second conductivity type opposite to the first conductivity type is formed on the gate insulation layer. A high-density impurity diffusion region(132,134) is formed under the gate in the semiconductor substrate, doped with first conductive impurities having a higher density than that of the semiconductor substrate. A strained buried channel region(140) is extended to a portion between the gate insulation layer and the semiconductor substrate to come in contact with the high-density impurity diffusion region, made of a semiconductor material having a different lattice constant from that of a material constituting the semiconductor substrate. A semiconductor cap layer(142) is formed between the gate insulation layer and the strained buried channel region. The first conductivity type can be a p-type, having compressive stress.
Abstract translation: 提供具有应变埋入通道的光学器件，以通过提高调制效率同时避免光衰减现象来保证期望的开关速度和改善的操作速度。 在第一导电类型的半导体衬底上形成栅绝缘层（120）。 在栅极绝缘层上形成与第一导电类型相反的第二导电类型的栅极（122）。 在半导体衬底的栅极下形成高浓度杂质扩散区（132,134），掺杂有比半导体衬底的密度高的第一导电杂质。 应变埋入沟道区域（140）延伸到栅极绝缘层和半导体衬底之间的部分，以与由与材料不同的晶格常数的半导体材料制成的高密度杂质扩散区域接触 构成半导体基板。 在栅极绝缘层和应变埋入沟道区之间形成半导体盖层（142）。 第一导电类型可以是具有压应力的p型。
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